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Naranjo Vega, Fernando Bernabé

Electrónica / Universidad de Alcalá

Actividades

Neuronal Synchronization of Electrical Activity, Using the Hodgkin-Huxley Model and RCLSJ Circuit

  • José A Díaz
  • Oscar Téquita
  • Fernando Bernabé Naranjo Vega

Ingeniería y ciencia (p. 93-106) - 2016

Editor: Universidad EAFIT

10.17230/ingciencia.12.23.5 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1794-9165

Morphology and arrangement of InN nanocolumns deposited by radio-frequency sputtering: Effect of the buffer layer

  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Núñez-Cascajero, A.
  • Ruiz, A.
  • González-Herráez, M.
  • Monroy, E.
  • Naranjo, F.B.
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Journal of Crystal Growth (p. 13-18) - 2016

Editor: Elsevier

10.1016/j.jcrysgro.2015.10.016 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0022-0248

Molecular beam epitaxy growth and doping of III-nitrides on Si(111): layer morphology and doping

  • Calleja, E.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calle, F.
  • Naranjo, F.B.
  • Muñoz, E.
  • Jahn, U.
  • Ploog, K.
  • Sánchez, J.
  • Calleja, J.M.
  • Saarinen, K.
  • Hautojärvi, P.
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Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 2-8) - 22/5/2001

Editor: Elsevier BV

10.1016/s0921-5107(00)00721-2 Ver en origen

  • ISSN 09215107
  • ISSN/ISBN 0921-5107

MBE-grown high-quality (Al, Ga)N/GaN distributed Bragg reflectors for resonant cavity LEDs

  • Fernández, S.
  • Naranjo, F.B.
  • Calle, F.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
  • Vennegues, P.
  • Trampert, A.
  • Ploog, K.H.
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Semiconductor Science And Technology (p. 913-917) - 1/11/2001

10.1088/0268-1242/16/11/305 Ver en origen

  • ISSN 13616641
  • ISSN/ISBN 0268-1242

MBE growth of GaN and AlGaN layers on Si(111) substrates: doping effects

  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
  • Naranjo, F.B.
  • Sánchez, F.J.
  • Calle, F.
  • Muñoz, E.
  • Sánchez, A.M.
  • Pacheco, F.J.
  • Molina, S.I.
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Journal Of Crystal Growth (p. 415-418) - 1/1/1999

Editor: Elsevier Science B.V.

10.1016/s0022-0248(98)01365-7 Ver en origen

  • ISSN 00220248
  • ISSN/ISBN 0022-0248

Luminescence properties and defects in GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy

  • Calleja, E.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Sánchez, F.J.
  • Calle, F.
  • Naranjo, F.B.
  • Muñoz, E.
  • Jahn, U.
  • Ploog, K.
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Physical Review b (p. 16826-16834) - 15/12/2000

10.1103/physrevb.62.16826 Ver en origen

  • ISSN 01631829
  • ISSN/ISBN 0163-1829

Low-to-Mid Al Content (x = 0–0.56) AlxIn1−xN Layers Deposited on Si(100) by Radio-Frequency Sputtering

  • Blasco, R.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Montero, D.
  • Sun, M.
  • Olea, J.
  • Naranjo, F.B.

Physica Status Solidi (B) Basic Research - 2020

Editor: Wiley-VCH Verlag

10.1002/pssb.201900575 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1521-3951

Local vibrational modes of H complexes in Mg-doped GaN grown by molecular beam epitaxy

  • Cuscó, R.
  • Artús, L.
  • Pastor, D.
  • Naranjo, F.B.
  • Calleja, E.

Applied Physics Letters (p. 897-899) - 9/2/2004

10.1063/1.1645668 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Infrared photoluminescence of high In-content InN/InGaN multiple-quantum-wells

  • Valdueza-Felip, S.
  • Rigutti, L.
  • Naranjo, F.B.
  • Lacroix, B.
  • Fernández, S.
  • Ruterana, P.
  • Julien, F.H.
  • González-Herráez, M.
  • Monroy, E.
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Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science (p. 17-20) - 2012

10.1002/pssa.201100188 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1862-6300

Infrared SPR sensing with III-nitride dielectric layers

  • Núñez-Cascajero, A.
  • Estéban, Ó.
  • Méndez, J.A.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.

Sensors and Actuators, B: Chemical (p. 768-773) - 2016

Editor: Elsevier

10.1016/j.snb.2015.10.020 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0925-4005

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Sub-250 fs, 650 kW Peak Power Harmonic Mode-Locked Fiber Laser with InN-based SESAM

  • Gallazzi, F.
  • Jimenez-Rodriguez, M.
  • Monroy, E.
  • Corredera, P.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.
  • Ania-Castañón, J.D.
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European Conference on Optical Communication, ECOC (p. 1-3) - 2017

Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

10.1109/ecoc.2017.8345895 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781538656242

Sub-200 fs mode-locked fiber laser with InN-based SESAM

  • Jime´nez-Rodri´guez, M.
  • Gallazzi, F.
  • Ania-Castaño´n, J.D.
  • Monroy, E.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.

Optics InfoBase Conference Papers - 2017

Editor: OSA - The Optical Society

  • ISSN/ISBN 9781557528209

Study of high In-content AlInN deposition on p-Si(111) by RF-sputtering

  • Núñez-Cascajero, A.
  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Navío, C.
  • Monroy, E.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.
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Japanese Journal of Applied Physics - 2016

Editor: Japan Society of Applied Physics

10.7567/jjap.55.05fb07 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1347-4065

Study of absorption saturation in InN thin films through the Z-Scan technique at 1.55 μm

  • Jimenez-Rodriguez, M.
  • Monroy, L.
  • Nu´ñez-Cascajero, A.
  • Monroy, E.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.

Optics InfoBase Conference Papers - 2018

Editor: OSA - The Optical Society

10.1364/noma.2018.nom3j.2 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781557528209

Resonant Raman study of strain and composition in InGaN multiquantum wells

  • Lazić, S.
  • Calleja, J.M.
  • Naranjo, F.B.
  • Fernández, S.
  • Calleja, E.

Aip Conference Proceedings (p. 221-222) - 30/6/2005

10.1063/1.1994073 Ver en origen

  • ISSN 15517616
  • ISSN/ISBN 0094-243X

Resonant Raman scattering in strained and relaxed inxGa 1-xN/GaN multiple quantum wells

  • Lazić, S.
  • Calleja, J.M.
  • Naranjo, F.B.
  • Fernández, S.
  • Calleja, E.

Materials Science Forum (p. 19-24) - 1/1/2005

Editor: Trans Tech Publications Ltd

10.4028/0-87849-971-7.19 Ver en origen

  • ISSN 02555476
  • ISSN/ISBN 1662-9752

Plasma-assisted MBE growth of group-III nitrides: from basics to device applications

  • Sánchez-García, M.A.
  • Pau, J.L.
  • Naranjo, F.
  • Jiménez, A.
  • Fernández, S.
  • Ristic, J.
  • Calle, F.
  • Calleja, E.
  • Muñoz, E.
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Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 189-196) - 30/5/2002

10.1016/s0921-5107(02)00049-1 Ver en origen

  • ISSN 09215107
  • ISSN/ISBN 0921-5107

Physical properties of InN for optically controlling the speed of light

  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Monroy, E.

Optics InfoBase Conference Papers - 2007

Editor: Optical Society of America (OSA)

10.1364/ipnra.2007.jtua7 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 2162-2701

Novel photodetectors based on InGaN/GaN multiple quantum wells

  • Rivera, C.
  • Pau, J.L.
  • Naranjo, F.B.
  • Muñoz, E.

Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 2658-2662) - 1/1/2004

Editor: Wiley-VCH Verlag

10.1002/pssa.200405019 Ver en origen

  • ISSN 00318965
  • ISSN/ISBN 0031-8965

Novel nitride - Based materials for nonlinear optical signal processing applications at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Fernández, S.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Grandal, J.
  • Sánchez-García, M.A.
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2007 Ieee International Symposium On Intelligent Signal Processing, Wisp (p. 1-6) - 1/12/2007

10.1109/wisp.2007.4447511 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781424408306

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Este/a investigador/a no tiene proyectos de investigación.

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12