Feijoo Guerro, Pedro Carlos pc.feijoo@upm.es
Actividades
- Artículos 24
- Libros 0
- Capítulos de libro 0
- Congresos 44
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 12
- Tesis dirigidas 0
- Patentes o licencias de software 0
Nano-laminate vs. direct deposition of high permittivity gadolinium scandate on silicon by high pressure sputtering
- Feijoo, P. C.
- Pampillon, M. A.
- San Andres, E.
- Fierro, J. L. G.;
Thin Solid Films (p. 62-66) - 30/10/2015
10.1016/j.tsf.2015.07.045 Ver en origen
- ISSN 00406090
Electrical characterization of high-pressure reactive sputtered ScO x films on silicon
- LUIS BAILON
- HELENA CASTAN
- SALVADOR DUEÑAS
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- HECTOR GARCIA
- ALFONSO GOMEZ
- MARIA LUISA LUCIA MULAS
- ALVARO DEL PRADO MILLAN
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
- MARIA TOLEDANO LUQUE
Thin Solid Films (p. 2268-2272) - 31/1/2011
10.1016/j.tsf.2010.10.073 Ver en origen
- ISSN 00406090
- iMarina
- iMarina
Optimization of scandium oxide growth by high pressure sputtering on silicon
- Feijoo, P. C.
- Pampillon, M. A.
- San Andres, E.
- Lucia, M. L.;
Thin Solid Films (p. 81-86) - 30/12/2012
10.1016/j.tsf.2012.11.008 Ver en origen
- ISSN 00406090
Contact resistance extraction of graphene FET technologies based on individual device characterization
- Pacheco-Sanchez A
- Feijoo PC
- Jiménez D
Solid-State Electronics - 1/10/2020
10.1016/j.sse.2020.107882 Ver en origen
- ISSN 00381101
Scavenging effect on plasma oxidized Gd2O3 grown by high pressure sputtering on Si and InP substrates
- Pampillon, M. A.
- Feijoo, P. C.
- Andres, E. San
- Garcia, H.
- Castan, H.
- Duenas, S.;
Semiconductor Science And Technology - 1/3/2015
10.1088/0268-1242/30/3/035023 Ver en origen
- ISSN 13616641
Gadolinium scandate by high-pressure sputtering for future generations of high-kappa dielectrics
- Feijoo, P. C.
- Pampillon, M. A.
- Andres, E. San
- Fierro, J. L. G.;
Semiconductor Science And Technology - 1/8/2013
10.1088/0268-1242/28/8/085004 Ver en origen
- ISSN 13616641
High-k gadolinium scandate on Si obtained by high pressure sputtering from metal targets and in-situ plasma oxidation
- Pampillón MA
- San Andrés E
- Feijoo PC
- Fierro JLG
Semiconductor Science And Technology - 10/2/2017
10.1088/1361-6641/aa58cc Ver en origen
- ISSN 13616641
Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride: Radio-frequency stability as a limiting factor
- Feijoo P
- Pasadas F
- Iglesias J
- Martin M
- Rengel R
- Li C
- Kim W
- Riikonen J
- Lipsanen H
- Jiménez D
Nanotechnology - 6/11/2017
10.1088/1361-6528/aa9094 Ver en origen
- ISSN 09574484
Does carrier velocity saturation help to enhance: F maxin graphene field-effect transistors?
- Feijoo PC
- Pasadas F
- Bonmann M
- Asad M
- Yang X
- Generalov A
- Vorobiev A
- Banszerus L
- Stampfer C
- Otto M
- Neumaier D
- Stake J
- Jiménez D
Nanoscale Advances (p. 4179-4186) - 1/9/2020
10.1039/c9na00733d Ver en origen
- ISSN 25160230
Este/a investigador/a no tiene libros.
Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.
Towards high-k integration with III-V channels: Interface optimization of high pressure sputtered gadolinium oxide on indium phospide
- CARMINA CAÑADILLA SOTO
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
- ALVARO DEL PRADO MILLAN
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 25-28) - 8/4/2013
10.1109/cde.2013.6481333 Ver en origen
- ISSN 9781467346689
- iMarina
- iMarina
Gadolinium scandate by high pressure sputtering as a high-k dielectric
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 17-20) - 8/4/2013
10.1109/cde.2013.6481331 Ver en origen
- ISSN 9781467346689
- iMarina
- iMarina
Plasma oxidation of metallic gadolinium deposited on silicon by high pressure sputtering as high permittivity dielectric
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- JOSE LUIS GARCIA FIERRO
- MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 5-8) - 8/4/2013
10.1109/cde.2013.6481328 Ver en origen
- ISSN 9781467346689
- iMarina
- iMarina
Electrical study of ScO-based MIS structures using Al and Ti as gate electrodes
- LUIS A BAILON VEGA
- HELENA CASTAN LANASPA
- SALVADOR DUEÑAS CARAZO
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- HECTOR GARCIA GARCIA
- MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 285-288) - 8/4/2013
10.1109/cde.2013.6481398 Ver en origen
- ISSN 9781467346689
- iMarina
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Graphene-Based Disruptive Technologies (Graphene Core 3)
- David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-04-2020 - 31-03-2023
Importe financiado: 490000,00 Euros.
- iMarina
Nuevas dinámicas de electrones y fonones para nanotecnologías emergentes: Aplicación a heteroestructuras 2D van der Waals y dispositivos de THz
- Xavier Cartoixà
- Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021
Tipo: Nacional
Importe financiado: 97647,00 Euros.
- iMarina
RIS3CAT – Comunitats Emergents
- David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-06-2018 - 30-06-2021
Importe financiado: 175000,00 Euros.
- iMarina
Transporte de electrones y fonones en nanodispositivos para aplicaciones de bajo y cero consumo (ELEPHONT)
- Xavier Cartoixà Soler
- Xavier Oriols Pladevall (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018
Tipo: Nacional
Importe financiado: 116900,00 Euros.
- iMarina
Grup de Recerca Consolidat
- Xavier Aymerich (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2018
Importe financiado: 30000,00 Euros.
- iMarina
Graphene-Based Revolutions in ICT And Beyond
- David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-10-2013 - 31-12-2015
Importe financiado: 475618,00 Euros.
- iMarina
Dispositivos electrónicos de baja dimensionalidad para aplicaciones de radiofrecuencia y digitales: simulación y desarrollo de software
- Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015
Tipo: Nacional
Importe financiado: 123201,00 Euros.
- iMarina
Fabricación de dispositivos de efecto campo con dieléctrico de alta permitividad sobre Si y semiconductores III-V para el nodo de 22 nm
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 213444,00 Euros.
- iMarina
Medida a temperatura variable de estructuras de puerta de transistores con dieléctricos de alta permitividad
- Germán González Díaz (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2008 - 31-12-2008
- iMarina
Nueva generación de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en la puerta de transistores de utilidad en radiofrecuencia
- Ignacio Mártil de la Plaza (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2007 - 31-12-2010
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
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Teoría de Aproximación Constructiva y Aplicaciones
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
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