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Fernandez Garrido, Sergio sergio.fernandezga@upm.es

CIENCIA DE MATERIALES / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Sequential directional deposition of one-sided (In,Ga)N shells on GaN nanowires by molecular beam epitaxy

  • van Treeck, D
  • Lähnemann, J
  • Gao, GH
  • Garrido, SF
  • Brandt, O
  • Geelhaar, L

Apl Materials - 1/9/2023

10.1063/5.0168786 Ver en origen

  • ISSN 2166532X

X-ray scattering study of GaN nanowires grown on Ti/Al2O3 by molecular beam epitaxy

  • Kaganer VM
  • Konovalov OV
  • Calabrese G
  • van Treeck D
  • Kwasniewski A
  • Richter C
  • Fernández-Garrido S
  • Brandt O
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Journal Of Applied Crystallography (p. 439-448) - 9/3/2023

10.1107/s1600576723001486 Ver en origen

  • ISSN 00218898

Growth modes and chemical-phase separation in GaP1−xNx layers grown by chemical beam epitaxy on GaP/Si(001)

  • K Ben Saddik
  • S Fernández-Garrido
  • R Volkov
  • J Grandal
  • N Borgardt

Journal Of Applied Physics - 7/11/2023

10.1063/5.0173748 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Interface Recombination in Ga- and N-Polar GaN/(Al,Ga)N Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy

  • Auzelle, T.
  • Sinito, C.
  • Laehnemann, J.
  • Gao, G.
  • Flissikowski, T.
  • Trampert, A.
  • Fernandez-Garrido, S.
  • Brandt, O.;
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Physical Review Applied - 1/1/2022

10.1103/physrevapplied.17.044030 Ver en origen

  • ISSN 23317019

Cross-sectional shape evolution of GaN nanowires during molecular beam epitaxy growth on Si(111)

  • Volkov, Roman
  • Borgardt, Nikolai, I
  • Konovalov, Oleg, V
  • Fernandez-Garrido, Sergio
  • Brandt, Oliver
  • Kaganer, Vladimir M.;

Nanoscale Advances (p. 562-572) - 3/12/2021

10.1039/d1na00773d Ver en origen

  • ISSN 25160230

A growth diagram for chemical beam epitaxy of GaP1- xNxalloys on nominally (001)-oriented GaP-on-Si substrates

  • Ben Saddik K
  • García BJ
  • Fernández-Garrido S

Apl Materials - 1/12/2021

10.1063/5.0067209 Ver en origen

  • ISSN 2166532X

Growth of silicon- and carbon-doped GaAs by chemical beam epitaxy using H2-diluted DTBSi and CBr4 precursors

  • Ben Saddik K
  • Braña AF
  • López N
  • García BJ
  • Fernández-Garrido S

Journal Of Crystal Growth - 1/10/2021

10.1016/j.jcrysgro.2021.126242 Ver en origen

  • ISSN 00220248

External control of GaN band bending using phosphonate self-assembled monolayers

  • Auzelle, Thomas
  • Ullrich, Florian
  • Hietzschold, Sebastian
  • Sinito, Chiara
  • Brackmann, Stefan
  • Kowalsky, Wolfgang
  • Mankel, Eric
  • Brandt, Oliver
  • Lovrincic, Robert
  • Fernandez-Garrido, Sergio;
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Acs Applied Materials & Interfaces (p. 4626-4635) - 1/1/2021

10.1021/acsami.0c17519 Ver en origen

  • ISSN 19448244

Small-angle X-ray scattering from GaN nanowires on Si(111): facet truncation rods, facet roughness and Porod's law

  • Kaganer VM
  • Konovalov OV
  • Fernández-Garrido S

Acta Crystallographica A-Foundation And Advances (p. 42-53) - 1/1/2021

10.1107/s205327332001548x Ver en origen

  • ISSN 20532733

Enhanced Radiative Efficiency in GaN Nanowires Grown on Sputtered TiNx: Effects of Surface Electric Fields

  • Auzelle, Thomas
  • Azadmand, Mani
  • Flissikowski, Timur
  • Ramsteiner, Manfred
  • Morgenroth, Katrin
  • Stemmler, Carsten
  • Fernandez-Garrido, Sergio
  • Sanguinetti, Stefano
  • Grahn, Holger T.
  • Geelhaar, Lutz
  • Brandt, Oliver;
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Acs Photonics (p. 1718-1725) - 1/1/2021

10.1021/acsphotonics.1c00224 Ver en origen

  • ISSN 23304022

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

A comprehensive diagram to grow (0001)InGaN alloys by PA-MBE

  • Ž Gacevic
  • V J Gómez
  • N García-Lepetit
  • P E D Soto Rodríquez
  • A Bengoechea
  • S Fernández-Garrido
  • R Nötzel
  • E Calleja
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1/1/2012

  • iMarina

Control of the axial and lateral growth of self-induced GaN nanowires by molecular beam epitaxy

  • S Fernández-Garrido
  • T Gotschke
  • E Calleja
  • L Geelhaar
  • O Brandt

1/1/2012

  • iMarina

Electrical characterization of all-epitaxial Fe/GaN(0001) Schottky tunnel contacts

  • Fernandez-Garrido, Sergio
  • Ubben, Kai U.
  • Herfort, Jens
  • Gao, Cunxu
  • Brandt, Oliver;

Applied Physics Letters - 1/1/2012

10.1063/1.4737905 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Influence of substrate polarity on the synthesis of self-induced GaN nanowires by molecular beam epitaxy

  • S Fernández-Garrido
  • X Kong
  • C Hauswald
  • T Gotschke
  • R Calarco
  • L Geelhaar
  • A Trampert
  • O Brandt
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1/1/2012

  • iMarina

Properties of (In,Ga)N/GaN single quantum wells on defect-free micro-crystals obtained by molecular beam epitaxial overgrowth of GaN nanowires on Si(111)

  • P Dogan
  • S Fernández-Garrido
  • O Brandt
  • J L Lahnemann
  • R Calarco
  • A Trampert
  • L Geelhaar
  • H Riechert
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1/1/2012

  • iMarina

Role of crystal polarity and substrate defects in the spontaneous formation of GaN nanowires

  • S Fernández-Garrido
  • X Kong
  • C Hauswald
  • T Gotschke
  • R Calarco
  • L Geelhaar
  • A Trampert
  • O Brandt
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1/1/2012

  • iMarina

Structural properties of InAlN single layers nearly latice-matched to GaN grown by plasma assisted molecular beal epitaxy

  • Ž Gacevic
  • S Fernández-Garrido
  • E Calleja
  • D Hosseini
  • S Estradé
  • F Peiró

Proceedings (p. 0-0) - 20/3/2011

  • iMarina

(V)EELS Characterization of InAlN/GaN Distributed Bragg Reflectors

  • Eljarrat, A.
  • Gacevic, Z.
  • Fernandez-Garrido, S.
  • Calleja, E.
  • Magen, C.
  • Estrade, S.
  • Peiro, F.;
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Journal Of Physics: Conference Series (p. 012014-012014) - 1/1/2011

10.1088/1742-6596/326/1/012014 Ver en origen

  • ISSN 17426588

Selective area growth of GaN nanocolumns by rf-plasma assited MBE

  • A Bengoechea
  • J Grandal
  • S Fernández-Garrido
  • M A Sánchez-García
  • F Barbagini
  • P Lefebvre
  • E Calleja
  • E Luna
  • A Trampert
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22/8/2010

  • iMarina

GaN nanocolumns grown on Si(111) by plasma-assisted MBE: Correlation of structural and optical properties with growth parameters

  • S Fernández-Garrido
  • J Grandal
  • P Lefebvre
  • M A Sánchez-García
  • E Calleja

1/1/2010

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Nueva Generación de emisores de Fotones Individuales para Telecomunicaciones

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • ABUIN HERRAEZ, MANUEL (Miembro del equipo de trabajo)
  • SCHWARZ, MALTE DANIEL (Miembro del equipo de trabajo)
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Ejecución: 01-09-2023 - 31-08-2026

Tipo: Nacional

  • iMarina

European Network for Innovative and Advanced Epitaxy

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))

Ejecución: 19-04-2023 - 21-04-2023

Importe financiado: 500000,00 Euros.

  • iMarina

Quantum-engineered lattice-matched III-V-on-Si multijunction solar cells

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Autor o Coautor)
  • Sergio Fernández Garrido (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-12-2023 - 30-11-2028

  • iMarina

Quantum-engineered lattice-matched III-V-on-Si multijunction solar cells (ERC-CoG, MIRACLE 101087086)

  • Sergio Fernández Garrido (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2023 - 01-01-2027

  • iMarina

Subvención para la contratación de Ayudante de Investigación

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador/a)

Ejecución: 01-09-2022 - 31-08-2024

  • iMarina

Los puntos cuánticos semiconductores III-V como emisores de fotones individuales para comunicaciones cuánticas (FOTONGUN, M190020074ZG)

  • Zarko Gacevic (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador/a)

Ejecución: 01-07-2022 - 30-06-2024

  • iMarina

Proyecto coordinado de Comunicaciones Cuánticas: Comunidad de Madrid (C220920B050)

  • Zarko Gacevic (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador/a)

Ejecución: 19-11-2022 - 31-03-2025

  • iMarina

PRTR. Comunicaciones cuánticas

  • BOSCA MOJENA, ALBERTO (Participante)
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
  • GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Participante)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • FABA GARCIA, JAVIER (Participante)
  • Martin Ayuso, Vicente (Investigador principal (IP))
  • Gacevic, Zarko (Investigador principal (IP))
  • BRITO MENDEZ, RUBEN DAVID (Participante)
  • VICENTE GARCIA, RAFAEL JUAN (Participante)
  • SEBASTIAN LOMBRAÑA, ALBERTO JUAN (Participante)
  • ROSALES BEJARANO, JOSE LUIS (Participante)
  • SAEZ DE BURUAGA BROUNS, JAIME (Participante)
  • GARCIA-ARISCO RIVERA, JESUS (Participante)
  • OBRADOVIC, JOVANA (Participante)
  • MACIAS DIAZ, CARLOS (Participante)
  • BRITO MENDEZ, JUAN PEDRO (Participante)
  • RIVERO CARRUIDO, ELIRAM ANDREINA (Participante)
  • HERGUETA SOTO, DAVID (Participante)
  • ORTIZ MARTIN, LAURA (Participante)
  • PEDROS AYALA, JORGE (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
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Ejecución: 01-01-2022 - 31-12-2024

Tipo: Regional

  • iMarina

European Network for Innovative and Advanced Epitaxy (CA20116)

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Coordinador/a)

Ejecución: 27-09-2021 - 26-09-2025

Importe financiado: 500000,00 Euros.

  • iMarina

Ingeniería cuántica para la integración de células solares III-V sobre silicio (PID2020-114280RB-I00)

  • Sergio Fernández Garrido
  • Basilio Javier García Carretero (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador/a)

Ejecución: 01-09-2021 - 31-08-2025

  • iMarina

Growth of GaN nanowire ensembles in molecular beam epitaxy: overcoming the limitations of their spontaneous formation

  • Henning Riechert (Official supervisor) (Codirector)
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Director) Doctorando: Johannes K. Zettler

30/4/2015

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 28/08/24 17:31