Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es
Actividades
- Artículos 113
- Libros 0
- Capítulos de libro 2
- Congresos 130
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 13
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
Near Infrared InAs/GaAsSb Quantum Dot Light Emitting Diodes
- Montes Bajo, M
- Ulloa, JM
- del Moral, M
- Guzmán, A
- Hierro, A
Ieee Journal Of Quantum Electronics (p. 1547-1556) - 30/11/2011
10.1109/jqe.2011.2174617 Ver en origen
- ISSN 00189197
Inhibition of In desorption in diluted nitride InAsN quantum dots
- Reyes, DF
- González, D
- Sales, DL
- Gargallo-Caballero, R
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
Applied Physics Letters - 14/2/2011
10.1063/1.3554386 Ver en origen
- ISSN 00036951
Optimization of InGaAsN(Sb)/GaAs quantum dots for optical emission at 1.55 mu m with low optical degradation
- Milla, MJ
- Guzmán, A
- Gargallo-Caballero, R
- Ulloa, JM
- Hierro, A
Journal Of Crystal Growth (p. 215-218) - 15/5/2011
10.1016/j.jcrysgro.2010.12.045 Ver en origen
- ISSN 00220248
An atomic scale study on the effect of Sb during capping of MBE grown III-V semiconductor QDs
- Bozkurt, M.
- Ulloa, J. M.
- Koenraad, P. M.;
Semiconductor Science And Technology - 1/6/2011
10.1088/0268-1242/26/6/064007 Ver en origen
- ISSN 13616641
Impact of N on the atomic-scale Sb distribution in quaternary GaAsSbN-capped InAs quantum dots
Nanoscale Research Letters - 1/1/2012
10.1186/1556-276x-7-653 Ver en origen
- ISSN 19317573
Top-Hat HELLISH-VCSOA for optical amplification and wavelength conversion for 0.85 to 1.3 mu m operation
- Chaqmaqchee, Faten Adel Ismael
- Balkan, Naci
- Ulloa Herrero, Jose Maria;
Nanoscale Research Letters (p. 1-6) - 1/1/2012
10.1186/1556-276x-7-525 Ver en origen
- ISSN 19317573
Analysis of the modified optical properties and band structure of GaAs1-xSbx-capped InAs/GaAs quantum dots
- Ulloa, JM
- Llorens, JM
- del Moral, M
- Bozkurt, M
- Koenraad, PM
- Hierro, A
Journal Of Applied Physics - 1/10/2012
10.1063/1.4755794 Ver en origen
- ISSN 00218979
High optical sensitivity to ambient conditions of uncapped InGaAs surface quantum dots
- Milla, MJ
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
Applied Physics Letters - 26/3/2012
10.1063/1.3697992 Ver en origen
- ISSN 00036951
Impact of the Ga/In ratio on the N incorporation into (In,Ga)(As,N) quantum dots
- Gargallo-Caballero, R
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Hopkinson, M
- Luna, E
- Trampert, A
Journal Of Applied Physics - 15/4/2012
10.1063/1.4706559 Ver en origen
- ISSN 00218979
Kinetic Monte Carlo simulations and cross-sectional scanning tunneling microscopy as tools to investigate the heteroepitaxial capping of self-assembled quantum dots
- Keizer, JG
- Koenraad, PM
- Smereka, P
- Ulloa, JM
- Guzman, A
- Hierro, A
Physical Review b - 27/4/2012
10.1103/physrevb.85.155326 Ver en origen
- ISSN 01631829
Este/a investigador/a no tiene libros.
InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy
- Ulloa, J. M.
- Offermans, P.
- Koenraad, P. M.;
Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008
From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots
- Llorens J
- Lopes-Oliveira V
- López-Richard V
- Ulloa J
- Alén B
Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018
10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen
- ISSN 14344904
Piezoelectric effects in InGaAs Quantum Well Lasers grown on (111)B GaAs substrates
- Borruel, L
- Ulloa, JM
- Sanchez, JJ
- Romero, B
- Temmyo, J
- Tijero, JMG
- Sanchez-Rojas, JL
- Esquivias, I;
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 215-226) - 9/9/2001
10.1117/12.432568 Ver en origen
- ISSN 0277786X
- iMarina
- iMarina
Optimization of InGaAsN on GaAs (111)B for semicnductor laser devices
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
2005 Spanish Conference On Electron Devices (p. 319-322) - 1/12/2005
10.1109/sced.2005.1504392 Ver en origen
- ISSN 0780388100
- iMarina
- iMarina
Effects of rapid thermal annealing on InGaAsN quantum well based devices grown on misoriented (111)B GaAs
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 766-773) - 9/12/2005
10.1117/12.608415 Ver en origen
- ISSN 0277786X
Influence of carrier localization on the performance of MBE grown GaInNAs/GaAs QW light emitting diodes and laser diodes
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Montes, M
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Damilano, B
- Barjon, J
- Hugues, M
- Duboz, JY
- Massies, J
- Trampert, A
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 81-90) - 9/12/2005
10.1117/12.608369 Ver en origen
- ISSN 0277786X
Analysis of the room temperature performance of 1.3-1.52 mu m GaInNAs/GaAs LDs grown by MBE
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Montes, M
- Damilano, B
- Barjon, J
- Hugues, M
- Duboz, JY
- Massies, J
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 72-80) - 9/12/2005
10.1117/12.608368 Ver en origen
- ISSN 0277786X
- iMarina
- iMarina
(Ga,In)(N,As)/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy for above 1.3 mu m low threshold lasers
- Damilano, B
- Barjon, J
- Hugues, M
- Duboz, JY
- Massies, J
- Ulloa, JM
- Montes, M
- Hierro, A
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 781-789) - 12/12/2005
10.1117/12.608752 Ver en origen
- ISSN 0277786X
- iMarina
- iMarina
Atomic scale study of the impact of the strain and composition of the capping layer on the formation of InAs quantum dots
- Ulloa, J. M.
- Celebi, C.
- Koenraad, P. M.
- Simon, A.
- Gapihan, E.
- Letoublon, A.
- Bertru, N.
- Drouzas, I.
- Mowbray, D. J.
- Steer, M. J.
- Hopkinson, M.;
Journal Of Applied Physics - 1/1/2007
10.1063/1.2722738 Ver en origen
- ISSN 00218979
I. W.D. Drouzas, J. M. Ulloa, P. M. Koenraad, D. J. Mowbray, M. Steer, H. Y. Liu, M. Hopkinson "InAs self-assembled quantum dots with a GaAsSb strain reducing layer: Structural and compositional analysis by cross sectional scanning tunnelling microscopy"
- P. M. Koenraad
- M. Hopkison
- M. Steer
- I. W.D. Drouzas
- H. Y. Liu
- D. J. Mowbray
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
2/4/2007
- iMarina
J. M. Ulloa, C. Çelebi, P. Offermans, P.M. Koenraad, A. Simon, E. Gapihan, A. Letoublon, N. Bertru, I. Drouzas, D.J. Mowbray, M.J. Steer, M. Hopkinson "Capping of InAs quantum dots studied at the atomic scale by cross-sectional scanning tunneling micros
- P.M. Koenraad
- P. Offermans
- N. Bertru
- M.J. Steer
- M. Hopkinson
- I. Drouzas
- E. Gapihan
- D.J. Mowbray
- C. Çelebi
- A. Letoublon
- A. Simon
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
2/4/2007
- iMarina
J. M. Ulloa, P. M. Koenraad, E. Gapihan, A. Letoublon, N. Bertru "Double capping of InAs/InP (311)B quantum dots studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy" One day Quantum Dot Meeting 2007 Nottingham (UK) 2 al 5 de abril de 2007 2007
- P. M. Koenraad
- N. Bertru
- E. Gapihan
- A. Letoublon
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
2/4/2007
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas
- SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011
Tipo: Nacional
Importe financiado: 207636,00 Euros.
- iMarina
Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010
Tipo: Internacional
Importe financiado: 70000,00 Euros.
- iMarina
ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies
- Nakamura ., Atsushi (Participante)
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 174336,00 Euros.
- iMarina
Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
Tipo: Nacional
Importe financiado: 103220,41 Euros.
- iMarina
Emerging diluted III-V-nitrides and related engineered nanostructures for high efficient photovoltaic and photodetection applications
- Jose María Ulloa (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Titulado/a universitario/a en formación)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
- iMarina
Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020
Tipo: Internacional
Importe financiado: 698871,25 Euros.
- iMarina
Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020
Tipo: Nacional
Importe financiado: 90750,00 Euros.
- iMarina
Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024
Tipo: Internacional
Importe financiado: 250904,88 Euros.
- iMarina
Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023
Tipo: Nacional
Importe financiado: 82280,00 Euros.
- iMarina
Propiedades ópticas y estructurales de nanoestructuras de Zn(Cd)(Mg)O
- HIERRO CANO, ADRIAN (Director)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: López Ponce, Manuel
1/1/2015
- iMarina
Tuning the properties of InAs/GaAs quantum dots through a modified capping layer: application to optoelectronic devices
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Utrilla Lomas, Antonio David
1/1/2017
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
-
Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
-
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