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Fernandez Garrido, Sergio sergio.fernandezga@upm.es

CIENCIA DE MATERIALES / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

External control of GaN band bending using phosphonate self-assembled monolayers

  • Auzelle T
  • Ullrich F
  • Hietzschold S
  • Sinito C
  • Brackmann S
  • Kowalsky W
  • Mankel E
  • Brandt O
  • Lovrincic R
  • Fernández-Garrido S
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Acs Applied Materials & Interfaces (p. 4626-4635) - 1/1/2021

10.1021/acsami.0c17519 Ver en origen

  • ISSN 19448244

Small-angle X-ray scattering from GaN nanowires on Si(111): facet truncation rods, facet roughness and Porod's law

  • Kaganer VM
  • Konovalov OV
  • Fernández-Garrido S

Acta Crystallographica A-Foundation And Advances (p. 42-53) - 1/1/2021

10.1107/s205327332001548x

  • ISSN 20532733
  • iMarina

A growth diagram for chemical beam epitaxy of GaP1- xNxalloys on nominally (001)-oriented GaP-on-Si substrates

  • Ben Saddik K
  • García BJ
  • Fernández-Garrido S

Apl Materials - 1/12/2021

10.1063/5.0067209 Ver en origen

  • ISSN 2166532X

A comprehensive diagram to grow InAlN alloys by plasma-assisted molecular beam epitaxy

  • Fernandez-Garrido, S.
  • Gacevic, Z.
  • Calleja, E.;

Applied Physics Letters - 21/11/2008

10.1063/1.3026541 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Monitoring the formation of GaN nanowires in molecular beam epitaxy by polarization-resolved optical reflectometry

  • P. Corfdir
  • G. Calabrese
  • A. Laha
  • T. Auzelle
  • L. Geelhaar
  • O. Brandt
  • S. Fernández-Garrido
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Crystengcomm (p. 3202-3206) - 1/1/2018

10.1039/c8ce00431e Ver en origen

  • ISSN 14668033

X-ray scattering study of GaN nanowires grown on Ti/Al2O3 by molecular beam epitaxy

  • Kaganer VM
  • Konovalov OV
  • Calabrese G
  • van Treeck D
  • Kwasniewski A
  • Richter C
  • Fernández-Garrido S
  • Brandt O
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Journal Of Applied Crystallography (p. 439-448) - 9/3/2023

10.1107/s1600576723001486 Ver en origen

  • ISSN 00218898

In situ GaN decomposition analysis by quadrupole mass spectrometry and reflection high-energy electron diffraction

  • S Fernández-Garrido
  • G Koblmüller
  • E Calleja
  • J S Speck

Journal Of Applied Physics - 25/8/2008

10.1063/1.2968442 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Optoelectronic properties of InAlN/GaN distributed bragg reflector heterostructure examined by valence electron energy loss spectroscopy

  • Eljarrat A, Estradé S, Ga?evi? Z, Fernández-Garrido S, Calleja E, Magén C, Peiró F

Microscopy And Microanalysis (p. 1143-54) - 1/10/2012

10.1017/s1431927612001328

  • ISSN 14319276
  • iMarina

Insight into the compositional and structural nano features of AlN/GaN DBRs by HAADF

  • Eljarrat, Alberto
  • Lopez-Conesa, Lluis
  • Magen, Cesar
  • Gacevic, Zarko
  • Fernandez-Garrido, Sergio
  • Calleja, Enrique
  • Estrade, Sonia
  • Peiro, Francesca
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Microscopy And Microanalysis (p. 698-705) - 1/4/2013

10.1017/s1431927613000512 Ver en origen

  • ISSN 14319276

Erratum: Correction to Absence of Quantum-Confined Stark Effect in GaN Quantum Disks Embedded in (Al,Ga)N Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy (Nano letters (2019) 19 9 (5938-5948))

  • Sinito, C.
  • Corfdir, P.
  • Pfüller, C.
  • Gao, G.
  • Bartolomé, J.
  • Kölling, S.
  • Doblado, ARodil
  • Jahn, U.
  • Lähnemann, J.
  • Auzelle, T.
  • Zettler, JK.
  • Flissikowski, T.
  • Koenraad, P.
  • Grahn, HT.
  • Geelhaar, L.
  • Fernández-Garrido, S.
  • Brandt, O.
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NANO LETTERS (p. 6930-6930) - 9/9/2020

10.1021/acs.nanolett.0c02938 Ver en origen

  • ISSN 15306984

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Luminescence properties of GaP1-xNxalloys grown on nominally (001)-oriented GaP-on-Si substrates by chemical beam epitaxy

  • Ben Saddik, K.
  • Alamo, P.
  • Lahnemann, J.
  • Volkov, R.
  • Borgardt, N.I.
  • Flissikowski, T.
  • Brandt, O.
  • Garcia, B.J.
  • Fernandez-Garrido, S.
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2022 Compound Semiconductor Week, Csw 2022 (p. 1-2) - 1/1/2022

10.1109/csw55288.2022.9930454 Ver en origen

(V)EELS Characterization of InAlN/GaN Distributed Bragg Reflectors

  • A Eljarrat
  • Ž Ga?evi?
  • S Fernández-Garrido
  • E Calleja
  • C Magén
  • S Estradé
  • F Peiró
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Journal Of Physics: Conference Series (p. 012014-012014) - 1/1/2011

10.1088/1742-6596/326/1/012014 Ver en origen

  • ISSN 17426588

Correlating composition and luminescence variations in III-nitride semiconductor alloys

  • P R Edwards
  • R W Martin
  • K Bejtka
  • K P O´Donnell
  • S Fernández-Garrido
  • E Calleja

Microscopy And Microanalysis (p. 762-763) - 1/8/2008

10.1017/s1431927608087576 Ver en origen

  • ISSN 14319276

Enhanced radiative efficiency in GaN nanowires grown on sputtered TiNx

  • T Auzelle
  • M Azadmand
  • T Flissikowski
  • M Ramsteiner
  • K Morgenroth
  • C Stemmler
  • S Fernández-Garrido
  • S Sanguinetti
  • H T Grahn
  • L Geelhaar
  • O Brandt
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Nanowire Week 2022 (Chamonix. Francia. 2022) - 1/1/2022

  • iMarina

Growth and characterization of lattice-matched InAlN/GaN Bragg reflectors grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

  • Ž Ga?evi?
  • S Fernández?Garrido
  • E Calleja
  • E Luna
  • A Trampert

Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. S643-S645) - 1/7/2009

10.1002/pssc.200880833 Ver en origen

  • ISSN 18626351

Hybrid MBE/MOVPE grown III-nitride microcavity

  • M. Glauser
  • J. Levrat
  • G. Rossbach
  • et al
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-3) - 14/10/2012

  • iMarina

EELS-HAADF combination for characterization of a new AlN/GaN DBRs growth method

  • S Fernández-Garrido
  • L López-Conesa
  • et al
  • A Eljarrat
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-3) - 16/9/2012

  • iMarina

Structural properties of InAlN single layers nearly latice-matched to GaN grown by plasma assisted molecular beal epitaxy

  • S. Estradé
  • F. Peiró
  • D. Hosseini,
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-0) - 20/3/2011

  • iMarina

Chemical beam epitaxy of GaP1-xNx for the integration of III-V solar cells and light-emitting devices on Si(001)

  • K Ben Saddik
  • J Grandal
  • B Javier García
  • S Fernández Garrido

1/1/2021

  • iMarina

Chemical beam epitaxy of GaP1-xNx alloys and GaP1-xNx/GaP1-yAsy short-period superlattices on nominally (001)-oriented GaP-on-Si substrates

  • K Ben Saddik
  • R Volkov
  • J Lähnemann
  • J Grandal
  • N I Borgardt
  • B J García
  • S Fernández Garrido
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1/1/2021

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Quantum optical information technology (QOIT-Consolider ingenio 2010: CSD2006-00019)

  • Enrique Calleja Pardo (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2006 - 01-01-2011

Tipo: Nacional

  • iMarina

Nanoestructuras de semiconductores como componentes para la información cuántica (NAN2004-09109-C04-02/)

  • Enrique Calleja Pardo (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador/a)

Ejecución: 31-12-2005 - 31-12-2008

Tipo: Nacional

Importe financiado: 264500,00 Euros.

  • iMarina

Desarrollo de Dispositivos Emisores y Detectores en el rango Ultravioleta para Aplicaciones en Comunicaciones, Generación de Luz Blanca, Detección de Contaminación y Bio-Fotónica (MAT2004-02875 Y MAT2004-02875_ADICIONAL)

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador/a)

Ejecución: 13-12-2004 - 13-12-2007

Tipo: Nacional

Importe financiado: 240000,00 Euros.

  • iMarina

Ayuda para la realización de trabajo fin de máster

  • Sergio Fernández Garrido (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)

Ejecución: Desde 01-01-2018

  • iMarina

Desarrollo de Micro y Nanocavidades incluyendo regiones activas de Puntos Cuánticos de Nitruros-III: Aplicaciones a emisores de luz en azul y UV (QUADONIC)

  • Enrique Calleja Pardo (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2009 - 01-01-2011

Tipo: Nacional

Importe financiado: 121000,00 Euros.

  • iMarina

Integración de Semiconductores III-V sobre SI para aplicaciones electrónicas y fotovoltaicas

  • Cervera Goy, Manuel (Investigador/a)
  • Garcia Carretero, Basilio Javier (Investigador principal (IP))
  • Lopez Martinez, Nair (Investigador/a)
  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador/a)
  • Hernandez Muñoz, Maria Jesus (Investigador/a)

Ejecución: 30-12-2016 - 29-12-2019

Tipo: Nacional

Importe financiado: 205700,00 Euros.

  • iMarina

Direct growth of single-crystalline semiconductors on poly-crystalline metallic films and foils

  • Lutz Geelhaar (Investigador principal (IP))
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2013 - 30-09-2016

  • iMarina

Desarrollo de nanoestructuras semiconductoras basadas en nitruros-III para la fabricación de dispositivos multifuncionales

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2004 - 01-01-2006

Tipo: Nacional

Importe financiado: 146425,00 Euros.

  • iMarina

Growth of GaN nanowire ensembles in molecular beam epitaxy: overcoming the limitations of their spontaneous formation

  • Henning Riechert (Official supervisor) (Codirector)
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Director) Doctorando: Johannes K. Zettler

30/4/2015

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 18/03/24 17:44