Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es
Actividades
- Artículos 113
- Libros 0
- Capítulos de libro 2
- Congresos 130
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 13
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
External efficiency and carrier loss mechanisms in InAs/GaInNAs quantum dot light-emitting diodes
- Montes, M
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
- Al Khalfioui, M
- Hugues, M
- Damilano, B
- Massies, J
Journal Of Applied Physics - 1/8/2010
10.1063/1.3467004 Ver en origen
- ISSN 00218979
Evaluation of different capping strategies in the InAs/GaAs QD system: Composition, size and QD density features
- González D
- Flores S
- Ruiz-Marín N
- Reyes DF
- Stanojević L
- Utrilla AD
- Gonzalo A
- Gallego Carro A
- Ulloa JM
- Ben T
Applied Surface Science - 1/1/2021
10.1016/j.apsusc.2020.148062 Ver en origen
- ISSN 01694332
Ellipsoidal InAs quantum dots observed by cross-sectional scanning tunneling microscopy
- Blokland, J. H.
- Bozkurt, M.
- Ulloa, J. M.
- Reuter, D.
- Wieck, A. D.
- Koenraad, P. M.
- Christianen, P. C. M.
- Maan, J. C.;
Applied Physics Letters - 1/1/2009
10.1063/1.3072366 Ver en origen
- ISSN 00036951
Effect of the AlAs capping layer thickness on the structure of InAs/GaAs QD
- Ruiz-Marin, N.
- Reyes, D. F.
- Stanojevic, L.
- Ben, T.
- Braza, V.
- Gallego-Carro, A.
- Barcena-Gonzalez, G.
- Ulloa, J. M.
- Gonzalez, D.;
Applied Surface Science - 1/1/2022
10.1016/j.apsusc.2021.151572 Ver en origen
- ISSN 01694332
Effect of nitrogen on the optical properties of InGaAsN p-i-n structures grown on misoriented (111)B GaAs substrates
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Applied Physics Letters (p. 2524-2526) - 5/4/2004
10.1063/1.1695639 Ver en origen
- ISSN 00036951
Effect of nitrogen on the band structure and material gain of InyGa1-yAs1-xNx-GaAs quantum wells
- Ulloa, JM
- Sánchez-Rojas, JL
- Hierro, A
- Tijero, JMG
- Tournié, E
Ieee Journal Of Selected Topics In Quantum Electronics (p. 716-722) - 1/5/2003
10.1109/jstqe.2003.818860 Ver en origen
- ISSN 1077260X
Effect of nitrogen ions on the properties of InGaAsN quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 305-308) - 1/1/2004
10.1049/ip-opt:20040910 Ver en origen
- ISSN 13502433
Effect of annealing in the Sb and In distribution of type II GaAsSb-capped InAs quantum dots
- Reyes, D. F.
- Ulloa, J. M.
- Guzman, A.
- Hierro, A.
- Sales, D. L.
- Beanland, R.
- Sanchez, A. M.
- Gonzalez, D.;
Semiconductor Science And Technology - 15/10/2015
10.1088/0268-1242/30/11/114006 Ver en origen
- ISSN 13616641
Effect of a lattice-matched GaAsSb capping layer on the structural properties of InAs/InGaAs/InP quantum dots
- Ulloa, J. M.
- Koenraad, P. M.
- Bonnet-Eymard, M.
- Letoublon, A.
- Bertru, N.;
Journal Of Applied Physics - 1/1/2010
10.1063/1.3361036 Ver en origen
- ISSN 00218979
Double capping of molecular beam epitaxy grown InAs/InP quantum dots studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy
- Ulloa, J. M.
- Koenraad, P. M.
- Gapihan, E.
- Letoublon, A.
- Bertru, N.;
Applied Physics Letters - 1/1/2007
10.1063/1.2771063 Ver en origen
- ISSN 00036951
Este/a investigador/a no tiene libros.
InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy
- Ulloa, J. M.
- Offermans, P.
- Koenraad, P. M.;
Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008
From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots
- Llorens J
- Lopes-Oliveira V
- López-Richard V
- Ulloa J
- Alén B
Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018
10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen
- ISSN 14344904
ZnMgO-based UV photodiodes: a comparison of films grown by spray pyrolysis and MBE
- Hierro, A.
- Tabares, G.
- Lopez-Ponce, M.
- Ulloa, J. M.
- Kurtz, A.
- Munoz, E.
- Marin-Borras, V.
- Munoz-Sanjose, V.
- Chauveau, J. M.;
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering - 1/1/2016
10.1117/12.2213697 Ver en origen
- ISSN 0277786X
ZnCdO/ZnO Multiple Quantum Well Nanowires Emitting in the Visible
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Muñoz Merino, Elías
8th International Workshop On Zinc Oxide And Related Materials (p. 10-15) - 8/9/2014
- iMarina
Type-II GaAsSb/GaAsN superlattice solar cells
- Gonzalo, A
- Utrilla, AD
- Aeberhard, U
- Llorens, JM
- Alén, B
- Marrón, DF
- Guzman, A
- Hierro, A
- Ulloa, JM
Proceedings Vol 10527 Physics, Simulation, And Photonic Engineering Of Photovoltaic Devices Vii (p. 1.052.701-1.052.709) - 27/1/2018
10.1117/12.2290079 Ver en origen
- ISSN 0277786X
- iMarina
- iMarina
Type-I and Type-II InAs/GaAs Quantum Dot solar cells with a GaAsSb capping layer
- T. Ben
- D.F Reyes
- D. González
- Gacevic, Zarko
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-3) - 15/3/2015
- iMarina
Tuning the size, strain and band offsets of InAs/GaAs quantum dots through a thin GaAs(Sb)(N) capping layer
- M Montes
- M Boz
- K Yamamoto
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-0) - 20/3/2011
- iMarina
Towards a highly directional hybrid Mie-Tamm optical cavity for high-performance single-photon sources
- Llorens JM
- Nowak A
- Ulloa JM
- Alén B
International Conference On Metamaterials, Photonic Crystals And Plasmonics (p. 693-694) - 1/1/2023
- ISSN 24291390
- iMarina
Top-Hat HELLISH (THH)-VCSOA based on a light emitting and an absorbing for 1.3 µm wavelength operation
- N Balkan
- F.A.I Chaqmaqchee
- et al
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
Proceedings (p. 0-3) - 22/7/2012
- iMarina
Time-resolved Photoluminescence spectroscopy of Zn1-XCdXO nanowires
- P. Lefebvre
- C Brimont
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Muñoz Merino, Elías
Proceedings (p. 0-3) - 19/9/2012
- iMarina
The use of Abel-Tersoff potentials in atomistic simulations of InGaAsSb/GaAs 8th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices Nottingham (UK), 2008
- V. HAXHA
- R. GARG
- P.M Koenraad
- M.J STEER
- M.A MIGLIORATO
- M. Hopkinson
- I.W DROUZAS
- H.Y LIU
- D.J MOWBRAY
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
The Use Of Abel-Tersoff Potentials In Atomistic Simulations Of Ingaassb/Gaas (p. 0-0) - 1/9/2008
- iMarina
The use of Abel-Tersoff potentials in atomistic simulations of InGaAsSb/GaAs
- Haxha, V.
- Garg, R.
- Migliorato, M. A.
- Drouzas, I. W.
- Ulloa, J. M.
- Koenraad, P. M.
- Steer, M. J.
- Liu, H. Y.
- Hopkinson, M.
- Mowbray, D. J.;
Proceedings Of The International Conference On Numerical Simulation Of Optoelectronic Devices, Nusod (p. 111-+) - 1/1/2008
10.1109/nusod.2008.4668267 Ver en origen
- ISSN 03068919
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020
Tipo: Internacional
Importe financiado: 698871,25 Euros.
- iMarina
ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies
- Nakamura ., Atsushi (Participante)
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 174336,00 Euros.
- iMarina
Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010
Tipo: Internacional
Importe financiado: 70000,00 Euros.
- iMarina
Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024
Tipo: Internacional
Importe financiado: 250904,88 Euros.
- iMarina
PRTR. Comunicaciones cuánticas
- PEDROS AYALA, JORGE (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- BOSCA MOJENA, ALBERTO (Participante)
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Participante)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Participante)
- STANOJEVIC, LAZAR (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- FABA GARCIA, JAVIER (Participante)
- Martin Ayuso, Vicente (Investigador principal (IP))
- Gacevic, Zarko (Investigador principal (IP))
- BRITO MENDEZ, RUBEN DAVID (Participante)
- VICENTE GARCIA, RAFAEL JUAN (Participante)
- SEBASTIAN LOMBRAÑA, ALBERTO JUAN (Participante)
- ROSALES BEJARANO, JOSE LUIS (Participante)
- SAEZ DE BURUAGA BROUNS, JAIME (Participante)
- GARCIA-ARISCO RIVERA, JESUS (Participante)
- OBRADOVIC, JOVANA (Participante)
Ejecución: 01-01-2022 - 31-12-2024
Tipo: Regional
- iMarina
Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020
Tipo: Nacional
Importe financiado: 90750,00 Euros.
- iMarina
Nueva Generación de emisores de Fotones Individuales para Telecomunicaciones
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))
- Gacevic, Zarko (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ABUIN HERRAEZ, MANUEL (Miembro del equipo de trabajo)
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Miembro del equipo de trabajo)
Ejecución: 01-09-2023 - 31-08-2026
Tipo: Nacional
- iMarina
Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011
Tipo: Nacional
Importe financiado: 207636,00 Euros.
- iMarina
MICROFABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS EN GaAs
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-09-2020 - 31-08-2021
- iMarina
Emerging diluted III-V-nitrides and related engineered nanostructures for high efficient photovoltaic and photodetection applications
- Jose María Ulloa (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Titulado/a universitario/a en formación)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
- iMarina
Tuning the properties of InAs/GaAs quantum dots through a modified capping layer: application to optoelectronic devices
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Utrilla Lomas, Antonio David
1/1/2017
- iMarina
Structures based on GaAs(Sb)(N) semiconductor alloys for high efficiency multi-junction solar cells
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Gonzalo Martín, Alicia
1/1/2019
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
-
Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
-
ORCID