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Rodriguez Rodriguez, Tomas tomas.rodriguezr@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Violet luminescence in Ge nanocrystals/Ge oxide structures formed by dry oxidation of polycrystalline SiGe

  • Avella, M
  • Prieto, AC
  • Jimenez, J
  • Rodriguez, A
  • Sangrador, J
  • Rodriguez, T;

Solid State Communications (p. 224-227) - 29/9/2005

10.1016/j.ssc.2005.07.024 Ver en origen

  • ISSN 00381098

UV Raman spectroscopy of group IV nanocrystals embedded in a SiO(2) matrix

  • Prieto, A. C.
  • Torres, A.
  • Jimenez, J.
  • Rodriguez, A.
  • Sangrador, J.
  • Rodriguez, T.;

Journal Of Materials Science-Materials In Electronics (p. 155-159) - 1/2/2008

10.1007/s10854-007-9304-7 Ver en origen

  • ISSN 09574522

Thermal evolution of ion beam synthesised CoSi2 layers in Si0.64Ge0.36 alloy

  • Curello G
  • Gwilliam R
  • Harry M
  • Sealy BJ
  • Rodriguez T

Nuclear Instruments & Methods In Physics Research Section B-Beam Interactions With Materials And Atoms (p. 328-332) - 1/1/1997

10.1016/s0168-583x(97)00950-6 Ver en origen

  • ISSN 0168583X

The role of the Si 3s3d states in the bonding of iridium silicides (IrSi, Ir3Si5 and IrSi3)

  • Almendra, A
  • Rodriguez, A
  • Rodriguez, T
  • Shamin, SN
  • Aksenova, VI
  • Galakhov, VR;

Journal Of Physics-Condensed Matter (p. 3599-3604) - 8/4/2002

10.1088/0953-8984/14/13/317 Ver en origen

  • ISSN 09538984

Study of the temperature distribution in Si nanowires under microscopic laser beam excitation

  • Anaya, J.
  • Torres, A.
  • Martin-Martin, A.
  • Souto, J.
  • Jimenez, J.
  • Rodriguez, A.
  • Rodriguez, T.;
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Applied Physics A-Materials Science & Processing (p. 167-176) - 1/10/2013

10.1007/s00339-012-7509-y Ver en origen

  • ISSN 14320630

Structural improvement of SiGe films by C and F implantation and solid phase crystallization

  • Rodriguez, A
  • Olivares, J
  • Sangrador, J
  • Rodriguez, T
  • Ballesteros, C
  • Castro, M
  • Gwilliam, RM;
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Thin Solid Films (p. 113-116) - 15/2/2001

10.1016/s0040-6090(00)01624-2 Ver en origen

  • ISSN 00406090

Strain relaxation mechanisms in Si1-xGex layers grown by solid-phase epitaxy: Influence of the layer composition and growth temperature

  • Rodriguez, A
  • Rodriguez, T
  • Kling, A
  • Soares, JC
  • Da Silva, MF
  • Ballesteros, C;

Journal Of Electronic Materials (p. 77-82) - 1/1/1999

10.1007/s11664-999-0222-8 Ver en origen

  • ISSN 03615235

Strain compensation by heavy boron doping in Si1-xGex layers grown by solid phase epitaxy

  • Rodriguez, A
  • Rodriguez, T
  • SanzHervas, A
  • Kling, A
  • Soares, JC
  • daSilva, MF
  • Ballesteros, C
  • Gwilliam, RM;
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Journal Of Materials Research (p. 1698-1705) - 1/1/1997

10.1557/jmr.1997.0234 Ver en origen

  • ISSN 08842914

Strain and defects depth distributions in undoped and boron-doped Si1-xGex layers grown by solid phase epitaxy

  • Rodriguez, A
  • Rodriguez, T
  • Kling, A
  • Soares, JC
  • daSilva, MF
  • Ballesteros, C;

Journal Of Applied Physics (p. 2887-2895) - 15/9/1997

10.1063/1.366121 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Solid-phase reactions in Ir/(111)Si systems studied by means of x-ray emission spectroscopy

  • Kurmaev, EZ
  • Galakhov, VR
  • Shamin, SN
  • Rodriguez, T
  • Almendra, A
  • Sanz-Maudes, J
  • Goransson, K
  • Engstrom, I;
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Journal Of Materials Research (p. 1950-1955) - 1/1/1998

10.1557/jmr.1998.0274 Ver en origen

  • ISSN 08842914

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Si and SixGe1-x NWs studied by Raman spectroscopy

  • O. Martínes
  • J. Jiménez
  • J. Anaya
  • A.C. Prieto
  • A. Torres
  • A. Martin-Martin
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás
  • SANGRADOR GARCIA, JESUS
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES
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Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1307-1310) - 1/4/2011

10.1002/pssc.201083990 Ver en origen

  • ISSN 18626351

Si 1-xGe x nanocrystals observed by EFTEM: influence of the dry and wet oxidation process

  • Cuadras A
  • Arbiol J
  • Garrido B
  • Morante J
  • Rodriguez A
  • Rodríguez T

Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 111-116) - 26/8/2005

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Reversible ordering of a-Si1-xGex by the combined effect of light and temperature

  • Martín P
  • Torres A
  • Jiménez J
  • Rodríguez A
  • Sangrador J
  • Rodríguez T

Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 171-176) - 1/1/2004

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Raman spectrum of group IV nanowires: Influence of temperature

  • J. Souto
  • J. Jiménez
  • J. Anaya
  • C. Prieto
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás
  • SANGRADOR GARCIA, JESUS
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 105-110) - 1/12/2011

10.1557/opl.2011.619 Ver en origen

  • ISSN 02729172

Raman spectroscopy study of group IV semiconductor nanowires

  • Anaya J
  • Torres A
  • Martín-Martín A
  • Martínez O
  • Prieto A
  • Jiménez J
  • Rodríguez A
  • Sangrador J
  • Rodríguez T
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Raman Spectroscopy Study Of Group Iv Semiconductor Nanowires (p. 78-83) - 17/3/2010

10.1016/j.phpro.2010.10.015 Ver en origen

  • ISSN 18753892

Raman spectroscopy of group IV nanostructured semiconductors: Influence of size and temperature

  • Torres A
  • Martinez O
  • Prieto C
  • Jimenez J
  • Rodriguez A
  • Sangrador J
  • Rodriguez T
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 57-62) - 1/1/2008

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Raman spectroscopy in Group IV nanowires and nanowire axial heterostructures

  • Julián Anaya
  • Juan Jiménez
  • Carmen Ballesteros
  • Alfredo Torres
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES

Mrs Online Proceedings Library mrs Proceedings, 1659 issn: 1946-4274 (No Aceptada Por Aplicación) (p. 143-148) - 1/12/2013

  • iMarina

Raman Spectroscopy of group IV nanostructured semiconductors: influence of size, temperature and stress.

  • O Martínez
  • J. Jiménez
  • A Prieto
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás
  • SANGRADOR GARCIA, JESUS
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES

(p. 0-0) - 1/12/2008

  • iMarina

RBS characterization of the deposition of very thin SiGe/SiO2 multilayers by LPCVD

  • Muñoz-Martín A
  • Climent-Font A
  • Rodríguez A
  • Sangrador J
  • Rodríguez T

Nuclear Instruments & Methods In Physics Research Section B-Beam Interactions With Materials And Atoms (p. 395-399) - 1/1/2005

10.1016/j.nimb.2005.06.136 Ver en origen

  • ISSN 0168583X

Production of Cu nanodots by ion sputtering CM on mechanically polished (110) Si-substrates

  • Ballesteros C
  • Rodríguez A
  • Rodríguez T

(p. 174-177) - 8/12/2006

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Nuevos enfoques para el crecimiento de nanohilos de SiGe modulados en composición orientados a nuevos nanodispositivos

  • BALLESTEROS PEREZ, CARMEN INES (Participante)
  • SANGRADOR GARCIA, JESUS (Participante)
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES (Participante)
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-10-2007 - 30-12-2010

Tipo: Nacional

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de heteroestructuras de nanohilos de SiGe: aspectos eléctricos y térmicos

  • BALLESTEROS PEREZ, CARMEN INES (Participante)
  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Participante)
  • SANGRADOR GARCIA, JESUS (Participante)
  • RODRIGUEZ DOMINGUEZ, ANDRES (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2014

Tipo: Nacional

Importe financiado: 60500,00 Euros.

  • iMarina

Obtención de películas policristalinas de silicio-germanio por cristalización en fase sólida a baja temperatura.

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Director) Doctorando: OLIVARES ROZA, Jimena

1/1/2001

  • iMarina

Crecimiento de capas dopadas tipo p de SiGe sobre Si mediante epitaxia en fase sólida para su aplicación en la fabricación de detectores de infrarrojo lejano

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Director) Doctorando: RODRIGUEZ DOMINGUEZ, Andrés

13/1/1997

  • iMarina

Cinética de crecimiento de Siliciuro de Iridio mediante RTP

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Director) Doctorando: Almendra Sánchez, Alberto

4/12/2001

  • iMarina

Caracterización de capas delgadas de silicio obtenidas mediante evaporación con haz de electrones.

  • RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás (Director) Doctorando: ESQUIVIAS MOSCARDO, Ignacio

1/1/1984

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 18/03/24 11:03