Feijoo Guerro, Pedro Carlos pc.feijoo@upm.es
Actividades
- Artículos 24
- Libros 0
- Capítulos de libro 0
- Congresos 44
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 12
- Tesis dirigidas 0
- Patentes o licencias de software 0
Unveiling the impact of the bias-dependent charge neutrality point on graphene based multi-transistor applications
- Pasadas F
- Medina-Rull A
- Feijoo PC
- Pacheco-Sanchez A
- Marin EG
- Ruiz FG
- Rodriguez N
- Godoy A
- Jiménez D
Nano Express - 1/9/2021
10.1088/2632-959x/abfdd0 Ver en origen
- ISSN 2632959X
Anomalous thermal oxidation of gadolinium thin films deposited on silicon by high pressure sputtering
- Pampillon, M. A.
- Feijoo, P. C.
- San Andres, E.
- Lucia, M. L.
- del Prado, A.
- Toledano-Luque, M.;
Microelectronic Engineering (p. 2991-2996) - 1/9/2011
10.1016/j.mee.2011.04.058 Ver en origen
- ISSN 01679317
Interface quality of Sc2O3 and Gd2O3 films based metal-insulator-silicon structures using Al, Pt, and Ti gates: Effect of buffer layers and scavenging electrodes
- Gomez, Alfonso
- Castan, Helena
- Garcia, Hector
- Duenas, Salvador
- Bailon, Luis
- Angela Pampillon, Maria
- Carlos Feijoo, Pedro
- San Andres, Enrique;
Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013
10.1116/1.4768678 Ver en origen
- ISSN 21662746
High pressure sputtering as a viable technique for future high permittivity dielectric on III-V integration: GdOx on InP demonstration
- Angela Pampillon, Maria
- Canadilla, Carmina
- Carlos Feijoo, Pedro
- San Andres, Enrique
- del Prado, Alvaro;
Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013
10.1116/1.4771970 Ver en origen
- ISSN 21662746
Optimization of in situ plasma oxidation of metallic gadolinium thin films deposited by high pressure sputtering on silicon
- Angela Pampillon, Maria
- Carlos Feijoo, Pedro
- San Andres, Enrique
- Luisa Lucia, Maria;
Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013
10.1116/1.4769893 Ver en origen
- ISSN 21662746
Optimization of gadolinium oxide growth deposited on Si by high pressure sputtering
- Carlos Feijoo, Pedro
- Angela Pampillon, Maria
- San Andres, Enrique;
Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013
10.1116/1.4766184 Ver en origen
- ISSN 21662746
Nitridation of Si by N2 electron cyclotron resonance plasma and integration with ScOx deposition
- Feijoo P
- Del Prado A
- Toledano-Luque M
- San Andŕs E
- Lucía M
Journal Of The Electrochemical Society - 26/3/2010
10.1149/1.3301726 Ver en origen
- ISSN 00134651
Scandium oxide deposited by high-pressure sputtering for memory devices: Physical and interfacial properties
- Feijoo P
- Del Prado A
- Toledano-Luque M
- San Andŕs E
- Lucía M
Journal Of Applied Physics - 15/4/2010
10.1063/1.3354096 Ver en origen
- ISSN 00218979
An Extraction Method for Mobility Degradation and Contact Resistance of Graphene Transistors
- Pacheco-Sanchez A
- Mavredakis N
- Feijoo PC
- Jimenez D
Ieee Transactions On Electron Devices (p. 4037-4041) - 1/7/2022
10.1109/ted.2022.3176830 Ver en origen
- ISSN 00189383
Experimental Observation and Modeling of the Impact of Traps on Static and Analog/HF Performance of Graphene Transistors
Ieee Transactions On Electron Devices (p. 5790-5796) - 1/12/2020
10.1109/ted.2020.3029542 Ver en origen
- ISSN 00189383
Este/a investigador/a no tiene libros.
Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.
Impact of Self-Heating on Small-Signal Parameters of Graphene Field-Effect Transistors over a Wide Frequency Range
- PC Feijoo
- F Pasadas
- A Pacheco-Sánchez
- FA Chaves
- D Jiménez
9/6/2021
- iMarina
Recombination Time in Drift-Diffusion Models of Graphene Field- Effect Transistors
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS
- Ferney A. Chaves
- David Jiménez
15/6/2023
- iMarina
Electrically and Chemically Doped 2D lateral pn junctions: Equilibrium and out-of-the equilibrium properties
- FA Chaves
- PC Feijoo
- D Jiménez
9/6/2021
- iMarina
The theoretical limits of radio frequency performance of graphene field-effect transistors
- P C Feijoo
26/11/2020
- iMarina
Impact of Impurities, Defects and Residual Carrier Concentration on High Frequency Performance of hBN-Encapsulated Graphene Field-Effect Transistors
- PC Feijoo
- JM Iglesias
- EM Hamham
- R Rengel
- D Jiménez
14/11/2018
- iMarina
Drain current saturation in graphene field-effect transistors at high fields
- Marlene Bonmann
- Andrei Vorobiev
- Xinxin Yang
- Muhammad Asad
- Jan Stake
- Luca Banszerus
- Christoph Stampfer
- Martin Otto
- Daniel Neumaier
- Pedro Carlos Feijoo Guerro
- Francisco Pasadas Cantos
- David Jiménez Jiménez
10/9/2018
- iMarina
Investigation of high frequency performance of hBN encapsulated Graphene Field-Effect Transistors
- Pedro Carlos Feijoo Guerro
- Francisco Pasadas Cantos
- José Manuel Iglesias
- María José Martín
- Raúl Rengel
- David Jiménez Jiménez
13/3/2018
- iMarina
Radio frequency performance and stability of transistors based on hBN encapsulated graphene
- David Jiménez Jiménez
- Raúl Rengel
- María José Martín
- José Manuel Iglesias
- Francisco Pasadas Cantos
- Pedro Carlos Feijoo Guerro
18/10/2017
- iMarina
Graphene encapsulated on h-BN: an analysis of mobility and saturation velocity for GFET operation
- JM Iglesias
- EM Hamham
- MJ Martín
- E Pascual
- PC Feijoo
- F Pasadas
- D Jiménez
- R Rengel
16/7/2017
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Graphene-Based Disruptive Technologies (Graphene Core 3)
- David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-04-2020 - 31-03-2023
Importe financiado: 490000,00 Euros.
- iMarina
Nuevas dinámicas de electrones y fonones para nanotecnologías emergentes: Aplicación a heteroestructuras 2D van der Waals y dispositivos de THz
- Xavier Cartoixà
- Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021
Tipo: Nacional
Importe financiado: 97647,00 Euros.
- iMarina
RIS3CAT – Comunitats Emergents
- David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-06-2018 - 30-06-2021
Importe financiado: 175000,00 Euros.
- iMarina
Transporte de electrones y fonones en nanodispositivos para aplicaciones de bajo y cero consumo (ELEPHONT)
- Xavier Cartoixà Soler
- Xavier Oriols Pladevall (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018
Tipo: Nacional
Importe financiado: 116900,00 Euros.
- iMarina
Grup de Recerca Consolidat
- Xavier Aymerich (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2018
Importe financiado: 30000,00 Euros.
- iMarina
Graphene-Based Revolutions in ICT And Beyond
- David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-10-2013 - 31-12-2015
Importe financiado: 475618,00 Euros.
- iMarina
Dispositivos electrónicos de baja dimensionalidad para aplicaciones de radiofrecuencia y digitales: simulación y desarrollo de software
- Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015
Tipo: Nacional
Importe financiado: 123201,00 Euros.
- iMarina
Fabricación de dispositivos de efecto campo con dieléctrico de alta permitividad sobre Si y semiconductores III-V para el nodo de 22 nm
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 213444,00 Euros.
- iMarina
Medida a temperatura variable de estructuras de puerta de transistores con dieléctricos de alta permitividad
- Germán González Díaz (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2008 - 31-12-2008
- iMarina
Nueva generación de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en la puerta de transistores de utilidad en radiofrecuencia
- Ignacio Mártil de la Plaza (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2007 - 31-12-2010
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
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Teoría de Aproximación Constructiva y Aplicaciones
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
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