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Perfil en el portal institucional

Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es

CIENCIA DE MATERIALES / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

External efficiency and carrier loss mechanisms in InAs/GaInNAs quantum dot light-emitting diodes

  • Montes, M
  • Hierro, A
  • Ulloa, JM
  • Guzmán, A
  • Al Khalfioui, M
  • Hugues, M
  • Damilano, B
  • Massies, J
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Journal Of Applied Physics - 1/8/2010

10.1063/1.3467004 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Impact of the Ga/In ratio on the N incorporation into (In,Ga)(As,N) quantum dots

  • Gargallo-Caballero, R
  • Guzmán, A
  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Hopkinson, M
  • Luna, E
  • Trampert, A
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Journal Of Applied Physics - 15/4/2012

10.1063/1.4706559 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Analysis of the modified optical properties and band structure of GaAs1-xSbx-capped InAs/GaAs quantum dots

  • Ulloa, JM
  • Llorens, JM
  • del Moral, M
  • Bozkurt, M
  • Koenraad, PM
  • Hierro, A

Journal Of Applied Physics - 1/10/2012

10.1063/1.4755794 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Annealing effects on the crystal structure of GaInNAs quantum wells with large In and N content grown by molecular beam epitaxy

  • Hierro, A
  • Ulloa, JM
  • Chauveau, JM
  • Trampert, A
  • Pinault, MA
  • Tournié, E
  • Guzmán, A
  • Sánchez-Rojas, JL
  • Calleja, E
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Journal Of Applied Physics (p. 2319-2324) - 15/8/2003

10.1063/1.1591416 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Effect of a lattice-matched GaAsSb capping layer on the structural properties of InAs/InGaAs/InP quantum dots

  • Ulloa, J. M.
  • Koenraad, P. M.
  • Bonnet-Eymard, M.
  • Letoublon, A.
  • Bertru, N.;

Journal Of Applied Physics - 1/1/2010

10.1063/1.3361036 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Role of ionized nitrogen species in the optical and structural properties of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

  • Miguel-Sánchez, J
  • Guzmán, A
  • Jahn, U
  • Trampert, A
  • Ulloa, JM
  • Muñoz, E
  • Hierro, A
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Journal Of Applied Physics - 1/1/2007

10.1063/1.2733740 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Wurtzite Zn1-y(MgxCd1-x)(y)O quaternary systems for photodiodes in visible spectral range

  • Nieda, Yoshiaki
  • Suzuki, Mari
  • Nakamura, Atsushi
  • Temmyo, Jiro
  • Tabares, Gema
  • Kurtz, Alejandro
  • Lopez, Manuel
  • Ulloa, Jose Maria
  • Hierro, Adrian
  • Munoz, Elias;
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Journal Of Crystal Growth (p. 27-34) - 1/9/2016

10.1016/j.jcrysgro.2016.05.032 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Optimization of InGaAsN(Sb)/GaAs quantum dots for optical emission at 1.55 mu m with low optical degradation

  • Milla, MJ
  • Guzmán, A
  • Gargallo-Caballero, R
  • Ulloa, JM
  • Hierro, A

Journal Of Crystal Growth (p. 215-218) - 15/5/2011

10.1016/j.jcrysgro.2010.12.045 Ver en origen

  • ISSN 00220248

InGaAsN on GaAs (111)B for telecommunication laser application

  • Miguel-Sánchez, J
  • Guzmán, A
  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Muñoz, E

Journal Of Crystal Growth (p. 234-238) - 1/5/2005

10.1016/j.jcrysgro.2004.12.068 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Structural and optical quality of InGaAsN quantum wells grown on misoriented GaAs (111)b substrates by molecular beam epitaxy

  • Miguel-Sánchez, J
  • Hopkinson, M
  • Gutiérrez, M
  • Navaretti, P
  • Liu, HY
  • Guzmán, A
  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Muñoz, E
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Journal Of Crystal Growth (p. 62-68) - 15/9/2004

10.1016/j.jcrysgro.2004.06.022 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Este/a investigador/a no tiene libros.

InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy

  • Ulloa, J. M.
  • Offermans, P.
  • Koenraad, P. M.;

Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008

10.1016/b978-0-08-046325-4.00005-0 Ver en origen

From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots

  • Llorens J
  • Lopes-Oliveira V
  • López-Richard V
  • Ulloa J
  • Alén B

Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018

10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen

  • ISSN 14344904

J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 nm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" Spring European Materials Research Society

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"1.3- 1.5 ¿M Gaassb-Capped Inas Quantum Dots: Effect Of The Sb Content On The Structural And Optical Properties" (p. 0-0) - 8/6/2009

  • iMarina

M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, A. GUZMÁN, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "1.3-1.5 µm emitting InAs quantum dot LEDs with (Ga, In)(N,As) and Ga(As,Sb) capping layers: a comparison" Spring European Materials Research Society Confe

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"1.3-1.5 µM Emitting Inas Quantum Dot Leds With (Ga, In)(N,As) And Ga(As,Sb) Capping Layers: A Comparison" (p. 0-0) - 14/9/2009

  • iMarina

A. HIERRO, G. TABARES, J.M. ULLOA, E. MUÑOZ, A. NAKAMURA, T. HAYASHI, J. TEMMYO "Carrier compensation by deep levels in a-plane MgxZn1-xO Schottky photodiodes grown by RPE-MOCVD" Spring European Materials Research Society Conference 2009 Strasburg (Fra

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Muñoz Merino, Elías

"Carrier Compensation By Deep Levels In A-Plane Mgxzn1-Xo Schottky Photodiodes Grown By Rpe-Mocvd" (p. 0-0) - 14/9/2009

  • iMarina

J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 µm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" 15th European Molacular Beam Epitaxy Works

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" (p. 0-0) - 8/3/2009

  • iMarina

J.M. ULLOA , P.M. KOENRAAD, M. BONNET-EYMARD, A. LÉTOUBLON, D N. BERTRU "Effect of a lattice-matched GaAsSb capping layer on the structural properties of InAs/InGaAs/InP quantum dots" 15th European Molacular Beam Epitaxy Workshop Zakopane (Poland), 200

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA

"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" (p. 0-0) - 8/3/2009

  • iMarina

D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ. "Effects of the nitrogen incorporation in the optical and structural characteristics of nitrogen-dilute InAsN QDs" European Materials Research Society Spring Meet

  • D.L. SALES
  • D.F. REYES
  • D. GONZÁLEZ
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Effects Of The Nitrogen Incorporation In The Optical And Structural Characteristics Of Nitrogen-Dilute Inasn Qds" (p. 0-0) - 8/6/2010

  • iMarina

A. HIERRO, G. TABARES, J.M. ULLOA, E. MUÑOZ, A. NAKAMURA, T. HAYASHI, J. TEMMYO "Impact of acceptor states in MgxZn1-xO Schottky photodiodes" Internacional Conference on II-VI Compounds, Saint Petersburg (Russia), 2009

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Muñoz Merino, Elías

"Impact Of Acceptor States In Mgxzn1-Xo Schottky Photodiodes" (p. 0-0) - 24/8/2009

  • iMarina

M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "InAs/(Ga,In)(N,As) Quantum Dot LEDs Emitting at 1.3-1.5 ìm" 7th Spanish Conference on Electron Devices 2009 Santiago Compostela (Spain), 2009

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Inas/(Ga,In)(N,As) Quantum Dot Leds Emitting At 1.3-1.5 Ìm" 7th Spanish Conference On Electron Devices 2009 santiago Compostela (Spain), 2009 (p. 0-0) - 11/2/2009

  • iMarina

A.GUZMÁN FERNÁNDEZ, R. GARGALLO-CABLLERO, MJ. MILLA, JM. ULLOA, A. HIERRO "Low optical degradation in InGaAsN/GaAs Quantum Dot p-i-n structures emitting from 1.1 to 1.55 µm" 16th International MBE Conference Berlín (German), 2010

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Low Optical Degradation In Ingaasn/Gaas Quantum Dot P-I-N Structures Emitting From 1.1 To 1.55 µM" (p. 0-0) - 22/8/2010

  • iMarina

R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, M. HOPKINSON, A. HIERRO, J. M. ULLOA, E. CALLEJA "Optoelectronic devices based on (Ga,In)(As,N) Quantum dots" 15th European Molacular Beam Epitaxy Workshop Zakopane (Poland), 2009

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Calleja Pardo, Enrique

"Optoelectronic Devices Based On (Ga,In)(As,N) Quantum Dots" (p. 0-0) - 2/8/2009

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos

  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
  • CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
  • GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023

Tipo: Nacional

Importe financiado: 82280,00 Euros.

  • iMarina

Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia

  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020

Tipo: Nacional

Importe financiado: 90750,00 Euros.

  • iMarina

Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020

Tipo: Internacional

Importe financiado: 698871,25 Euros.

  • iMarina

Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia

  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016

Tipo: Nacional

Importe financiado: 103220,41 Euros.

  • iMarina

ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies

  • Nakamura ., Atsushi (Participante)
  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
... Ver más Contraer

Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 174336,00 Euros.

  • iMarina

Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector

  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)

Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010

Tipo: Internacional

Importe financiado: 70000,00 Euros.

  • iMarina

Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.

  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011

Tipo: Nacional

Importe financiado: 207636,00 Euros.

  • iMarina

Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas

  • SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony

  • SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024

Tipo: Internacional

Importe financiado: 250904,88 Euros.

  • iMarina

MICROFABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS EN GaAs

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-09-2020 - 31-08-2021

  • iMarina

Propiedades ópticas y estructurales de nanoestructuras de Zn(Cd)(Mg)O

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Director)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: López Ponce, Manuel

1/1/2015

  • iMarina

Structures based on GaAs(Sb)(N) semiconductor alloys for high efficiency multi-junction solar cells

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Gonzalo Martín, Alicia

1/1/2019

  • iMarina

Tuning the properties of InAs/GaAs quantum dots through a modified capping layer: application to optoelectronic devices

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Utrilla Lomas, Antonio David

1/1/2017

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:07