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Feijoo Guerro, Pedro Carlos pc.feijoo@upm.es

MATEMÁTICA APLICADA A LA INGENIERÍA INDUSTRIAL / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

An Extraction Method for Mobility Degradation and Contact Resistance of Graphene Transistors

  • Pacheco-Sanchez A
  • Mavredakis N
  • Feijoo PC
  • Jimenez D

Ieee Transactions On Electron Devices (p. 4037-4041) - 1/7/2022

10.1109/ted.2022.3176830 Ver en origen

  • ISSN 00189383

Compact Modeling Technology for the Simulation of Integrated Circuits Based on Graphene Field-Effect Transistors

  • Pasadas F
  • Feijoo PC
  • Mavredakis N
  • Pacheco-Sanchez A
  • Chaves FA
  • Jiménez D

Advanced Materials - 1/12/2022

10.1002/adma.202201691 Ver en origen

  • ISSN 09359648

Unveiling the impact of the bias-dependent charge neutrality point on graphene based multi-transistor applications

  • Pasadas F
  • Medina-Rull A
  • Feijoo PC
  • Pacheco-Sanchez A
  • Marin EG
  • Ruiz FG
  • Rodriguez N
  • Godoy A
  • Jiménez D
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Nano Express - 1/9/2021

10.1088/2632-959x/abfdd0 Ver en origen

  • ISSN 2632959X

Does carrier velocity saturation help to enhance: F maxin graphene field-effect transistors?

  • Feijoo PC
  • Pasadas F
  • Bonmann M
  • Asad M
  • Yang X
  • Generalov A
  • Vorobiev A
  • Banszerus L
  • Stampfer C
  • Otto M
  • Neumaier D
  • Stake J
  • Jiménez D
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Nanoscale Advances (p. 4179-4186) - 1/9/2020

10.1039/c9na00733d Ver en origen

  • ISSN 25160230

2D pn junctions driven out-of-equilibrium

  • Chaves FA
  • Feijoo PC
  • Jiménez D

Nanoscale Advances (p. 3252-3262) - 1/8/2020

10.1039/d0na00267d Ver en origen

  • ISSN 25160230

Experimental Observation and Modeling of the Impact of Traps on Static and Analog/HF Performance of Graphene Transistors

  • Pacheco-Sanchez A
  • Mavredakis N
  • Feijoo PC
  • Wei W
  • Pallecchi E
  • Happy H
  • Jimenez D
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Ieee Transactions On Electron Devices (p. 5790-5796) - 1/12/2020

10.1109/ted.2020.3029542 Ver en origen

  • ISSN 00189383

Contact resistance extraction of graphene FET technologies based on individual device characterization

  • Pacheco-Sanchez A
  • Feijoo PC
  • Jiménez D

Solid-State Electronics - 1/10/2020

10.1016/j.sse.2020.107882 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Radio frequency performance projection and stability tradeoff of h-BN encapsulated graphene field-effect transistors

  • Feijoo PC
  • Pasadas F
  • Iglesias JM
  • Hamham EM
  • Rengel R
  • Jiménez D

Ieee Transactions On Electron Devices (p. 1567-1573) - 1/3/2019

10.1109/ted.2018.2890192 Ver en origen

  • ISSN 00189383

High-k gadolinium scandate on Si obtained by high pressure sputtering from metal targets and in-situ plasma oxidation

  • Pampillón MA
  • San Andrés E
  • Feijoo PC
  • Fierro JLG

Semiconductor Science And Technology - 10/2/2017

10.1088/1361-6641/aa58cc Ver en origen

  • ISSN 13616641

Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride: Radio-frequency stability as a limiting factor

  • Feijoo P
  • Pasadas F
  • Iglesias J
  • Martin M
  • Rengel R
  • Li C
  • Kim W
  • Riikonen J
  • Lipsanen H
  • Jiménez D
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Nanotechnology - 6/11/2017

10.1088/1361-6528/aa9094 Ver en origen

  • ISSN 09574484

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Scavenging effect on plasma oxidized GdO3 grown by high pressure sputtering on Si and InP substrates

  • María Ángela Pampillón Arce
  • Pedro Carlos Feijoo Guerro
  • Enrique San Andrés Serrano

9/6/2014

  • iMarina

High pressure sputtering for high-k dielectric deposition. Is it worth trying?

  • San Andres, E.
  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • Lucia, M. L.
  • del Prado, A.;

Ecs Transactions (p. 27-39) - 11/5/2014

10.1149/06102.0027ecst Ver en origen

  • ISSN 19386737

Electrical characterization of gadolinium oxide deposited by high pressure sputtering with in situ plasma oxidation

  • Angela Pampillon, Maria
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • San Andres, Enrique;

Microelectronic Engineering (p. 236-239) - 25/6/2013

10.1016/j.mee.2013.03.094 Ver en origen

  • ISSN 01679317

High permittivity gadolinium oxide deposited on indium phosphide by high-pressure sputtering without interface treatments

  • San Andres, Enrique
  • Angela Pampillon, Maria
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • Perez, Raul
  • Canadilla, Carmina;

Microelectronic Engineering (p. 223-226) - 25/6/2013

10.1016/j.mee.2013.03.133 Ver en origen

  • ISSN 01679317

Plasma oxidation of metallic gadolinium deposited on silicon by high pressure sputtering as high permittivity dielectric

  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • JOSE LUIS GARCIA FIERRO
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO

9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 5-8) - 8/4/2013

10.1109/cde.2013.6481328 Ver en origen

  • ISSN 9781467346689

Gadolinium scandate by high pressure sputtering as a high-k dielectric

  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO

9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 17-20) - 8/4/2013

10.1109/cde.2013.6481331 Ver en origen

  • ISSN 9781467346689

Electrical study of ScO-based MIS structures using Al and Ti as gate electrodes

  • LUIS A BAILON VEGA
  • HELENA CASTAN LANASPA
  • SALVADOR DUEÑAS CARAZO
  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • HECTOR GARCIA GARCIA
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
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9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 285-288) - 8/4/2013

10.1109/cde.2013.6481398 Ver en origen

  • ISSN 9781467346689

Towards high-k integration with III-V channels: Interface optimization of high pressure sputtered gadolinium oxide on indium phospide

  • CARMINA CAÑADILLA SOTO
  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ALVARO DEL PRADO MILLAN
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO

9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 25-28) - 8/4/2013

10.1109/cde.2013.6481333 Ver en origen

  • ISSN 9781467346689

Gadolinium Scandate by High Pressure Sputtering as a High-k Dielectric

  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • Andres, E. San;

Proceedings Of The 2013 Spanish Conference On Electron Devices (Cde 2013) (p. 17-20) - 1/1/2013

  • ISSN 21634971
  • iMarina

Electrical study of ScO-based MIS structures using Al and Ti as gate electrodes

  • Garcia, H.
  • Castan, H.
  • Duenas, S.
  • Bailon, L.
  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • San Andres, E.;
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Proceedings Of The 2013 Spanish Conference On Electron Devices (Cde 2013) (p. 285-288) - 1/1/2013

  • ISSN 21634971
  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Graphene-Based Disruptive Technologies (Graphene Core 3)

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-04-2020 - 31-03-2023

Importe financiado: 490000,00 Euros.

  • iMarina

Nuevas dinámicas de electrones y fonones para nanotecnologías emergentes: Aplicación a heteroestructuras 2D van der Waals y dispositivos de THz

  • Xavier Cartoixà
  • Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021

Tipo: Nacional

Importe financiado: 97647,00 Euros.

  • iMarina

RIS3CAT – Comunitats Emergents

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-06-2018 - 30-06-2021

Importe financiado: 175000,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-Based Disruptive Technologies (Graphene Core 2)

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-04-2018 - 31-03-2020

Importe financiado: 400000,00 Euros.

  • iMarina

Transporte de electrones y fonones en nanodispositivos para aplicaciones de bajo y cero consumo (ELEPHONT)

  • Xavier Cartoixà Soler
  • Xavier Oriols Pladevall (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Tipo: Nacional

Importe financiado: 116900,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-based disruptive technologies (Grephane Core 1)

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Importe financiado: 490000,00 Euros.

  • iMarina

Grup de Recerca Consolidat

  • Xavier Aymerich (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2018

Importe financiado: 30000,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-Based Revolutions in ICT And Beyond

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2013 - 31-12-2015

Importe financiado: 475618,00 Euros.

  • iMarina

Dispositivos electrónicos de baja dimensionalidad para aplicaciones de radiofrecuencia y digitales: simulación y desarrollo de software

  • Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 123201,00 Euros.

  • iMarina

Fabricación de dispositivos de efecto campo con dieléctrico de alta permitividad sobre Si y semiconductores III-V para el nodo de 22 nm

  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 213444,00 Euros.

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:21