Feijoo Guerro, Pedro Carlos pc.feijoo@upm.es
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Nitridation of Si by N2 electron cyclotron resonance plasma and integration with ScOx deposition
- Feijoo P
- Del Prado A
- Toledano-Luque M
- San Andŕs E
- Lucía M
Journal Of The Electrochemical Society - 26/3/2010
10.1149/1.3301726 Ver en origen
- ISSN 00134651
Scandium oxide deposited by high-pressure sputtering for memory devices: Physical and interfacial properties
- Feijoo P
- Del Prado A
- Toledano-Luque M
- San Andŕs E
- Lucía M
Journal Of Applied Physics - 15/4/2010
10.1063/1.3354096 Ver en origen
- ISSN 00218979
Electrical characterization of high-pressure reactive sputtered ScO x films on silicon
- LUIS BAILON
- HELENA CASTAN
- SALVADOR DUEÑAS
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- HECTOR GARCIA
- ALFONSO GOMEZ
- MARIA LUISA LUCIA MULAS
- ALVARO DEL PRADO MILLAN
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
- MARIA TOLEDANO LUQUE
Thin Solid Films (p. 2268-2272) - 31/1/2011
10.1016/j.tsf.2010.10.073 Ver en origen
- ISSN 00406090
- iMarina
- iMarina
Anomalous thermal oxidation of gadolinium thin films deposited on silicon by high pressure sputtering
- Pampillon, M. A.
- Feijoo, P. C.
- San Andres, E.
- Lucia, M. L.
- del Prado, A.
- Toledano-Luque, M.;
Microelectronic Engineering (p. 2991-2996) - 1/9/2011
10.1016/j.mee.2011.04.058 Ver en origen
- ISSN 01679317
Optimization of scandium oxide growth by high pressure sputtering on silicon
- Feijoo, P. C.
- Pampillon, M. A.
- San Andres, E.
- Lucia, M. L.;
Thin Solid Films (p. 81-86) - 30/12/2012
10.1016/j.tsf.2012.11.008 Ver en origen
- ISSN 00406090
Time-dependent dielectric breakdown on subnanometer EOT nMOS FinFETs
- Feijoo P
- Kauerauf T
- Toledano-Luque M
- Togo M
- San Andrés E
- Groeseneken G
Ieee Transactions On Device And Materials Reliability (p. 166-170) - 1/3/2012
10.1109/tdmr.2011.2180387 Ver en origen
- ISSN 15304388
Interface quality of Sc2O3 and Gd2O3 films based metal-insulator-silicon structures using Al, Pt, and Ti gates: Effect of buffer layers and scavenging electrodes
- Gomez, Alfonso
- Castan, Helena
- Garcia, Hector
- Duenas, Salvador
- Bailon, Luis
- Angela Pampillon, Maria
- Carlos Feijoo, Pedro
- San Andres, Enrique;
Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013
10.1116/1.4768678 Ver en origen
- ISSN 21662746
High pressure sputtering as a viable technique for future high permittivity dielectric on III-V integration: GdOx on InP demonstration
- Angela Pampillon, Maria
- Canadilla, Carmina
- Carlos Feijoo, Pedro
- San Andres, Enrique
- del Prado, Alvaro;
Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013
10.1116/1.4771970 Ver en origen
- ISSN 21662746
Optimization of in situ plasma oxidation of metallic gadolinium thin films deposited by high pressure sputtering on silicon
- Angela Pampillon, Maria
- Carlos Feijoo, Pedro
- San Andres, Enrique
- Luisa Lucia, Maria;
Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013
10.1116/1.4769893 Ver en origen
- ISSN 21662746
Optimization of gadolinium oxide growth deposited on Si by high pressure sputtering
- Carlos Feijoo, Pedro
- Angela Pampillon, Maria
- San Andres, Enrique;
Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013
10.1116/1.4766184 Ver en origen
- ISSN 21662746
Este/a investigador/a no tiene libros.
Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.
Growth of silicon nitride on silicon by electron cyclotron resonance plasma nitridation
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- MARIA LUISA LUCIA MULAS
- ALVARO DEL PRADO MILLAN
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
- MARIA TOLEDANO LUQUE
Proceedings Of The 2009 Spanish Conference On Electron Devices, Cde'09 (p. 16-18) - 24/4/2009
10.1109/sced.2009.4800418 Ver en origen
- iMarina
- iMarina
Interfacial properties of HfO2/SiN/Si gate structures
- AITZANE AMEZAGA
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- MARIA LUISA LUCIA MULAS
- ALVARO DEL PRADO MILLAN
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
- MARIA TOLEDANO LUQUE
Proceedings Of The 2009 Spanish Conference On Electron Devices, Cde'09 (p. 23-26) - 24/4/2009
10.1109/sced.2009.4800420 Ver en origen
- iMarina
- iMarina
Electrical characterization of high-pressure reactive sputtered Sc 2O3 films on silicon
- Castán H
- Dueñas S
- Gómez A
- García H
- Bailón L
- Feijoo PC
- Toledano-Luque M
- Del Prado A
- San Andrés E
- Lucía ML
Ecs Transactions (p. 287-297) - 1/1/2010
10.1149/1.3375614 Ver en origen
- ISSN 19386737
Growth of Gadolinium Oxide by Thermal Oxidation of Thin Metallic Gadolinium Layers
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- MARIA LUISA LUCIA MULAS
- MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
- ALVARO DEL PRADO MILLAN
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
- MARIA TOLEDANO LUQUE
17/3/2010
- iMarina
Positive bias temperature instabilities on sub-nanometere EOT FinFETs
- Feijoo PC
- Cho M
- Togo M
- San Andrés E
- Groeseneken G
Microelectronics Reliability (p. 1521-1524) - 3/10/2011
10.1016/j.microrel.2011.06.014 Ver en origen
- ISSN 00262714
- iMarina
- iMarina
Interface engineering by metal electrode scavenging of Gd2O 3 films sputtered on Si
- ANTONIO JOSE BLAZQUEZ FERNANDEZ
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- MARIA LUISA LUCIA MULAS
- MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
- ALVARO DEL PRADO MILLAN
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
- MARIA TOLEDANO LUQUE
Proceedings Of The 8th Spanish Conference On Electron Devices, Cde'2011 - 12/5/2011
10.1109/sced.2011.5744216 Ver en origen
- iMarina
- iMarina
Electrical and chemical characterization of high pressure sputtered scandium oxide for memory applications
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- JOSE LUIS GARCIA FIERRO
- MARIA LUISA LUCIA MULAS
- ALVARO DEL PRADO MILLAN
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
- MARIA TOLEDANO LUQUE
Proceedings Of The 8th Spanish Conference On Electron Devices, Cde'2011 - 12/5/2011
10.1109/sced.2011.5744185 Ver en origen
- iMarina
- iMarina
Towards metal electrode interface scavenging of rare-earth scandates: A Sc2O3 and Gd2O3 study
- ANTONIO JOSE BLAZQUEZ FERNANDEZ
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- MARIA LUISA LUCIA MULAS
- MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
- ALVARO DEL PRADO MILLAN
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
- MARIA TOLEDANO LUQUE
Microelectronic Engineering (p. 1357-1360) - 1/7/2011
10.1016/j.mee.2011.03.025 Ver en origen
- ISSN 01679317
- iMarina
- iMarina
Optimization of Gadolinium Oxide Growth Deposited by High Pressure Sputtering through Scavenging Techniques
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
25/6/2012
- iMarina
High pressure sputtering as a viable technique for future high k on III-V integration: Gd2O3 on InP demonstration.
- CARMINA CAÑADILLA SOTO
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
- ALVARO DEL PRADO MILLAN
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
25/6/2012
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Nueva generación de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en la puerta de transistores de utilidad en radiofrecuencia
- Ignacio Mártil de la Plaza (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2007 - 31-12-2010
- iMarina
Medida a temperatura variable de estructuras de puerta de transistores con dieléctricos de alta permitividad
- Germán González Díaz (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2008 - 31-12-2008
- iMarina
Fabricación de dispositivos de efecto campo con dieléctrico de alta permitividad sobre Si y semiconductores III-V para el nodo de 22 nm
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 213444,00 Euros.
- iMarina
Dispositivos electrónicos de baja dimensionalidad para aplicaciones de radiofrecuencia y digitales: simulación y desarrollo de software
- Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015
Tipo: Nacional
Importe financiado: 123201,00 Euros.
- iMarina
Graphene-Based Revolutions in ICT And Beyond
- David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-10-2013 - 31-12-2015
Importe financiado: 475618,00 Euros.
- iMarina
Grup de Recerca Consolidat
- Xavier Aymerich (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2018
Importe financiado: 30000,00 Euros.
- iMarina
Transporte de electrones y fonones en nanodispositivos para aplicaciones de bajo y cero consumo (ELEPHONT)
- Xavier Cartoixà Soler
- Xavier Oriols Pladevall (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018
Tipo: Nacional
Importe financiado: 116900,00 Euros.
- iMarina
Graphene-based disruptive technologies (Grephane Core 1)
- David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018
Importe financiado: 490000,00 Euros.
- iMarina
Graphene-Based Disruptive Technologies (Graphene Core 2)
- David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-04-2018 - 31-03-2020
Importe financiado: 400000,00 Euros.
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
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Teoría de Aproximación Constructiva y Aplicaciones
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
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