Fernandez Garrido, Sergio sergio.fernandezga@upm.es

Actividades

A comprehensive diagram to grow InAlN alloys by plasma-assisted molecular beam epitaxy

  • Fernandez-Garrido, S.
  • Gacevic, Z.
  • Calleja, E.;

Applied Physics Letters - 21/11/2008

10.1063/1.3026541 Ver en origen

  • ISSN 00036951

A growth diagram for chemical beam epitaxy of GaP1- xNxalloys on nominally (001)-oriented GaP-on-Si substrates

  • Ben Saddik K
  • García BJ
  • Fernández-Garrido S

Apl Materials - 1/12/2021

10.1063/5.0067209 Ver en origen

  • ISSN 2166532X

Absence of Quantum-Confined Stark Effect in GaN Quantum Disks Embedded in (Al,Ga)N Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy

  • Sinito C
  • Corfdir P
  • Pfüller C
  • Gao G
  • Bartolomé J
  • Kölling S
  • Rodil Doblado A
  • Jahn U
  • Lähnemann J
  • Auzelle T
  • Zettler JK
  • Flissikowski T
  • Koenraad P
  • Grahn HT
  • Geelhaar L
  • Fernández-Garrido S
  • Brandt O
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Nano Letters (p. 5938-5948) - 11/9/2019

10.1021/acs.nanolett.9b01521 Ver en origen

  • ISSN 15306984

Coalescence, crystallographic orientation and luminescence of ZnO nanowires grown on Si(001) by chemical vapour transport

  • Fernández-Garrido S
  • Pisador C
  • Lähnemann J
  • Lazić S
  • Ruiz A
  • Redondo-Cubero A

Nanotechnology (p. 475603-475603) - 20/11/2020

10.1088/1361-6528/abadc8 Ver en origen

  • ISSN 09574484

Columnar AlGaN/GaN nanocavities with AlN/GaN Bragg reflectors grown by molecular beam epitaxy on Si(111)

  • Risti? J, Calleja E, Trampert A, Fernández-Garrido S, Rivera C, Jahn U, Ploog KH

Physical Review Letters (p. 146102-146102) - 15/4/2005

10.1103/physrevlett.94.146102

  • ISSN 00319007
  • iMarina

Compatibility of the selective area growth of GaN nanowires on AlN-buffered Si substrates with the operation of light emitting diodes

  • Musolino M
  • Tahraoui A
  • Fernández-Garrido S
  • Brandt O
  • Trampert A
  • Geelhaar L
  • Riechert H
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Nanotechnology (p. 085605-085605) - 1/1/2015

10.1088/0957-4484/26/8/085605

  • ISSN 09574484
  • iMarina

Comprehensive analysis of the self-assembled formation of GaN nanowires on amorphous Al <sub>x</sub> O <sub>y</sub> : in situ quadrupole mass spectrometry studies

  • Sobanska M
  • Zytkiewicz ZR
  • Calabrese G
  • Geelhaar L
  • Fernández-Garrido S

Nanotechnology (p. 154002-154002) - 1/1/2019

  • ISSN 09574484
  • iMarina

Comprehensive analysis of the self-assembled formation of GaN nanowires on amorphous Al<i> <sub>x</sub> </i>O<i> <sub>y</sub> </i>: <i>in situ</i> quadrupole mass spectrometry studies

  • Sobanska, M
  • Zytkiewicz, Z R
  • Calabrese, G
  • Geelhaar, L
  • Fernández-Garrido, S

Nanotechnology - 14/1/2019

10.1088/1361-6528/aafe17 Ver en origen

  • ISSN 09574484

Correlation between the structural and optical properties of spontaneously formed GaN nanowires: a quantitative evaluation of the impact of nanowire coalescence

  • Fernández-Garrido S
  • Kaganer VM
  • Hauswald C
  • Jenichen B
  • Ramsteiner M
  • Consonni V
  • Geelhaar L
  • Brandt O
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Nanotechnology (p. 455702-455702) - 1/1/2014

10.1088/0957-4484/25/45/455702

  • ISSN 09574484
  • iMarina

Cross-sectional shape evolution of GaN nanowires during molecular beam epitaxy growth on Si(111)

  • Volkov, Roman
  • Borgardt, Nikolai I.
  • Konovalov, Oleg V.
  • Fernández-Garrido, Sergio
  • Brandt, Oliver
  • Kaganer, Vladimir M.

Nanoscale Advances (p. 562-572) - 3/12/2021

10.1039/d1na00773d Ver en origen

  • ISSN 25160230

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Control of interfacial reactions during the molecular beam epitaxy of GaN nanowires on Ti layers sputtered on Al2O3(0001)

  • G Calabrese
  • D van Treeck
  • G Gao
  • P Corfdir
  • C Sinito
  • A Trampert
  • O Brandt
  • L Geelhaar
  • S Fernández Garrido
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1/1/2018

  • iMarina

Control of the axial and lateral growth of self-induced GaN nanowires by molecular beam epitaxy

  • S Fernández-Garrido
  • T Gotschke
  • E Calleja
  • L Geelhaar
  • O Brandt

1/1/2012

  • iMarina

Correlating Composition and Luminescence Variations in AlInGaN epilayers

  • R W Martin
  • P R Edwards
  • K Bejtka
  • K P O´Donnell
  • S Fernández-Garrido
  • E Calleja

1/1/2008

  • iMarina

Correlating composition and luminescence variations in III-nitride semiconductor alloys

  • P R Edwards
  • R W Martin
  • K Bejtka
  • K P O´Donnell
  • S Fernández-Garrido
  • E Calleja

Microscopy And Microanalysis (p. 762-763) - 1/8/2008

10.1017/s1431927608087576 Ver en origen

  • ISSN 14319276

Crystal-phase quantum disks and quantum dots in GaN nanowires

  • P Corfdir
  • C Hauswald
  • J K Zettler
  • O Marquardt
  • T Flissikowski
  • S Fernández-Garrido
  • L Geelhaar
  • H T Grahn
  • O Brandt
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1/1/2015

  • iMarina

Crystal-phase quantum wires in GaN nanowires: 1D heterostructures with atomically flat interfaces

  • P Corfdir
  • D van Treeck
  • T Flissikowski
  • J K Zettler
  • S Fernández Garrido
  • H T Grahn
  • O Brandt
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1/1/2017

  • iMarina

Current status and further challenge in MBE growth of lattice-matched InAlN/GaN bragg reflectors

  • Ž Gacevic
  • S Fernández-Garrido
  • E Calleja

1/1/2009

  • iMarina

Directly sputtered refractory TiNx films as substrates for high-quality GaN and AlN nanowire ensembles

  • T Auzelle
  • M Azadmand
  • J Lähnemann
  • T Flissikowski
  • M Ramsteiner
  • K Morgenroth
  • C Stemmler
  • S Fernández Garrido
  • S Sanguinetti
  • H T Grahn
  • L Geelhaar
  • O Brandt
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1/1/2019

  • iMarina

Directly sputtered refractory TiNx films as substrates for high-quality GaN nanowires

  • T Auzelle
  • M Azadmand
  • T Flissikowski
  • M Ramsteiner
  • K Morgenroth
  • C Stemmler
  • S Fernández Garrido
  • S Sanguinetti
  • H T Grahn
  • L Geelhaar
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1/1/2019

  • iMarina

EELS-HAADF combination for characterization of a new AlN/GaN DBRs growth method

  • S Fernández-Garrido
  • L López-Conesa
  • et al
  • A Eljarrat
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-3) - 16/9/2012

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Ayuda para la realización de trabajo fin de máster

  • Sergio Fernández Garrido (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)

Ejecución: Desde 01-01-2018

  • iMarina

Ayuda para la realización de trabajo fin de máster

  • Sergio Fernández Garrido (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)

Ejecución: Desde 01-01-2020

  • iMarina

Charge and Energy Transfer at Hybrid Inorganic/Organic Semiconductor Interfaces

  • Sergio Fernández Garrido (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))

Ejecución: 25-11-2015 - 24-11-2018

Tipo: Nacional

Importe financiado: 435000,00 Euros.

  • iMarina

Células Solares de heterounión InGaN y alta eficiencia crecidas por MBE

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • NANISHI ., YASUSHI (Participante)
  • ARTUS SURROCA, LLUIS (Participante)
  • Calleja Pardo, Jose Manuel (Participante)
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-11-2009 - 01-11-2012

Tipo: Nacional

Importe financiado: 40000,00 Euros.

  • iMarina

Desarrollo de Dispositivos Emisores y Detectores en el rango Ultravioleta para Aplicaciones en Comunicaciones, Generación de Luz Blanca, Detección de Contaminación y Bio-Fotónica (MAT2004-02875 Y MAT2004-02875_ADICIONAL)

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador/a)

Ejecución: 13-12-2004 - 13-12-2007

Tipo: Nacional

Importe financiado: 240000,00 Euros.

  • iMarina

Desarrollo de Micro y Nanocavidades incluyendo regiones activas de Puntos Cuánticos de Nitruros-III: Aplicaciones a emisores de luz en azul y UV (QUADONIC)

  • Enrique Calleja Pardo (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2009 - 01-01-2011

Tipo: Nacional

Importe financiado: 121000,00 Euros.

  • iMarina

Desarrollo de Micro y Nanocavidades incluyendo regiones activas de puntos cuánticos de Nitruros-III: Aplicaciones a emisiones de luz en azul y UV.

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • JAN ., UWE (Participante)
  • TRAMPET ., ACHIM (Participante)
  • LEFREBVE ., PIERRE (Participante)
  • RISTIC ., JELENA (Participante)
  • GRANJEAN ., NICOLAS (Participante)
  • DAUDIN ., BRUNO (Participante)
  • RODRIGUEZ CANTO, PEDRO (Participante)
  • GODIGNON ., PHILIP (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • UTRERA LÓPEZ, MARÍA (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011

Tipo: Nacional

  • iMarina

Desarrollo de nanoestructuras semiconductoras basadas en nitruros-III para la fabricación de dispositivos multifuncionales

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2004 - 01-01-2006

Tipo: Nacional

Importe financiado: 146425,00 Euros.

  • iMarina

Direct growth of single-crystalline semiconductors on poly-crystalline metallic films and foils

  • Lutz Geelhaar (Investigador principal (IP))
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2013 - 30-09-2016

  • iMarina

European Network for Innovative and Advanced Epitaxy

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))

Ejecución: 19-04-2023 - 21-04-2023

Importe financiado: 500000,00 Euros.

  • iMarina

Growth of GaN nanowire ensembles in molecular beam epitaxy: overcoming the limitations of their spontaneous formation

  • Henning Riechert (Official supervisor) (Codirector)
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Director) Doctorando: Johannes K. Zettler

30/4/2015

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 18/03/24 17:44