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Rodriguez Rodriguez, Tomas tomas.rodriguezr@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Effects of rapid thermal annealing on the electrical properties of Hg1 − xCdxTe bulk crystals

  • Rubio JAL
  • Sangrador J
  • Rodríguez T

Adv Mater Opt Electr (p. 177-182) - 1/1/1994

10.1002/amo.860030125 Ver en origen

  • ISSN 10579257

Raman spectrum of Si nanowires: temperature and phonon confinement effects

  • Anaya, J.
  • Torres, A.
  • Hortelano, V.
  • Jimenez, J.
  • Prieto, A. C.
  • Rodriguez, A.
  • Rodriguez, T.
  • Rogel, R.
  • Pichon, L.;
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Applied Physics A-Materials Science & Processing (p. 1321-1331) - 1/3/2014

10.1007/s00339-013-7966-y Ver en origen

  • ISSN 14320630

Study of the temperature distribution in Si nanowires under microscopic laser beam excitation

  • Anaya, J.
  • Torres, A.
  • Martin-Martin, A.
  • Souto, J.
  • Jimenez, J.
  • Rodriguez, A.
  • Rodriguez, T.;
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Applied Physics A-Materials Science & Processing (p. 167-176) - 1/10/2013

10.1007/s00339-012-7509-y Ver en origen

  • ISSN 14320630

All laser-assisted heteroepitaxial growth of Si0.8Ge0.2 on Si(100): Pulsed laser deposition and laser induced melting solidification

  • Serna R
  • Blasco A
  • Missana T
  • Solís J
  • Afonso CN
  • Rodríguez A
  • Rodríguez T
  • Da Silva MF
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Applied Physics Letters (p. 1781-1783) - 1/1/1996

10.1063/1.116665 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Model for crystallization kinetics: Deviations from Kolmogorov-Johnson-Mehl-Avrami kinetics

  • Castro, M
  • Dominguez-Adame, F
  • Sanchez, A
  • Rodriguez, T;

Applied Physics Letters (p. 2205-2207) - 11/10/1999

10.1063/1.124965 Ver en origen

  • ISSN 00036951

SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY DETERMINATION OF THE REFRACTIVE-INDEX OF STRAINED SI1-XGEX LAYERS IN THE NEAR-INFRARED WAVELENGTH RANGE (0.9-1.7 MU-M)

  • DESANDE, JCG
  • RODRIGUEZ, A
  • RODRIGUEZ, T;

Applied Physics Letters (p. 3402-3404) - 1/1/1995

10.1063/1.114907 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Micro-Raman spectroscopy of Si nanowires: Influence of diameter and temperature

  • Torres, A.
  • Martin-Martin, A.
  • Martinez, O.
  • Prieto, A. C.
  • Hortelano, V.
  • Jimenez, J.
  • Rodriguez, A.
  • Sangrador, J.
  • Rodriguez, T.;
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Applied Physics Letters - 8/2/2010

10.1063/1.3284647 Ver en origen

  • ISSN 00036951

GRANULARITY EFFECTS IN TRANSPORT-PROPERTIES OF 123 SUPERCONDUCTING THIN-FILMS

  • LUCIA, ML
  • SANTAMARIA, J
  • HERNANDEZROJAS, JL
  • SANCHEZQUESADA, F
  • IBORRA, E
  • RODRIGUEZ, T;

Journal Of Alloys And Compounds (p. 635-638) - 10/5/1993

10.1016/0925-8388(93)90818-8 Ver en origen

  • ISSN 09258388

Reversible crystallization of a-Si1-xGex alloys under the combined effect of light and temperature

  • Martin, P
  • Torres, A
  • Jimenez, J
  • Rodriguez, A
  • Sangrador, J
  • Rodriguez, T;

Journal Of Applied Physics (p. 155-163) - 1/7/2004

10.1063/1.1755855 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Electromagnetic field enhancement effects in group IV semiconductor nanowires. A Raman spectroscopy approach

  • Pura, J. L.
  • Anaya, J.
  • Souto, J.
  • Prieto, A. C.
  • Rodriguez, A.
  • Rodriguez, T.
  • Periwal, P.
  • Baron, T.
  • Jimenez, J.;
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Journal Of Applied Physics - 21/3/2018

10.1063/1.5012987 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Hg1-xCdxTe electrical properties changes induced by Rapid Thermal Annealing

  • Rodríguez T
  • Del Rio J
  • Rubio JAL
  • Sangrador J
  • Van Praet D

Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 202-207) - 7/12/1993

10.1117/12.164944 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Luminescence in Ge nanostructures formed by dry and wet oxidation of SiGe films

  • Avella M
  • Prieto A
  • Jiménez J
  • Rodríguez A
  • Sangrador J
  • Rodríguez T
  • Kling A
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Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 276-284) - 9/12/2005

10.1117/12.608372 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Activation study of boron doped ion beam synthesized Si-Ge

  • Gwilliam R
  • Curello G
  • Sealy B
  • Rodriguez A
  • Botella M
  • Rodriguez T

Proceedings Of The International Conference On Ion Implantation Technology (p. 694-697) - 1/12/1996

  • iMarina

Raman spectroscopy study of group IV semiconductor nanowires

  • Anaya J
  • Torres A
  • Martín-Martín A
  • Martínez O
  • Prieto A
  • Jiménez J
  • Rodríguez A
  • Sangrador J
  • Rodríguez T
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Raman Spectroscopy Study Of Group Iv Semiconductor Nanowires (p. 78-83) - 17/3/2010

10.1016/j.phpro.2010.10.015 Ver en origen

  • ISSN 18753892

Group IV nanostructures studied by Raman Spectroscopy

  • O Martínez
  • A.C. Prieto
  • A. Torres
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás
  • SANGRADOR GARCIA, JESUS
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES
  • JIMENEZ LEUBE, FRANCISCO J.
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(p. 0-0) - 8/6/2009

  • iMarina

Crystallization and diffusion of Ge induced by "in-situ" TEM electron beam irradiation of SiGeO films Nanowriting

  • Ortiz M.I.
  • Ballesteros C.
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES

(p. 0-0) - 27/7/2009

  • iMarina

Formation of Ge nanocristals and evolution of the oxide matrix in annealed LPCVD SiGeO films

  • M.I. Ortiz
  • C Ballesteros
  • B Morana
  • A Kling
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás
  • SANGRADOR GARCIA, JESUS
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES
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(p. 0-0) - 29/6/2008

  • iMarina

SiGe nanowires grown by the VLS method using Ga-Au catalysts

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES

1/1/2010

  • iMarina

Thermal properties of group IV nanowires under laser beam excitation

  • J. Jiménez
  • J. Anaya
  • C. Prieto
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES

9/5/2011

  • iMarina

Raman Spectroscopy of group IV nanostructured semiconductors: influence of size, temperature and stress.

  • O Martínez
  • J. Jiménez
  • A Prieto
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás
  • SANGRADOR GARCIA, JESUS
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES

(p. 0-0) - 1/12/2008

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Crecimiento y caracterización de heteroestructuras de nanohilos de SiGe: aspectos eléctricos y térmicos

  • BALLESTEROS PEREZ, CARMEN INES (Participante)
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Participante)
  • SANGRADOR GARCIA, JESUS (Participante)
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2014

Tipo: Nacional

Importe financiado: 60500,00 Euros.

  • iMarina

Nuevos enfoques para el crecimiento de nanohilos de SiGe modulados en composición orientados a nuevos nanodispositivos

  • BALLESTEROS PEREZ, CARMEN INES (Participante)
  • SANGRADOR GARCIA, JESUS (Participante)
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES (Participante)
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-10-2007 - 30-12-2010

Tipo: Nacional

  • iMarina

Cinética de crecimiento de Siliciuro de Iridio mediante RTP

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Director) Doctorando: Almendra Sánchez, Alberto

4/12/2001

  • iMarina

Obtención de películas policristalinas de silicio-germanio por cristalización en fase sólida a baja temperatura.

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Director) Doctorando: OLIVARES ROZA, Jimena

1/1/2001

  • iMarina

Crecimiento de capas dopadas tipo p de SiGe sobre Si mediante epitaxia en fase sólida para su aplicación en la fabricación de detectores de infrarrojo lejano

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Director) Doctorando: RODRIGUEZ DOMINGUEZ, Andrés

13/1/1997

  • iMarina

Caracterización de capas delgadas de silicio obtenidas mediante evaporación con haz de electrones.

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Director) Doctorando: ESQUIVIAS MOSCARDO, Ignacio

1/1/1984

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 18/03/24 11:03