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Perfil en el portal institucional

Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es

CIENCIA DE MATERIALES / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Top-Hat HELLISH-VCSOA for optical amplification and wavelength conversion for 0.85 to 1.3 mu m operation

  • Chaqmaqchee, Faten Adel Ismael
  • Balkan, Naci
  • Ulloa Herrero, Jose Maria;

Nanoscale Research Letters (p. 1-6) - 1/1/2012

10.1186/1556-276x-7-525 Ver en origen

  • ISSN 19317573

Impact of N on the atomic-scale Sb distribution in quaternary GaAsSbN-capped InAs quantum dots

  • Reyes, DF
  • González, D
  • Ulloa, JM
  • Sales, DL
  • Dominguez, L
  • Mayoral, A
  • Hierro, A
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Nanoscale Research Letters - 1/1/2012

10.1186/1556-276x-7-653 Ver en origen

  • ISSN 19317573

Long-wavelength room-temperature luminescence from InAs/GaAs quantum dots with an optimized GaAsSbN capping layer

  • Utrilla, AD
  • Ulloa, JM
  • Guzman, A
  • Hierro, A

Nanoscale Research Letters - 1/1/2014

10.1186/1556-276x-9-36 Ver en origen

  • ISSN 19317573

Semiconductors Studied by Cross-sectional Scanning Tunneling Microscopy

  • ;

Nanoscience And Technology (p. 321-353) - 1/1/2011

10.1007/978-3-642-10497-8 Ver en origen

  • ISSN 14344904

General route for the decomposition of InAs quantum dots during the capping process

  • Gonzalez, D.
  • Reyes, D. F.
  • Utrilla, A. D.
  • Ben, T.
  • Braza, V.
  • Guzman, A.
  • Hierro, A.
  • Ulloa, J. M.;
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Nanotechnology - 18/2/2016

10.1088/0957-4484/27/12/125703 Ver en origen

  • ISSN 09574484

Self-assembling processes involved in the molecular beam epitaxy growth of stacked InAs/InP quantum wires

  • Ulloa, J. M.
  • Koenraad, P. M.
  • Fuster, D.
  • Gonzalez, L.
  • Gonzalez, Y.
  • Gonzalez, M. U.;

Nanotechnology - 1/1/2008

10.1088/0957-4484/19/44/445601 Ver en origen

  • ISSN 09574484

Correlation lengths in stacked InAs quantum dot systems studied by cross-sectional scanning tunnelling microscopy

  • Ouattara, L.
  • Ulloa, J. M.
  • Mikkelsen, A.
  • Lundgren, E.
  • Koenraad, P. M.
  • Borgstrom, M.
  • Samuelson, L.
  • Seifert, W.;
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Nanotechnology - 1/1/2007

10.1088/0957-4484/18/14/145403 Ver en origen

  • ISSN 09574484

VIS-UV ZnCdO/ZnO multiple quantum well nanowires and the quantification of Cd diffusion

  • Lopez-Ponce, M
  • Nakamura, A
  • Suzuki, M
  • Temmyo, J
  • Agouram, S
  • Martínez-Tomás, MC
  • Muñoz-Sanjosé, V
  • Lefebvre, P
  • Ulloa, JM
  • Muñoz, E
  • Hierro, A
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Nanotechnology - 27/6/2014

10.1088/0957-4484/25/25/255202 Ver en origen

  • ISSN 09574484

Quantitative analysis of the interplay between InAs quantum dots and wetting layer during the GaAs capping process

  • Gonzalez, D.
  • Braza, V.
  • Utrilla, A. D.
  • Gonzalo, A.
  • Reyes, D. F.
  • Ben, T.
  • Guzman, A.
  • Hierro, A.
  • Ulloa, J. M.;
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Nanotechnology - 18/9/2017

10.1088/1361-6528/aa83e2 Ver en origen

  • ISSN 09574484

Photoexcited-induced sensitivity of InGaAs surface QDs to environment

  • Milla, MJ
  • Ulloa, JM
  • Guzmán, A

Nanotechnology - 7/11/2014

10.1088/0957-4484/25/44/445501 Ver en origen

  • ISSN 09574484

Este/a investigador/a no tiene libros.

InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy

  • Ulloa, J. M.
  • Offermans, P.
  • Koenraad, P. M.;

Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008

10.1016/b978-0-08-046325-4.00005-0 Ver en origen

From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots

  • Llorens J
  • Lopes-Oliveira V
  • López-Richard V
  • Ulloa J
  • Alén B

Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018

10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen

  • ISSN 14344904

J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 nm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" Spring European Materials Research Society

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"1.3- 1.5 ¿M Gaassb-Capped Inas Quantum Dots: Effect Of The Sb Content On The Structural And Optical Properties" (p. 0-0) - 8/6/2009

  • iMarina

M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, A. GUZMÁN, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "1.3-1.5 µm emitting InAs quantum dot LEDs with (Ga, In)(N,As) and Ga(As,Sb) capping layers: a comparison" Spring European Materials Research Society Confe

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"1.3-1.5 µM Emitting Inas Quantum Dot Leds With (Ga, In)(N,As) And Ga(As,Sb) Capping Layers: A Comparison" (p. 0-0) - 14/9/2009

  • iMarina

A. HIERRO, G. TABARES, J.M. ULLOA, E. MUÑOZ, A. NAKAMURA, T. HAYASHI, J. TEMMYO "Carrier compensation by deep levels in a-plane MgxZn1-xO Schottky photodiodes grown by RPE-MOCVD" Spring European Materials Research Society Conference 2009 Strasburg (Fra

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Muñoz Merino, Elías

"Carrier Compensation By Deep Levels In A-Plane Mgxzn1-Xo Schottky Photodiodes Grown By Rpe-Mocvd" (p. 0-0) - 14/9/2009

  • iMarina

J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 µm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" 15th European Molacular Beam Epitaxy Works

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" (p. 0-0) - 8/3/2009

  • iMarina

J.M. ULLOA , P.M. KOENRAAD, M. BONNET-EYMARD, A. LÉTOUBLON, D N. BERTRU "Effect of a lattice-matched GaAsSb capping layer on the structural properties of InAs/InGaAs/InP quantum dots" 15th European Molacular Beam Epitaxy Workshop Zakopane (Poland), 200

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA

"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" (p. 0-0) - 8/3/2009

  • iMarina

D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ. "Effects of the nitrogen incorporation in the optical and structural characteristics of nitrogen-dilute InAsN QDs" European Materials Research Society Spring Meet

  • D.L. SALES
  • D.F. REYES
  • D. GONZÁLEZ
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Effects Of The Nitrogen Incorporation In The Optical And Structural Characteristics Of Nitrogen-Dilute Inasn Qds" (p. 0-0) - 8/6/2010

  • iMarina

A. HIERRO, G. TABARES, J.M. ULLOA, E. MUÑOZ, A. NAKAMURA, T. HAYASHI, J. TEMMYO "Impact of acceptor states in MgxZn1-xO Schottky photodiodes" Internacional Conference on II-VI Compounds, Saint Petersburg (Russia), 2009

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Muñoz Merino, Elías

"Impact Of Acceptor States In Mgxzn1-Xo Schottky Photodiodes" (p. 0-0) - 24/8/2009

  • iMarina

M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "InAs/(Ga,In)(N,As) Quantum Dot LEDs Emitting at 1.3-1.5 ìm" 7th Spanish Conference on Electron Devices 2009 Santiago Compostela (Spain), 2009

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Inas/(Ga,In)(N,As) Quantum Dot Leds Emitting At 1.3-1.5 Ìm" 7th Spanish Conference On Electron Devices 2009 santiago Compostela (Spain), 2009 (p. 0-0) - 11/2/2009

  • iMarina

A.GUZMÁN FERNÁNDEZ, R. GARGALLO-CABLLERO, MJ. MILLA, JM. ULLOA, A. HIERRO "Low optical degradation in InGaAsN/GaAs Quantum Dot p-i-n structures emitting from 1.1 to 1.55 µm" 16th International MBE Conference Berlín (German), 2010

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Low Optical Degradation In Ingaasn/Gaas Quantum Dot P-I-N Structures Emitting From 1.1 To 1.55 µM" (p. 0-0) - 22/8/2010

  • iMarina

R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, M. HOPKINSON, A. HIERRO, J. M. ULLOA, E. CALLEJA "Optoelectronic devices based on (Ga,In)(As,N) Quantum dots" 15th European Molacular Beam Epitaxy Workshop Zakopane (Poland), 2009

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Calleja Pardo, Enrique

"Optoelectronic Devices Based On (Ga,In)(As,N) Quantum Dots" (p. 0-0) - 2/8/2009

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos

  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
  • CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
  • GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023

Tipo: Nacional

Importe financiado: 82280,00 Euros.

  • iMarina

Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia

  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020

Tipo: Nacional

Importe financiado: 90750,00 Euros.

  • iMarina

Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020

Tipo: Internacional

Importe financiado: 698871,25 Euros.

  • iMarina

Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia

  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016

Tipo: Nacional

Importe financiado: 103220,41 Euros.

  • iMarina

ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies

  • Nakamura ., Atsushi (Participante)
  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
... Ver más Contraer

Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 174336,00 Euros.

  • iMarina

Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector

  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)

Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010

Tipo: Internacional

Importe financiado: 70000,00 Euros.

  • iMarina

Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.

  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011

Tipo: Nacional

Importe financiado: 207636,00 Euros.

  • iMarina

Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas

  • SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony

  • SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024

Tipo: Internacional

Importe financiado: 250904,88 Euros.

  • iMarina

MICROFABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS EN GaAs

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-09-2020 - 31-08-2021

  • iMarina

Propiedades ópticas y estructurales de nanoestructuras de Zn(Cd)(Mg)O

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Director)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: López Ponce, Manuel

1/1/2015

  • iMarina

Structures based on GaAs(Sb)(N) semiconductor alloys for high efficiency multi-junction solar cells

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Gonzalo Martín, Alicia

1/1/2019

  • iMarina

Tuning the properties of InAs/GaAs quantum dots through a modified capping layer: application to optoelectronic devices

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Utrilla Lomas, Antonio David

1/1/2017

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:07