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Rodriguez Rodriguez, Tomas tomas.rodriguezr@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Comparison between furnace and rapid thermal annealed iridium silicide Schottky barrier diodes

  • JimenezLeube, J
  • Clement, M
  • Almendra, A
  • SanzMaudes, J
  • Rodriguez, T

Materials Science And Technology (p. 1215-1218) - 1/11/1995

10.1179/mst.1995.11.11.1215 Ver en origen

  • ISSN 02670836

POLYCRYSTALLINE INTERLAYER FORMED BY DEPOSITION OF THIN-FILM IRIDIUM ON SILICON

  • BALLESTEROS, C
  • RODRIGUEZ, T
  • JIMENEZLEUBE, J
  • CLEMENT, M

Journal Of Applied Physics (p. 5173-5175) - 1/12/1995

10.1063/1.359263 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Interface reaction between Ir films and relaxed SiGe MBE layers by rapid thermal annealing

  • Curello, G
  • Gwilliam, R
  • Harry, M
  • Reeson, KJ
  • Sealy, BJ
  • Rodriguez, T
  • Almendra, A;
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Journal Of Crystal Growth (p. 236-241) - 2/12/1995

10.1016/0022-0248(95)00410-6 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Hg1-xCdxTe: electrical and structural changes induced by rapid thermal annealing

  • Sangrador J
  • López-Rubio JA
  • González C
  • Rodríguez T
  • Uzan-Saguy C
  • Ophir-Arad E
  • Kalish R
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Journal Of Crystal Growth (p. 254-260) - 1/6/1995

10.1016/0022-0248(95)00089-5 Ver en origen

  • ISSN 00220248

SIMS characterization of thin layers of LR and its silicides

  • Blanco, JM
  • Serrano, JJ
  • JimenezLeube, J
  • Rodriguez, T
  • Aguilar, M
  • Gwilliam, R

Nuclear Instruments & Methods In Physics Research Section B-Beam Interactions With Materials And Atoms (p. 530-533) - 1/1/1996

10.1016/0168-583x(95)01385-7 Ver en origen

  • ISSN 0168583X

RBS characterization of iridium silicides formed by RTA in vacuum

  • Rodriguez, T
  • Almendra, A
  • daSilva, MF
  • Soares, JC
  • Wolters, H
  • Rodriguez, A
  • SanzMaudes, J;
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Nuclear Instruments & Methods In Physics Research Section B-Beam Interactions With Materials And Atoms (p. 279-283) - 1/1/1996

10.1016/0168-583x(95)01411-x Ver en origen

  • ISSN 0168583X

All laser-assisted heteroepitaxial growth of Si0.8Ge0.2 on Si(100): Pulsed laser deposition and laser induced melting solidification

  • Serna R
  • Blasco A
  • Missana T
  • Solís J
  • Afonso CN
  • Rodríguez A
  • Rodríguez T
  • Da Silva MF
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Applied Physics Letters (p. 1781-1783) - 1/1/1996

10.1063/1.116665 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Electrical characterization of iridium Schottky contacts to silicon: Early stages of silicidation

  • JimenezLeube, FJ
  • Clement, M
  • Maudes, JS
  • Rodriguez, T

Journal Of Vacuum Science & Technology b (p. 903-907) - 1/1/1997

10.1116/1.589506 Ver en origen

  • ISSN 10711023

Strain compensation by heavy boron doping in Si1-xGex layers grown by solid phase epitaxy

  • Rodriguez, A
  • Rodriguez, T
  • SanzHervas, A
  • Kling, A
  • Soares, JC
  • daSilva, MF
  • Ballesteros, C
  • Gwilliam, RM;
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Journal Of Materials Research (p. 1698-1705) - 1/1/1997

10.1557/jmr.1997.0234 Ver en origen

  • ISSN 08842914

Thermal evolution of ion beam synthesised CoSi2 layers in Si0.64Ge0.36 alloy

  • Curello G
  • Gwilliam R
  • Harry M
  • Sealy BJ
  • Rodriguez T

Nuclear Instruments & Methods In Physics Research Section B-Beam Interactions With Materials And Atoms (p. 328-332) - 1/1/1997

10.1016/s0168-583x(97)00950-6 Ver en origen

  • ISSN 0168583X

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Hg1-xCdxTe electrical properties changes induced by Rapid Thermal Annealing

  • Rodríguez T
  • Del Rio J
  • Rubio JAL
  • Sangrador J
  • Van Praet D

Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 202-207) - 7/12/1993

10.1117/12.164944 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

INFLUENCE OF OXYGEN ON THE IRIDIUM SILICIDE FORMATION BY RAPID THERMAL ANNEALING

  • FERNANDEZ, M
  • RODRIGUEZ, T
  • ALMENDRA, A
  • JIMENEZLEUBE, J
  • WOLTERS, H;

Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 325-328) - 1/1/1994

10.1557/proc-299-325 Ver en origen

  • ISSN 02729172

Iridium silicide formation by rapid thermal annealing

  • Rodriguez T
  • Wolters H
  • Almendra A
  • Sanz-Maudes J
  • Da Silva M
  • Soares J

Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 313-317) - 1/1/1994

10.1557/proc-299-313 Ver en origen

  • ISSN 02729172

Iridium silicides formation on high doses Ge+ implanted Si layers

  • Curello, G
  • Gwilliam, R
  • Harry, M
  • Wilson, RJ
  • Sealy, BJ
  • Rodriguez, T
  • JimenezLeube, J;
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 411-416) - 1/1/1996

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Ion beam processed Ir/SiGe structures

  • Curello, G
  • Gwilliam, R
  • Harry, M
  • Sealy, BJ
  • Rodriguez, T
  • Clement, M

Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 393-398) - 1/1/1996

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Iridium silicides formed by RTA in vacuum

  • Rodriguez, T
  • Almendra, A
  • Botella, M
  • DaSilva, MF
  • Soares, JC
  • Wolters, H
  • Ballesteros, C;
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 599-604) - 1/1/1996

  • ISSN 02729172
  • iMarina

All laser-assisted heteroepitaxial growth of Si0.8Ge0.2 on Si(100)

  • Serna R
  • Afonso C
  • Solis J
  • Ballesteros C
  • Rodriguez T

Conference On Lasers And Electro-Optics Europe - Technical Digest - 1/1/1996

  • iMarina

Activation study of boron doped ion beam synthesized Si-Ge

  • Gwilliam R
  • Curello G
  • Sealy B
  • Rodriguez A
  • Botella M
  • Rodriguez T

Proceedings Of The International Conference On Ion Implantation Technology (p. 694-697) - 1/12/1996

  • iMarina

Influence of the alloy composition on the thermodynamic parameters of nucleation and growth of SiGe

  • Olivares, J
  • Rodriguez, A
  • Sangrador, J
  • Rodriguez, T
  • Martin, P
  • Jimenez, J
  • Ballesteros, C
  • Castro, M;
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 147-152) - 1/12/2000

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Analysis of the crystallization kinetics and microstructure of polycrystalline SiGe films by optical techniques

  • Olivares, J
  • Martin, P
  • Rodriguez, A
  • Sangrador, J
  • Martinez, O
  • Jimenez, J
  • Rodriguez, T;
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 221-226) - 3/12/2000

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Nuevos enfoques para el crecimiento de nanohilos de SiGe modulados en composición orientados a nuevos nanodispositivos

  • BALLESTEROS PEREZ, CARMEN INES (Participante)
  • SANGRADOR GARCIA, JESUS (Participante)
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES (Participante)
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-10-2007 - 30-12-2010

Tipo: Nacional

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de heteroestructuras de nanohilos de SiGe: aspectos eléctricos y térmicos

  • BALLESTEROS PEREZ, CARMEN INES (Participante)
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Participante)
  • SANGRADOR GARCIA, JESUS (Participante)
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2014

Tipo: Nacional

Importe financiado: 60500,00 Euros.

  • iMarina

Caracterización de capas delgadas de silicio obtenidas mediante evaporación con haz de electrones.

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Director) Doctorando: ESQUIVIAS MOSCARDO, Ignacio

1/1/1984

  • iMarina

Crecimiento de capas dopadas tipo p de SiGe sobre Si mediante epitaxia en fase sólida para su aplicación en la fabricación de detectores de infrarrojo lejano

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Director) Doctorando: RODRIGUEZ DOMINGUEZ, Andrés

13/1/1997

  • iMarina

Obtención de películas policristalinas de silicio-germanio por cristalización en fase sólida a baja temperatura.

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Director) Doctorando: OLIVARES ROZA, Jimena

1/1/2001

  • iMarina

Cinética de crecimiento de Siliciuro de Iridio mediante RTP

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Director) Doctorando: Almendra Sánchez, Alberto

4/12/2001

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 18/03/24 11:03