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Feijoo Guerro, Pedro Carlos pc.feijoo@upm.es

MATEMÁTICA APLICADA A LA INGENIERÍA INDUSTRIAL / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Nitridation of Si by N2 electron cyclotron resonance plasma and integration with ScOx deposition

  • Feijoo P
  • Del Prado A
  • Toledano-Luque M
  • San Andŕs E
  • Lucía M

Journal Of The Electrochemical Society - 26/3/2010

10.1149/1.3301726 Ver en origen

  • ISSN 00134651

Scandium oxide deposited by high-pressure sputtering for memory devices: Physical and interfacial properties

  • Feijoo P
  • Del Prado A
  • Toledano-Luque M
  • San Andŕs E
  • Lucía M

Journal Of Applied Physics - 15/4/2010

10.1063/1.3354096 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Electrical characterization of high-pressure reactive sputtered ScO x films on silicon

  • LUIS BAILON
  • HELENA CASTAN
  • SALVADOR DUEÑAS
  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • HECTOR GARCIA
  • ALFONSO GOMEZ
  • MARIA LUISA LUCIA MULAS
  • ALVARO DEL PRADO MILLAN
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
  • MARIA TOLEDANO LUQUE
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Thin Solid Films (p. 2268-2272) - 31/1/2011

10.1016/j.tsf.2010.10.073 Ver en origen

  • ISSN 00406090

Anomalous thermal oxidation of gadolinium thin films deposited on silicon by high pressure sputtering

  • Pampillon, M. A.
  • Feijoo, P. C.
  • San Andres, E.
  • Lucia, M. L.
  • del Prado, A.
  • Toledano-Luque, M.;

Microelectronic Engineering (p. 2991-2996) - 1/9/2011

10.1016/j.mee.2011.04.058 Ver en origen

  • ISSN 01679317

Optimization of scandium oxide growth by high pressure sputtering on silicon

  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • San Andres, E.
  • Lucia, M. L.;

Thin Solid Films (p. 81-86) - 30/12/2012

10.1016/j.tsf.2012.11.008 Ver en origen

  • ISSN 00406090

Time-dependent dielectric breakdown on subnanometer EOT nMOS FinFETs

  • Feijoo P
  • Kauerauf T
  • Toledano-Luque M
  • Togo M
  • San Andrés E
  • Groeseneken G

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability (p. 166-170) - 1/3/2012

10.1109/tdmr.2011.2180387 Ver en origen

  • ISSN 15304388

Interface quality of Sc2O3 and Gd2O3 films based metal-insulator-silicon structures using Al, Pt, and Ti gates: Effect of buffer layers and scavenging electrodes

  • Gomez, Alfonso
  • Castan, Helena
  • Garcia, Hector
  • Duenas, Salvador
  • Bailon, Luis
  • Angela Pampillon, Maria
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • San Andres, Enrique;
... Ver más Contraer

Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013

10.1116/1.4768678 Ver en origen

  • ISSN 21662746

High pressure sputtering as a viable technique for future high permittivity dielectric on III-V integration: GdOx on InP demonstration

  • Angela Pampillon, Maria
  • Canadilla, Carmina
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • San Andres, Enrique
  • del Prado, Alvaro;

Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013

10.1116/1.4771970 Ver en origen

  • ISSN 21662746

Optimization of in situ plasma oxidation of metallic gadolinium thin films deposited by high pressure sputtering on silicon

  • Angela Pampillon, Maria
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • San Andres, Enrique
  • Luisa Lucia, Maria;

Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013

10.1116/1.4769893 Ver en origen

  • ISSN 21662746

Optimization of gadolinium oxide growth deposited on Si by high pressure sputtering

  • Carlos Feijoo, Pedro
  • Angela Pampillon, Maria
  • San Andres, Enrique;

Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013

10.1116/1.4766184 Ver en origen

  • ISSN 21662746

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Electrical characterization of gadolinium oxide deposited by high pressure sputtering with in situ plasma oxidation

  • Angela Pampillon, Maria
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • San Andres, Enrique;

Microelectronic Engineering (p. 236-239) - 25/6/2013

10.1016/j.mee.2013.03.094 Ver en origen

  • ISSN 01679317

High permittivity gadolinium oxide deposited on indium phosphide by high-pressure sputtering without interface treatments

  • San Andres, Enrique
  • Angela Pampillon, Maria
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • Perez, Raul
  • Canadilla, Carmina;

Microelectronic Engineering (p. 223-226) - 25/6/2013

10.1016/j.mee.2013.03.133 Ver en origen

  • ISSN 01679317

High pressure sputtering for high-k dielectric deposition. Is it worth trying?

  • San Andres, E.
  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • Lucia, M. L.
  • del Prado, A.;

Ecs Transactions (p. 27-39) - 11/5/2014

10.1149/06102.0027ecst Ver en origen

  • ISSN 19386737

Nano-laminate vs direct deposition on silicon of high permittivity gadolinium scandate by high pressure sputtering

  • Pedro Carlos Feijoo Guerro
  • María Ángela Pampillón Arce
  • Enrique San Andrés Serrano

9/6/2014

  • iMarina

Scavenging effect on plasma oxidized GdO3 grown by high pressure sputtering on Si and InP substrates

  • María Ángela Pampillón Arce
  • Pedro Carlos Feijoo Guerro
  • Enrique San Andrés Serrano

9/6/2014

  • iMarina

Short Channel Effects in Graphene Field-Effect Transistors

  • Pedro Carlos Feijoo Guerro
  • David Jiménez Jiménez

11/2/2015

  • iMarina

Channel Length Scaling of Graphene Field-Effect Transistors targeting Radio Frequency Applications

  • Pedro Carlos Feijoo Guerro
  • Xavier Cartoixà Soler
  • David Jiménez Jiménez

10/3/2015

  • iMarina

A Drift-Diffusion Graphene Field Effect Transistor model to study scaling effects on High Frequency performance

  • Pedro C Feijoo Guerro
  • David Jiménez Jiménez
  • Xavier Cartoixà

19/4/2016

  • iMarina

Radio frequency performance and stability of transistors based on hBN encapsulated graphene

  • David Jiménez Jiménez
  • Raúl Rengel
  • María José Martín
  • José Manuel Iglesias
  • Francisco Pasadas Cantos
  • Pedro Carlos Feijoo Guerro

18/10/2017

  • iMarina

Impact of scattering mechanisms and dimensions scaling on Graphene Field-Effect transistors

  • PC Feijoo
  • F Pasadas
  • JM Iglesias
  • MJ Martín
  • R Rengel
  • D Jiménez

8/2/2017

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Nueva generación de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en la puerta de transistores de utilidad en radiofrecuencia

  • Ignacio Mártil de la Plaza (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2007 - 31-12-2010

  • iMarina

Medida a temperatura variable de estructuras de puerta de transistores con dieléctricos de alta permitividad

  • Germán González Díaz (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2008 - 31-12-2008

  • iMarina

Fabricación de dispositivos de efecto campo con dieléctrico de alta permitividad sobre Si y semiconductores III-V para el nodo de 22 nm

  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 213444,00 Euros.

  • iMarina

Dispositivos electrónicos de baja dimensionalidad para aplicaciones de radiofrecuencia y digitales: simulación y desarrollo de software

  • Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 123201,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-Based Revolutions in ICT And Beyond

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2013 - 31-12-2015

Importe financiado: 475618,00 Euros.

  • iMarina

Grup de Recerca Consolidat

  • Xavier Aymerich (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2018

Importe financiado: 30000,00 Euros.

  • iMarina

Transporte de electrones y fonones en nanodispositivos para aplicaciones de bajo y cero consumo (ELEPHONT)

  • Xavier Cartoixà Soler
  • Xavier Oriols Pladevall (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Tipo: Nacional

Importe financiado: 116900,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-based disruptive technologies (Grephane Core 1)

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Importe financiado: 490000,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-Based Disruptive Technologies (Graphene Core 2)

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-04-2018 - 31-03-2020

Importe financiado: 400000,00 Euros.

  • iMarina

RIS3CAT – Comunitats Emergents

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-06-2018 - 30-06-2021

Importe financiado: 175000,00 Euros.

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:21