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Rodriguez Rodriguez, Tomas tomas.rodriguezr@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Raman spectroscopy study of amorphous SiGe films deposited by low pressure chemical vapor deposition and polycrystalline SiGe films obtained by solid-phase crystallization

  • Olivares, J
  • Martin, P
  • Rodriguez, A
  • Sangrador, J
  • Jimenez, J
  • Rodriguez, T;

Thin Solid Films (p. 56-61) - 10/1/2000

10.1016/s0040-6090(99)00711-7 Ver en origen

  • ISSN 00406090

A raman study of a metastable crystalline state in amorphous sige layers under cw laser illumination: Influence of the temperature

  • Martin P
  • Olivares J
  • Rodriguez A
  • Sangrador J
  • Jimenez J
  • Rodriguez T

Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 387-392) - 1/12/2000

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Effect of deposition parameters on the characteristics of low-pressure chemical vapor deposited SiGe films grown from Si2H6 and GeH4

  • Olivares, J
  • Sangrador, J
  • Rodríguez, A
  • Rodríguez, T

Journal Of The Electrochemical Society (p. C685-C689) - 1/10/2001

10.1149/1.1399277 Ver en origen

  • ISSN 00134651

Structural improvement of SiGe films by C and F implantation and solid phase crystallization

  • Rodriguez, A
  • Olivares, J
  • Sangrador, J
  • Rodriguez, T
  • Ballesteros, C
  • Castro, M
  • Gwilliam, RM;
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Thin Solid Films (p. 113-116) - 15/2/2001

10.1016/s0040-6090(00)01624-2 Ver en origen

  • ISSN 00406090

Metastable crystalline state induced in amorphous SiGe layers under cw visible laser illumination

  • Martin, E
  • Martin, P
  • Olivares, J
  • Rodriguez, A
  • Sangrador, J
  • Jimenez, J
  • Rodriguez, T;
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Thin Solid Films (p. 227-229) - 15/2/2001

10.1016/s0040-6090(00)01609-6 Ver en origen

  • ISSN 00406090

Nucleation site location and its influence on the microstructure of solid-phase crystallized SiGe films

  • Rodriguez, AA
  • Rodriguez, T
  • Olivares, J
  • Sangrador, J
  • Martin, P
  • Martinez, O
  • Jimenez, J
  • Ballesteros, C;
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Journal Of Applied Physics (p. 2544-2552) - 1/9/2001

10.1063/1.1389075 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Ion beam analysis of the segregation and solubility of iridium during silicon crystallization

  • Almendra, A
  • Rodriguez, A
  • Rodriguez, T
  • Kling, A
  • da Silva, MF
  • Soares, JC
  • Ballesteros, C;
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Nuclear Instruments & Methods In Physics Research Section B-Beam Interactions With Materials And Atoms (p. 583-586) - 1/1/2002

10.1016/s0168-583x(01)01229-0 Ver en origen

  • ISSN 0168583X

The role of the Si 3s3d states in the bonding of iridium silicides (IrSi, Ir3Si5 and IrSi3)

  • Almendra, A
  • Rodriguez, A
  • Rodriguez, T
  • Shamin, SN
  • Aksenova, VI
  • Galakhov, VR;

Journal Of Physics-Condensed Matter (p. 3599-3604) - 8/4/2002

10.1088/0953-8984/14/13/317 Ver en origen

  • ISSN 09538984

Micro-Raman study of iridium silicides

  • Almendra, A
  • Rodriguez, A
  • Rodriguez, T
  • Martin, P
  • Jimenez, J;

Journal Of Raman Spectroscopy (p. 80-83) - 2/7/2002

10.1002/jrs.824 Ver en origen

  • ISSN 03770486

Lifetime measurements of porous Si1-xGex stain etched

  • Guerrero-Lemus, R
  • Ben-Hander, FA
  • Kenanoglu, A
  • Borchert, D
  • Sangrador, J
  • Rodriguez, T
  • Martinez-Duart, JM;
... Ver más Contraer

Thin Solid Films (p. 316-319) - 22/3/2004

10.1016/j.tsf.2003.11.056 Ver en origen

  • ISSN 00406090

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Hg1-xCdxTe electrical properties changes induced by Rapid Thermal Annealing

  • Rodríguez T
  • Del Rio J
  • Rubio JAL
  • Sangrador J
  • Van Praet D

Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 202-207) - 7/12/1993

10.1117/12.164944 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

INFLUENCE OF OXYGEN ON THE IRIDIUM SILICIDE FORMATION BY RAPID THERMAL ANNEALING

  • FERNANDEZ, M
  • RODRIGUEZ, T
  • ALMENDRA, A
  • JIMENEZLEUBE, J
  • WOLTERS, H;

Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 325-328) - 1/1/1994

10.1557/proc-299-325 Ver en origen

  • ISSN 02729172

Iridium silicide formation by rapid thermal annealing

  • Rodriguez T
  • Wolters H
  • Almendra A
  • Sanz-Maudes J
  • Da Silva M
  • Soares J

Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 313-317) - 1/1/1994

10.1557/proc-299-313 Ver en origen

  • ISSN 02729172

Iridium silicides formation on high doses Ge+ implanted Si layers

  • Curello, G
  • Gwilliam, R
  • Harry, M
  • Wilson, RJ
  • Sealy, BJ
  • Rodriguez, T
  • JimenezLeube, J;
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 411-416) - 1/1/1996

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Ion beam processed Ir/SiGe structures

  • Curello, G
  • Gwilliam, R
  • Harry, M
  • Sealy, BJ
  • Rodriguez, T
  • Clement, M

Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 393-398) - 1/1/1996

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Iridium silicides formed by RTA in vacuum

  • Rodriguez, T
  • Almendra, A
  • Botella, M
  • DaSilva, MF
  • Soares, JC
  • Wolters, H
  • Ballesteros, C;
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 599-604) - 1/1/1996

  • ISSN 02729172
  • iMarina

All laser-assisted heteroepitaxial growth of Si0.8Ge0.2 on Si(100)

  • Serna R
  • Afonso C
  • Solis J
  • Ballesteros C
  • Rodriguez T

Conference On Lasers And Electro-Optics Europe - Technical Digest - 1/1/1996

  • iMarina

Activation study of boron doped ion beam synthesized Si-Ge

  • Gwilliam R
  • Curello G
  • Sealy B
  • Rodriguez A
  • Botella M
  • Rodriguez T

Proceedings Of The International Conference On Ion Implantation Technology (p. 694-697) - 1/12/1996

  • iMarina

Influence of the alloy composition on the thermodynamic parameters of nucleation and growth of SiGe

  • Olivares, J
  • Rodriguez, A
  • Sangrador, J
  • Rodriguez, T
  • Martin, P
  • Jimenez, J
  • Ballesteros, C
  • Castro, M;
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 147-152) - 1/12/2000

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Analysis of the crystallization kinetics and microstructure of polycrystalline SiGe films by optical techniques

  • Olivares, J
  • Martin, P
  • Rodriguez, A
  • Sangrador, J
  • Martinez, O
  • Jimenez, J
  • Rodriguez, T;
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 221-226) - 3/12/2000

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Nuevos enfoques para el crecimiento de nanohilos de SiGe modulados en composición orientados a nuevos nanodispositivos

  • BALLESTEROS PEREZ, CARMEN INES (Participante)
  • SANGRADOR GARCIA, JESUS (Participante)
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES (Participante)
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-10-2007 - 30-12-2010

Tipo: Nacional

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de heteroestructuras de nanohilos de SiGe: aspectos eléctricos y térmicos

  • BALLESTEROS PEREZ, CARMEN INES (Participante)
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Participante)
  • SANGRADOR GARCIA, JESUS (Participante)
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2014

Tipo: Nacional

Importe financiado: 60500,00 Euros.

  • iMarina

Caracterización de capas delgadas de silicio obtenidas mediante evaporación con haz de electrones.

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Director) Doctorando: ESQUIVIAS MOSCARDO, Ignacio

1/1/1984

  • iMarina

Crecimiento de capas dopadas tipo p de SiGe sobre Si mediante epitaxia en fase sólida para su aplicación en la fabricación de detectores de infrarrojo lejano

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Director) Doctorando: RODRIGUEZ DOMINGUEZ, Andrés

13/1/1997

  • iMarina

Obtención de películas policristalinas de silicio-germanio por cristalización en fase sólida a baja temperatura.

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Director) Doctorando: OLIVARES ROZA, Jimena

1/1/2001

  • iMarina

Cinética de crecimiento de Siliciuro de Iridio mediante RTP

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Director) Doctorando: Almendra Sánchez, Alberto

4/12/2001

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 18/03/24 11:03