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Feijoo Guerro, Pedro Carlos pc.feijoo@upm.es

MATEMÁTICA APLICADA A LA INGENIERÍA INDUSTRIAL / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

High-k gadolinium scandate on Si obtained by high pressure sputtering from metal targets and in-situ plasma oxidation

  • Pampillón MA
  • San Andrés E
  • Feijoo PC
  • Fierro JLG

Semiconductor Science And Technology - 10/2/2017

10.1088/1361-6641/aa58cc Ver en origen

  • ISSN 13616641

Interface quality of Sc2O3 and Gd2O3 films based metal-insulator-silicon structures using Al, Pt, and Ti gates: Effect of buffer layers and scavenging electrodes

  • Gomez, Alfonso
  • Castan, Helena
  • Garcia, Hector
  • Duenas, Salvador
  • Bailon, Luis
  • Angela Pampillon, Maria
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • San Andres, Enrique;
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Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013

10.1116/1.4768678 Ver en origen

  • ISSN 21662746

Nano-laminate vs. direct deposition of high permittivity gadolinium scandate on silicon by high pressure sputtering

  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • San Andres, E.
  • Fierro, J. L. G.;

Thin Solid Films (p. 62-66) - 30/10/2015

10.1016/j.tsf.2015.07.045 Ver en origen

  • ISSN 00406090

Nitridation of Si by N2 electron cyclotron resonance plasma and integration with ScOx deposition

  • Feijoo P
  • Del Prado A
  • Toledano-Luque M
  • San Andŕs E
  • Lucía M

Journal Of The Electrochemical Society - 26/3/2010

10.1149/1.3301726 Ver en origen

  • ISSN 00134651

Optimization of gadolinium oxide growth deposited on Si by high pressure sputtering

  • Carlos Feijoo, Pedro
  • Angela Pampillon, Maria
  • San Andres, Enrique;

Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013

10.1116/1.4766184 Ver en origen

  • ISSN 21662746

Optimization of in situ plasma oxidation of metallic gadolinium thin films deposited by high pressure sputtering on silicon

  • Angela Pampillon, Maria
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • San Andres, Enrique
  • Luisa Lucia, Maria;

Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013

10.1116/1.4769893 Ver en origen

  • ISSN 21662746

Optimization of scandium oxide growth by high pressure sputtering on silicon

  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • San Andres, E.
  • Lucia, M. L.;

Thin Solid Films (p. 81-86) - 30/12/2012

10.1016/j.tsf.2012.11.008 Ver en origen

  • ISSN 00406090

Radio frequency performance projection and stability tradeoff of h-BN encapsulated graphene field-effect transistors

  • Feijoo PC
  • Pasadas F
  • Iglesias JM
  • Hamham EM
  • Rengel R
  • Jiménez D

Ieee Transactions On Electron Devices (p. 1567-1573) - 1/3/2019

10.1109/ted.2018.2890192 Ver en origen

  • ISSN 00189383

Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride: Radio-frequency stability as a limiting factor

  • Feijoo P
  • Pasadas F
  • Iglesias J
  • Martin M
  • Rengel R
  • Li C
  • Kim W
  • Riikonen J
  • Lipsanen H
  • Jiménez D
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Nanotechnology - 6/11/2017

10.1088/1361-6528/aa9094 Ver en origen

  • ISSN 09574484

Scandium oxide deposited by high-pressure sputtering for memory devices: Physical and interfacial properties

  • Feijoo P
  • Del Prado A
  • Toledano-Luque M
  • San Andŕs E
  • Lucía M

Journal Of Applied Physics - 15/4/2010

10.1063/1.3354096 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

A Drift-Diffusion Graphene Field Effect Transistor model to study scaling effects on High Frequency performance

  • Pedro C Feijoo Guerro
  • David Jiménez Jiménez
  • Xavier Cartoixà

19/4/2016

  • iMarina

Analysis of traps-related effects hindering GFETs performance

  • N Mavredakis
  • A Pacheco-Sánchez
  • PC Feijoo
  • D Jiménez

Proceedings Of The 2021 13th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2021 (p. 78-81) - 9/6/2021

10.1109/cde52135.2021.9455722 Ver en origen

Channel Length Scaling of Graphene Field-Effect Transistors targeting Radio Frequency Applications

  • Pedro Carlos Feijoo Guerro
  • Xavier Cartoixà Soler
  • David Jiménez Jiménez

10/3/2015

  • iMarina

Drain current saturation in graphene field-effect transistors at high fields

  • Marlene Bonmann
  • Andrei Vorobiev
  • Xinxin Yang
  • Muhammad Asad
  • Jan Stake
  • Luca Banszerus
  • Christoph Stampfer
  • Martin Otto
  • Daniel Neumaier
  • Pedro Carlos Feijoo Guerro
  • Francisco Pasadas Cantos
  • David Jiménez Jiménez
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10/9/2018

  • iMarina

Electrical and chemical characterization of high pressure sputtered scandium oxide for memory applications

  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • JOSE LUIS GARCIA FIERRO
  • MARIA LUISA LUCIA MULAS
  • ALVARO DEL PRADO MILLAN
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
  • MARIA TOLEDANO LUQUE

Proceedings Of The 8th Spanish Conference On Electron Devices, Cde'2011 - 12/5/2011

10.1109/sced.2011.5744185 Ver en origen

Electrical characterization of gadolinium oxide deposited by high pressure sputtering with in situ plasma oxidation

  • Angela Pampillon, Maria
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • San Andres, Enrique;

Microelectronic Engineering (p. 236-239) - 25/6/2013

10.1016/j.mee.2013.03.094 Ver en origen

  • ISSN 01679317

Electrical characterization of high-pressure reactive sputtered Sc 2O3 films on silicon

  • Castán H
  • Dueñas S
  • Gómez A
  • García H
  • Bailón L
  • Feijoo PC
  • Toledano-Luque M
  • Del Prado A
  • San Andrés E
  • Lucía ML
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Ecs Transactions (p. 287-297) - 1/1/2010

10.1149/1.3375614 Ver en origen

  • ISSN 19386737

Electrical study of ScO-based MIS structures using Al and Ti as gate electrodes

  • LUIS A BAILON VEGA
  • HELENA CASTAN LANASPA
  • SALVADOR DUEÑAS CARAZO
  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • HECTOR GARCIA GARCIA
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
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9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 285-288) - 8/4/2013

10.1109/cde.2013.6481398 Ver en origen

  • ISSN 9781467346689

Electrical study of ScO-based MIS structures using Al and Ti as gate electrodes

  • Garcia, H.
  • Castan, H.
  • Duenas, S.
  • Bailon, L.
  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • San Andres, E.;
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Proceedings Of The 2013 Spanish Conference On Electron Devices (Cde 2013) (p. 285-288) - 1/1/2013

  • ISSN 21634971
  • iMarina

Electrically and Chemically Doped 2D lateral pn junctions: Equilibrium and out-of-the equilibrium properties

  • FA Chaves
  • PC Feijoo
  • D Jiménez

9/6/2021

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Dispositivos electrónicos de baja dimensionalidad para aplicaciones de radiofrecuencia y digitales: simulación y desarrollo de software

  • Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 123201,00 Euros.

  • iMarina

Fabricación de dispositivos de efecto campo con dieléctrico de alta permitividad sobre Si y semiconductores III-V para el nodo de 22 nm

  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 213444,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-Based Disruptive Technologies (Graphene Core 2)

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-04-2018 - 31-03-2020

Importe financiado: 400000,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-Based Disruptive Technologies (Graphene Core 3)

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-04-2020 - 31-03-2023

Importe financiado: 490000,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-Based Revolutions in ICT And Beyond

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2013 - 31-12-2015

Importe financiado: 475618,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-based disruptive technologies (Grephane Core 1)

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Importe financiado: 490000,00 Euros.

  • iMarina

Grup de Recerca Consolidat

  • Xavier Aymerich (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2018

Importe financiado: 30000,00 Euros.

  • iMarina

Medida a temperatura variable de estructuras de puerta de transistores con dieléctricos de alta permitividad

  • Germán González Díaz (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2008 - 31-12-2008

  • iMarina

Nueva generación de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en la puerta de transistores de utilidad en radiofrecuencia

  • Ignacio Mártil de la Plaza (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2007 - 31-12-2010

  • iMarina

Nuevas dinámicas de electrones y fonones para nanotecnologías emergentes: Aplicación a heteroestructuras 2D van der Waals y dispositivos de THz

  • Xavier Cartoixà
  • Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021

Tipo: Nacional

Importe financiado: 97647,00 Euros.

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:21