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Valdueza Felip, Sirona

Electrónica / Universidad de Alcalá

Actividades

Amorphous Silicon Films and Nanocolumns Deposited on Sapphire and GaN by DC Sputtering

  • Sun, M.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.

Physica Status Solidi (B) Basic Research - 2023

Editor: John Wiley and Sons Inc

10.1002/pssb.202200578 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1521-3951

Comparison of the Material Quality of AlxIn1−xN (x—0–0.50) Films Deposited on Si(100) and Si(111) at Low Temperature by Reactive RF Sputtering

  • Sun, M.
  • Blasco, R.
  • Nwodo, J.
  • de la Mata, M.
  • Molina, S.I.
  • Ajay, A.
  • Monroy, E.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
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Materials - 2022

Editor: MDPI

10.3390/ma15207373 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1996-1944

Low-to-Mid Al Content (x = 0–0.56) AlxIn1−xN Layers Deposited on Si(100) by Radio-Frequency Sputtering

  • Blasco, R.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Montero, D.
  • Sun, M.
  • Olea, J.
  • Naranjo, F.B.

Physica Status Solidi (B) Basic Research - 2020

Editor: Wiley-VCH Verlag

10.1002/pssb.201900575 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1521-3951

Design of AlInN on silicon heterojunctions grown by sputtering for solar devices

  • Blasco, R.
  • Naranjo, F.B.
  • Valdueza-Felip, S.

Current Applied Physics (p. 1244-1252) - 2020

Editor: Elsevier B.V.

10.1016/j.cap.2020.07.018 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1567-1739

AlxIn1-xN on Si (100) Solar Cells (x = 0-0.56) deposited by RF sputtering

  • Valdueza-Felip S
  • Blasco R
  • Olea J
  • Díaz-Lobo A
  • Braña AF
  • Naranjo FB

Materials - 1/5/2020

Editor: MDPI AG

10.3390/ma13102336 Ver en origen

  • ISSN 19961944
  • ISSN/ISBN 1996-1944

High quality Al0.37In0.63N layers grown at low temperature (<300 °C) by radio-frequency sputtering

  • Núñez-Cascajero, A.
  • Blasco, R.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Montero, D.
  • Olea, J.
  • Naranjo, F.B.

Materials Science in Semiconductor Processing (p. 8-14) - 2019

Editor: Elsevier Ltd

10.1016/j.mssp.2019.04.029 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1369-8001

Influence of the AlInN Thickness on the Photovoltaic Characteristics of AlInN on Si Solar Cells Deposited by RF Sputtering

  • Blasco, R.
  • Núñez-Cascajero, A.
  • Jiménez-Rodríguez, M.
  • Montero, D.
  • Grenet, L.
  • Olea, J.
  • Naranjo, F.B.
  • Valdueza-Felip, S.
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Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science - 2019

Editor: Wiley-VCH Verlag

10.1002/pssa.201800494 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1862-6319

Quality improvement of AlInN/p-Si heterojunctions with AlN buffer layer deposited by RF-sputtering

  • Núñez-Cascajero, A.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Blasco, R.
  • de la Mata, M.
  • Molina, S.I.
  • González-Herráez, M.
  • Monroy, E.
  • Naranjo, F.B.
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Journal of Alloys and Compounds (p. 824-830) - 2018

Editor: Elsevier Ltd

10.1016/j.jallcom.2018.08.059 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0925-8388

Influence of the AlN interlayer thickness on the photovoltaic properties of in-rich AlInN on Si heterojunctions deposited by RF sputtering

  • Valdueza-Felip, S.
  • Núñez-Cascajero, A.
  • Blasco, R.
  • Montero, D.
  • Grenet, L.
  • De La Mata, M.
  • Fernández, S.
  • Rodríguez-De Marcos, L.
  • Molina, S.I.
  • Olea, J.
  • Naranjo, F.B.
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AIP Advances - 2018

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.5041924 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 2158-3226

In-rich AlxIn1-xN grown by RF-sputtering on sapphire: From closely-packed columnar to high-surface quality compact layers

  • Núñez-Cascajero, A.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Monroy, E.
  • Taylor-Shaw, E.
  • Martin, R.W.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.
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Journal of Physics D: Applied Physics - 2017

Editor: Institute of Physics Publishing

10.1088/1361-6463/aa53d5 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1361-6463

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Desarrollo de nitruros basados en InN para aplicaciones fotovoltaicas

  • Arántzazu Núñez Cascajero
  • Laura Monteagudo Lerma
  • Marco Jiménez Rodríguez
  • Sirona Valdueza Felip
  • Eva Monroy
  • Ana Isabel Ruiz Matute
  • Miguel González Herráez
  • Fernando Bernabé Naranjo Vega
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Quintas Jornadas de Jóvenes Investigadores de la Universidad de Alcalá: Ciencias e Ingenierías (p. 65-74) - 2016

Editor: Editorial Universidad de Alcalá

  • ISSN/ISBN 978-84-16133-98-7

Study of high In-content AlInN deposition on p-Si(111) by RF-sputtering

  • Núñez-Cascajero, A.
  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Navío, C.
  • Monroy, E.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.
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Japanese Journal of Applied Physics - 2016

Editor: Japan Society of Applied Physics

10.7567/jjap.55.05fb07 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1347-4065

Development of ZnO:Al-based transparent contacts deposited at low-temperature by RF-sputtering on InN layers

  • Fernandez, S.
  • Naranjo, F. B.
  • de Abril, O.
  • Valdueza-Felip, S.;

Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1065-1069) - 1/3/2012

10.1002/pssc.201100146 Ver en origen

  • ISSN 18626351
  • ISSN/ISBN 1862-6351

Improved performance of SPR optical fiber sensors with InN as dielectric cover

  • Esteban, Ó.
  • Naranjo, F.B.
  • Díaz-Herrera, N.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Navarrete, M.C.
  • González Cano, A.

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering - 2011

10.1117/12.885081 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0277-786X

P-type doping of semipolar GaN(1122) by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

  • Das, A.
  • Lahourcade, L.
  • Pernot, J.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Ruterana, P.
  • Laufer, A.
  • Eickhoff, M.
  • Monroy, E.
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Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (p. 1913-1915) - 2010

10.1002/pssc.200983618 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1862-6351

Novel InN/InGaN multiple quantum well structures for slow-light generation at telecommunication wavelengths

  • Naranjo, F.B.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Lahourcade, L.
  • Calvo, V.
  • González-Herráez, M.
  • Martín-López, S.
  • Corredera, P.
  • Monroy, E.
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Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (p. 100-103) - 2010

Editor: Wiley-VCH Verlag

10.1002/pssc.200982628 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1610-1642

Performance improvement of AlN/GaN-based intersubband detectors thanks to quantum dot active regions

  • Hofstetter, D.
  • Di Francesco, J.
  • Baumann, E.
  • Giorgetta, F.R.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Das, A.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Monroy, E.
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Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering - 2010

10.1117/12.861569 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0277-786X

Characterization of the resonant third-order nonlinear susceptibility of Si-doped GaN/AlN quantum wells and quantum dots at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Tchernycheva, M.
  • Nevou, L.
  • Julián, F.H.
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Optics InfoBase Conference Papers - 2008

Editor: Optical Society of America

  • ISSN/ISBN 2162-2701

Novel nitride - Based materials for nonlinear optical signal processing applications at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S
  • Naranjo, FB
  • González-Herráez, M
  • Fernández, H
  • Solis, J
  • Fernández, S
  • Guillot, F
  • Monroy, E
  • Grandal, J
  • Sánchez-García, MA
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2007 Ieee International Symposium On Intelligent Signal Processing, Wisp (p. 1-6) - 1/12/2007

10.1109/wisp.2007.4447511 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781424408306

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Este/a investigador/a no tiene proyectos de investigación.

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 12/08/24 14:08