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Perfil en el portal institucional

Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es

CIENCIA DE MATERIALES / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

1 eV GaAsSbN–based solar cells for efficient multi-junction design: Enhanced solar cell performance upon annealing

  • Gonzalo, A
  • Stanojevic, L
  • Marrón, DF
  • Guzman, A
  • Hierro, A
  • Ulloa, JM

Solar Energy (p. 307-313) - 1/1/2021

10.1016/j.solener.2021.04.041 Ver en origen

  • ISSN 0038092X

Achievement of InSb Quantum Dots on InP(100) Substrates

  • Lu, Wei
  • Rohel, Tony
  • Bertru, Nicolas
  • Folliot, Herve
  • Paranthoen, Cyril
  • Jancu, Jean Marc
  • Letoublon, Antoine
  • Le Corre, Alain
  • Gatel, Christophe
  • Ponchet, Anne
  • Combe, Nicolas
  • Ulloa, Jose Maria
  • Koenraad, Paul;
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Japanese Journal Of Applied Physics - 1/1/2010

10.1143/jjap.49.060210 Ver en origen

  • ISSN 00214922

AlGaN nanocolumns and AlGaN/GaN/AlGaN nanostructures grown by molecular beam epitaxy

  • Ristic, J
  • Sánchez-García, MA
  • Ulloa, JM
  • Calleja, E
  • Sanchez-Páramo, J
  • Calleja, JM
  • Jahn, U
  • Trampert, A
  • Ploog, KH
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Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics (p. 717-721) - 1/12/2002

10.1002/1521-3951(200212)234:3<717::aid-pssb717>3.0.co;2-8 Ver en origen

  • ISSN 15213951

An atomic scale study on the effect of Sb during capping of MBE grown III-V semiconductor QDs

  • Bozkurt, M.
  • Ulloa, J. M.
  • Koenraad, P. M.;

Semiconductor Science And Technology - 1/6/2011

10.1088/0268-1242/26/6/064007 Ver en origen

  • ISSN 13616641

Analysis of the characteristic temperatures of (Ga,In)(N,As)/GaAs laser diodes

  • Montes, M
  • Hierro, A
  • Ulloa, JM
  • Guzman, A
  • Damilano, B
  • Hugues, M
  • Al Khalfioui, M
  • Duboz, JY
  • Massies, J
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Journal Of Physics D-Applied Physics - 7/8/2008

10.1088/0022-3727/41/15/155102 Ver en origen

  • ISSN 00223727

Analysis of the modified optical properties and band structure of GaAs1-xSbx-capped InAs/GaAs quantum dots

  • Ulloa, JM
  • Llorens, JM
  • del Moral, M
  • Bozkurt, M
  • Koenraad, PM
  • Hierro, A

Journal Of Applied Physics - 1/10/2012

10.1063/1.4755794 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Annealing effects on the crystal structure of GaInNAs quantum wells with large In and N content grown by molecular beam epitaxy

  • Hierro, A
  • Ulloa, JM
  • Chauveau, JM
  • Trampert, A
  • Pinault, MA
  • Tournié, E
  • Guzmán, A
  • Sánchez-Rojas, JL
  • Calleja, E
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Journal Of Applied Physics (p. 2319-2324) - 15/8/2003

10.1063/1.1591416 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Atomic scale characterization of Mn doped InAs/GaAs quantum dots

  • Bozkurt, M.
  • Grant, V. A.
  • Ulloa, J. M.
  • Campion, R. P.
  • Foxon, C. T.
  • Marega, E.
  • Salamo, G. J.
  • Koenraad, P. M.;
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Applied Physics Letters - 1/1/2010

10.1063/1.3293296 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Breaking the Intersubband Selection Rules for Absorption with ZnO Quantum Wells: Light Polarization Sensitivity under Normal Incidence

  • Bajo, MM
  • Tamayo-Arriola, J
  • Le Biavan, N
  • Ulloa, JM
  • Vennéguès, P
  • Lefebvre, D
  • Hugues, M
  • Chauveau, JM
  • Hierro, A
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Physical Review Applied - 12/9/2018

10.1103/physrevapplied.10.034022 Ver en origen

  • ISSN 23317019

Capping of InAs quantum dots grown on (311)B InP studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy

  • Celebi, C.
  • Ulloa, J. M.
  • Koenraad, P. M.
  • Simon, A.
  • Letoublon, A.
  • Bertru, N.;

Applied Physics Letters - 1/1/2006

10.1063/1.2221884 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Este/a investigador/a no tiene libros.

From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots

  • Llorens J
  • Lopes-Oliveira V
  • López-Richard V
  • Ulloa J
  • Alén B

Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018

10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen

  • ISSN 14344904

InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy

  • Ulloa, J. M.
  • Offermans, P.
  • Koenraad, P. M.;

Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008

10.1016/b978-0-08-046325-4.00005-0 Ver en origen

J. M. ULLOA, M. DEL MORAL, M. BOZKURT, R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, P. M. KOENRAAD, A. HIERRO "GaAsSb-capped InAs quantum dots: from enlarged quantum dot height to alloy fluctuations" Internacional Quantum Dot Conference 2010. Nottinghan (UK), 2010

  • P. M. Koenraad
  • M. DEL MORAL
  • M. Bozkurt
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

Gaassb-Capped Inas Quantum Dots: From Enlarged Quantum Dot Height To Alloy Fluctuations (p. 0-0) - 26/4/2010

  • iMarina

J. M. Ulloa, C. Çelebi, P. Offermans, P.M. Koenraad, A. Simon, E. Gapihan, A. Letoublon, N. Bertru, I. Drouzas, D.J. Mowbray, M.J. Steer, M. Hopkinson "Capping of InAs quantum dots studied at the atomic scale by cross-sectional scanning tunneling micros

  • P.M. Koenraad
  • P. Offermans
  • N. Bertru
  • M.J. Steer
  • M. Hopkinson
  • I. Drouzas
  • E. Gapihan
  • D.J. Mowbray
  • C. Çelebi
  • A. Letoublon
  • A. Simon
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
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2/4/2007

  • iMarina

J. M. Ulloa, P. M. Koenraad, E. Gapihan, A. Letoublon, N. Bertru "Double capping of InAs/InP (311)B quantum dots studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy" One day Quantum Dot Meeting 2007 Nottingham (UK) 2 al 5 de abril de 2007 2007

  • P. M. Koenraad
  • N. Bertru
  • E. Gapihan
  • A. Letoublon
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA

2/4/2007

  • iMarina

J.H. Blokland, J.M. Ulloa, U. Zeitler, P.C.M. Christianen, P.M. Koenraad, D. Reuter, A.D. Wieck, J.C. Maan "Shell-filling and correlation effects of holes in InAs quantum dots" International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Syste

  • U. Zeitler
  • P.M. Koenraad
  • P.C.M. Christianen
  • J.H. Blokland
  • A.D. Wieck
  • J.C. Maan
  • D. Reuter
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
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15/7/2007

  • iMarina

J.M. ULLOA , P.M. KOENRAAD, M. BONNET-EYMARD, A. LÉTOUBLON, D N. BERTRU "Effect of a lattice-matched GaAsSb capping layer on the structural properties of InAs/InGaAs/InP quantum dots" 15th European Molacular Beam Epitaxy Workshop Zakopane (Poland), 200

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA

"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" (p. 0-0) - 8/3/2009

  • iMarina

J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 nm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" Spring European Materials Research Society

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"1.3- 1.5 ¿M Gaassb-Capped Inas Quantum Dots: Effect Of The Sb Content On The Structural And Optical Properties" (p. 0-0) - 8/6/2009

  • iMarina

J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 µm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" 15th European Molacular Beam Epitaxy Works

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" (p. 0-0) - 8/3/2009

  • iMarina

J.M. ULLOA, P.M. KOENRAAD, M. HOPKINSON "Structural properties of GaAsN/GaAs quantum wells studied at the atomic scale by cross-sectional scanning tunneling microscopy". European Materials Research Society Spring Meeting 2010 Strasbourg (France), 2010

  • P.M. Koenraad
  • M. HOPKINSON
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA

Structural Properties Of Gaasn/Gaas Quantum Wells Studied At The Atomic Scale By Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy (p. 0-0) - 8/6/2010

  • iMarina

J.M. ULLOA, R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, A. HIERRO . "GaAsSbN-capped InAs quantum dots for 1.3 - 1.55 µm emission" European Materials Research Society Spring Meeting 2010. Strasbourg (France), 2010

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

Gaassbn-Capped Inas Quantum Dots For 1.3 ¿ 1.55 µM Emission (p. 0-0) - 7/6/2010

  • iMarina

J.M. Ulloa, A. Wierts, C. Çelebi, P.M. Koenraad, H. Boukari, L. Maingault, H. Mariette "Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy on II-VI Semiconductor Multilayer Structures"13th International Conference on II-VI Compounds Jeju (Corea) 10 al 14 d

  • P.M. Koenraad
  • L. MAINGAULT
  • H. MARIETTE
  • H. BOUKARI
  • C. CELEBI
  • A. WIERTS
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
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10/9/2007

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia

  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016

Tipo: Nacional

Importe financiado: 103220,41 Euros.

  • iMarina

Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos

  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
  • CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
  • GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023

Tipo: Nacional

Importe financiado: 82280,00 Euros.

  • iMarina

Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas

  • SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Emerging diluted III-V-nitrides and related engineered nanostructures for high efficient photovoltaic and photodetection applications

  • Jose María Ulloa (Investigador principal (IP))
  • CATALAN GOMEZ, SERGIO (Titulado/a universitario/a en formación)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016

  • iMarina

MICROFABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS EN GaAs

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-09-2020 - 31-08-2021

  • iMarina

Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.

  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011

Tipo: Nacional

Importe financiado: 207636,00 Euros.

  • iMarina

Nueva Generación de emisores de Fotones Individuales para Telecomunicaciones

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • ABUIN HERRAEZ, MANUEL (Miembro del equipo de trabajo)
  • SCHWARZ, MALTE DANIEL (Miembro del equipo de trabajo)
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Ejecución: 01-09-2023 - 31-08-2026

Tipo: Nacional

  • iMarina

Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia

  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020

Tipo: Nacional

Importe financiado: 90750,00 Euros.

  • iMarina

PRTR. Comunicaciones cuánticas

  • PEDROS AYALA, JORGE (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • BOSCA MOJENA, ALBERTO (Participante)
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
  • GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Participante)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • FABA GARCIA, JAVIER (Participante)
  • Martin Ayuso, Vicente (Investigador principal (IP))
  • Gacevic, Zarko (Investigador principal (IP))
  • BRITO MENDEZ, RUBEN DAVID (Participante)
  • VICENTE GARCIA, RAFAEL JUAN (Participante)
  • SEBASTIAN LOMBRAÑA, ALBERTO JUAN (Participante)
  • ROSALES BEJARANO, JOSE LUIS (Participante)
  • SAEZ DE BURUAGA BROUNS, JAIME (Participante)
  • GARCIA-ARISCO RIVERA, JESUS (Participante)
  • OBRADOVIC, JOVANA (Participante)
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Ejecución: 01-01-2022 - 31-12-2024

Tipo: Regional

  • iMarina

Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony

  • SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024

Tipo: Internacional

Importe financiado: 250904,88 Euros.

  • iMarina

Propiedades ópticas y estructurales de nanoestructuras de Zn(Cd)(Mg)O

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Director)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: López Ponce, Manuel

1/1/2015

  • iMarina

Structures based on GaAs(Sb)(N) semiconductor alloys for high efficiency multi-junction solar cells

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Gonzalo Martín, Alicia

1/1/2019

  • iMarina

Tuning the properties of InAs/GaAs quantum dots through a modified capping layer: application to optoelectronic devices

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Utrilla Lomas, Antonio David

1/1/2017

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:07