Feijoo Guerro, Pedro Carlos pc.feijoo@upm.es

Actividades

Unveiling the impact of the bias-dependent charge neutrality point on graphene based multi-transistor applications

  • Pasadas F
  • Medina-Rull A
  • Feijoo PC
  • Pacheco-Sanchez A
  • Marin EG
  • Ruiz FG
  • Rodriguez N
  • Godoy A
  • Jiménez D
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Nano Express - 1/9/2021

10.1088/2632-959x/abfdd0 Ver en origen

  • ISSN 2632959X

Anomalous thermal oxidation of gadolinium thin films deposited on silicon by high pressure sputtering

  • Pampillon, M. A.
  • Feijoo, P. C.
  • San Andres, E.
  • Lucia, M. L.
  • del Prado, A.
  • Toledano-Luque, M.;

Microelectronic Engineering (p. 2991-2996) - 1/9/2011

10.1016/j.mee.2011.04.058 Ver en origen

  • ISSN 01679317

Interface quality of Sc2O3 and Gd2O3 films based metal-insulator-silicon structures using Al, Pt, and Ti gates: Effect of buffer layers and scavenging electrodes

  • Gomez, Alfonso
  • Castan, Helena
  • Garcia, Hector
  • Duenas, Salvador
  • Bailon, Luis
  • Angela Pampillon, Maria
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • San Andres, Enrique;
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Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013

10.1116/1.4768678 Ver en origen

  • ISSN 21662746

High pressure sputtering as a viable technique for future high permittivity dielectric on III-V integration: GdOx on InP demonstration

  • Angela Pampillon, Maria
  • Canadilla, Carmina
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • San Andres, Enrique
  • del Prado, Alvaro;

Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013

10.1116/1.4771970 Ver en origen

  • ISSN 21662746

Optimization of in situ plasma oxidation of metallic gadolinium thin films deposited by high pressure sputtering on silicon

  • Angela Pampillon, Maria
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • San Andres, Enrique
  • Luisa Lucia, Maria;

Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013

10.1116/1.4769893 Ver en origen

  • ISSN 21662746

Optimization of gadolinium oxide growth deposited on Si by high pressure sputtering

  • Carlos Feijoo, Pedro
  • Angela Pampillon, Maria
  • San Andres, Enrique;

Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013

10.1116/1.4766184 Ver en origen

  • ISSN 21662746

Nitridation of Si by N2 electron cyclotron resonance plasma and integration with ScOx deposition

  • Feijoo P
  • Del Prado A
  • Toledano-Luque M
  • San Andŕs E
  • Lucía M

Journal Of The Electrochemical Society - 26/3/2010

10.1149/1.3301726 Ver en origen

  • ISSN 00134651

Scandium oxide deposited by high-pressure sputtering for memory devices: Physical and interfacial properties

  • Feijoo P
  • Del Prado A
  • Toledano-Luque M
  • San Andŕs E
  • Lucía M

Journal Of Applied Physics - 15/4/2010

10.1063/1.3354096 Ver en origen

  • ISSN 00218979

An Extraction Method for Mobility Degradation and Contact Resistance of Graphene Transistors

  • Pacheco-Sanchez A
  • Mavredakis N
  • Feijoo PC
  • Jimenez D

Ieee Transactions On Electron Devices (p. 4037-4041) - 1/7/2022

10.1109/ted.2022.3176830 Ver en origen

  • ISSN 00189383

Experimental Observation and Modeling of the Impact of Traps on Static and Analog/HF Performance of Graphene Transistors

  • Pacheco-Sanchez A
  • Mavredakis N
  • Feijoo PC
  • Wei W
  • Pallecchi E
  • Happy H
  • Jimenez D
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Ieee Transactions On Electron Devices (p. 5790-5796) - 1/12/2020

10.1109/ted.2020.3029542 Ver en origen

  • ISSN 00189383

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Impact of Self-Heating on Small-Signal Parameters of Graphene Field-Effect Transistors over a Wide Frequency Range

  • PC Feijoo
  • F Pasadas
  • A Pacheco-Sánchez
  • FA Chaves
  • D Jiménez

9/6/2021

  • iMarina

Recombination Time in Drift-Diffusion Models of Graphene Field- Effect Transistors

  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS
  • Ferney A. Chaves
  • David Jiménez

15/6/2023

  • iMarina

Electrically and Chemically Doped 2D lateral pn junctions: Equilibrium and out-of-the equilibrium properties

  • FA Chaves
  • PC Feijoo
  • D Jiménez

9/6/2021

  • iMarina

The theoretical limits of radio frequency performance of graphene field-effect transistors

  • P C Feijoo

26/11/2020

  • iMarina

Impact of Impurities, Defects and Residual Carrier Concentration on High Frequency Performance of hBN-Encapsulated Graphene Field-Effect Transistors

  • PC Feijoo
  • JM Iglesias
  • EM Hamham
  • R Rengel
  • D Jiménez

14/11/2018

  • iMarina

Drain current saturation in graphene field-effect transistors at high fields

  • Marlene Bonmann
  • Andrei Vorobiev
  • Xinxin Yang
  • Muhammad Asad
  • Jan Stake
  • Luca Banszerus
  • Christoph Stampfer
  • Martin Otto
  • Daniel Neumaier
  • Pedro Carlos Feijoo Guerro
  • Francisco Pasadas Cantos
  • David Jiménez Jiménez
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10/9/2018

  • iMarina

Investigation of high frequency performance of hBN encapsulated Graphene Field-Effect Transistors

  • Pedro Carlos Feijoo Guerro
  • Francisco Pasadas Cantos
  • José Manuel Iglesias
  • María José Martín
  • Raúl Rengel
  • David Jiménez Jiménez

13/3/2018

  • iMarina

Radio frequency performance and stability of transistors based on hBN encapsulated graphene

  • David Jiménez Jiménez
  • Raúl Rengel
  • María José Martín
  • José Manuel Iglesias
  • Francisco Pasadas Cantos
  • Pedro Carlos Feijoo Guerro

18/10/2017

  • iMarina

Graphene encapsulated on h-BN: an analysis of mobility and saturation velocity for GFET operation

  • JM Iglesias
  • EM Hamham
  • MJ Martín
  • E Pascual
  • PC Feijoo
  • F Pasadas
  • D Jiménez
  • R Rengel
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16/7/2017

  • iMarina

Scalability of graphene transistors supported on hexagonal boron nitride substrates targeting RF applications

  • PC Feijoo
  • F Pasadas
  • JM Iglesias
  • MJ Martín
  • R Rengel
  • C Li
  • W Kim
  • J Riikonen
  • H Lipsanen
  • D Jiménez
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21/5/2017

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Graphene-Based Disruptive Technologies (Graphene Core 3)

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-04-2020 - 31-03-2023

Importe financiado: 490000,00 Euros.

  • iMarina

Nuevas dinámicas de electrones y fonones para nanotecnologías emergentes: Aplicación a heteroestructuras 2D van der Waals y dispositivos de THz

  • Xavier Cartoixà
  • Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021

Tipo: Nacional

Importe financiado: 97647,00 Euros.

  • iMarina

RIS3CAT – Comunitats Emergents

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-06-2018 - 30-06-2021

Importe financiado: 175000,00 Euros.

  • iMarina

Transporte de electrones y fonones en nanodispositivos para aplicaciones de bajo y cero consumo (ELEPHONT)

  • Xavier Cartoixà Soler
  • Xavier Oriols Pladevall (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Tipo: Nacional

Importe financiado: 116900,00 Euros.

  • iMarina

Grup de Recerca Consolidat

  • Xavier Aymerich (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2018

Importe financiado: 30000,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-Based Revolutions in ICT And Beyond

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2013 - 31-12-2015

Importe financiado: 475618,00 Euros.

  • iMarina

Dispositivos electrónicos de baja dimensionalidad para aplicaciones de radiofrecuencia y digitales: simulación y desarrollo de software

  • Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 123201,00 Euros.

  • iMarina

Fabricación de dispositivos de efecto campo con dieléctrico de alta permitividad sobre Si y semiconductores III-V para el nodo de 22 nm

  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 213444,00 Euros.

  • iMarina

Medida a temperatura variable de estructuras de puerta de transistores con dieléctricos de alta permitividad

  • Germán González Díaz (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2008 - 31-12-2008

  • iMarina

Nueva generación de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en la puerta de transistores de utilidad en radiofrecuencia

  • Ignacio Mártil de la Plaza (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2007 - 31-12-2010

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:21