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Feijoo Guerro, Pedro Carlos pc.feijoo@upm.es

MATEMÁTICA APLICADA A LA INGENIERÍA INDUSTRIAL / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Nano-laminate vs. direct deposition of high permittivity gadolinium scandate on silicon by high pressure sputtering

  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • San Andres, E.
  • Fierro, J. L. G.;

Thin Solid Films (p. 62-66) - 30/10/2015

10.1016/j.tsf.2015.07.045 Ver en origen

  • ISSN 00406090

Electrical characterization of high-pressure reactive sputtered ScO x films on silicon

  • LUIS BAILON
  • HELENA CASTAN
  • SALVADOR DUEÑAS
  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • HECTOR GARCIA
  • ALFONSO GOMEZ
  • MARIA LUISA LUCIA MULAS
  • ALVARO DEL PRADO MILLAN
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
  • MARIA TOLEDANO LUQUE
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Thin Solid Films (p. 2268-2272) - 31/1/2011

10.1016/j.tsf.2010.10.073 Ver en origen

  • ISSN 00406090

Optimization of scandium oxide growth by high pressure sputtering on silicon

  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • San Andres, E.
  • Lucia, M. L.;

Thin Solid Films (p. 81-86) - 30/12/2012

10.1016/j.tsf.2012.11.008 Ver en origen

  • ISSN 00406090

Contact resistance extraction of graphene FET technologies based on individual device characterization

  • Pacheco-Sanchez A
  • Feijoo PC
  • Jiménez D

Solid-State Electronics - 1/10/2020

10.1016/j.sse.2020.107882 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Scavenging effect on plasma oxidized Gd2O3 grown by high pressure sputtering on Si and InP substrates

  • Pampillon, M. A.
  • Feijoo, P. C.
  • Andres, E. San
  • Garcia, H.
  • Castan, H.
  • Duenas, S.;

Semiconductor Science And Technology - 1/3/2015

10.1088/0268-1242/30/3/035023 Ver en origen

  • ISSN 13616641

Gadolinium scandate by high-pressure sputtering for future generations of high-kappa dielectrics

  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • Andres, E. San
  • Fierro, J. L. G.;

Semiconductor Science And Technology - 1/8/2013

10.1088/0268-1242/28/8/085004 Ver en origen

  • ISSN 13616641

High-k gadolinium scandate on Si obtained by high pressure sputtering from metal targets and in-situ plasma oxidation

  • Pampillón MA
  • San Andrés E
  • Feijoo PC
  • Fierro JLG

Semiconductor Science And Technology - 10/2/2017

10.1088/1361-6641/aa58cc Ver en origen

  • ISSN 13616641

Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride: Radio-frequency stability as a limiting factor

  • Feijoo P
  • Pasadas F
  • Iglesias J
  • Martin M
  • Rengel R
  • Li C
  • Kim W
  • Riikonen J
  • Lipsanen H
  • Jiménez D
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Nanotechnology - 6/11/2017

10.1088/1361-6528/aa9094 Ver en origen

  • ISSN 09574484

Does carrier velocity saturation help to enhance: F maxin graphene field-effect transistors?

  • Feijoo PC
  • Pasadas F
  • Bonmann M
  • Asad M
  • Yang X
  • Generalov A
  • Vorobiev A
  • Banszerus L
  • Stampfer C
  • Otto M
  • Neumaier D
  • Stake J
  • Jiménez D
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Nanoscale Advances (p. 4179-4186) - 1/9/2020

10.1039/c9na00733d Ver en origen

  • ISSN 25160230

2D pn junctions driven out-of-equilibrium

  • Chaves FA
  • Feijoo PC
  • Jiménez D

Nanoscale Advances (p. 3252-3262) - 1/8/2020

10.1039/d0na00267d Ver en origen

  • ISSN 25160230

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Scavenging effect on plasma oxidized GdO3 grown by high pressure sputtering on Si and InP substrates

  • María Ángela Pampillón Arce
  • Pedro Carlos Feijoo Guerro
  • Enrique San Andrés Serrano

9/6/2014

  • iMarina

Teaching Certificate (Certificado de Aptitud Pedagógica)

  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS

  • iMarina

Grow and Structural Characterization of Semiconductor Nanostructures

  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS

  • iMarina

Formació Docent en Educació Superior (Training in Teaching at Higher Education)

  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS

  • iMarina

Growth of Gadolinium Oxide by Thermal Oxidation of Thin Metallic Gadolinium Layers

  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • MARIA LUISA LUCIA MULAS
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ALVARO DEL PRADO MILLAN
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
  • MARIA TOLEDANO LUQUE

17/3/2010

  • iMarina

Electrical and chemical characterization of high pressure sputtered scandium oxide for memory applications

  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • JOSE LUIS GARCIA FIERRO
  • MARIA LUISA LUCIA MULAS
  • ALVARO DEL PRADO MILLAN
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
  • MARIA TOLEDANO LUQUE

Proceedings Of The 8th Spanish Conference On Electron Devices, Cde'2011 - 12/5/2011

10.1109/sced.2011.5744185 Ver en origen

Interface engineering by metal electrode scavenging of Gd2O 3 films sputtered on Si

  • ANTONIO JOSE BLAZQUEZ FERNANDEZ
  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • MARIA LUISA LUCIA MULAS
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ALVARO DEL PRADO MILLAN
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
  • MARIA TOLEDANO LUQUE
... Ver más Contraer

Proceedings Of The 8th Spanish Conference On Electron Devices, Cde'2011 - 12/5/2011

10.1109/sced.2011.5744216 Ver en origen

Analysis of traps-related effects hindering GFETs performance

  • N Mavredakis
  • A Pacheco-Sánchez
  • PC Feijoo
  • D Jiménez

Proceedings Of The 2021 13th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2021 (p. 78-81) - 9/6/2021

10.1109/cde52135.2021.9455722 Ver en origen

Towards high-k integration with III-V channels: interface optimization of high pressure sputtered gadolinium oxide on indium phospide

  • San Andres, E.
  • Pampillon, M. A.
  • Canadilla, C.
  • Feijoo, P. C.
  • del Prado, A.;

Proceedings Of The 2013 Spanish Conference On Electron Devices (Cde 2013) (p. 25-28) - 1/1/2013

  • ISSN 21634971
  • iMarina

Gadolinium Scandate by High Pressure Sputtering as a High-k Dielectric

  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • Andres, E. San;

Proceedings Of The 2013 Spanish Conference On Electron Devices (Cde 2013) (p. 17-20) - 1/1/2013

  • ISSN 21634971
  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Graphene-Based Disruptive Technologies (Graphene Core 3)

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-04-2020 - 31-03-2023

Importe financiado: 490000,00 Euros.

  • iMarina

Nuevas dinámicas de electrones y fonones para nanotecnologías emergentes: Aplicación a heteroestructuras 2D van der Waals y dispositivos de THz

  • Xavier Cartoixà
  • Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021

Tipo: Nacional

Importe financiado: 97647,00 Euros.

  • iMarina

RIS3CAT – Comunitats Emergents

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-06-2018 - 30-06-2021

Importe financiado: 175000,00 Euros.

  • iMarina

Transporte de electrones y fonones en nanodispositivos para aplicaciones de bajo y cero consumo (ELEPHONT)

  • Xavier Cartoixà Soler
  • Xavier Oriols Pladevall (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Tipo: Nacional

Importe financiado: 116900,00 Euros.

  • iMarina

Grup de Recerca Consolidat

  • Xavier Aymerich (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2018

Importe financiado: 30000,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-Based Revolutions in ICT And Beyond

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2013 - 31-12-2015

Importe financiado: 475618,00 Euros.

  • iMarina

Dispositivos electrónicos de baja dimensionalidad para aplicaciones de radiofrecuencia y digitales: simulación y desarrollo de software

  • Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 123201,00 Euros.

  • iMarina

Fabricación de dispositivos de efecto campo con dieléctrico de alta permitividad sobre Si y semiconductores III-V para el nodo de 22 nm

  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 213444,00 Euros.

  • iMarina

Medida a temperatura variable de estructuras de puerta de transistores con dieléctricos de alta permitividad

  • Germán González Díaz (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2008 - 31-12-2008

  • iMarina

Nueva generación de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en la puerta de transistores de utilidad en radiofrecuencia

  • Ignacio Mártil de la Plaza (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2007 - 31-12-2010

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:21