Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es
Actividades
- Artículos 113
- Libros 0
- Capítulos de libro 2
- Congresos 130
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 13
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
Characterisation of strained (111)B InGaAs/GaAs quantum well lasers with intracavity optical modulator
- Fleischmann, T
- Ulloa, JM
- Moran, M
- Rees, GJ
- Woodhead, J
- Hopkinson, M;
Microelectronics Journal (p. 547-552) - 1/1/2002
10.1016/s0026-2692(02)00017-4 Ver en origen
- ISSN 00262692
AlGaN nanocolumns and AlGaN/GaN/AlGaN nanostructures grown by molecular beam epitaxy
- Ristic, J
- Sánchez-García, MA
- Ulloa, JM
- Calleja, E
- Sanchez-Páramo, J
- Calleja, JM
- Jahn, U
- Trampert, A
- Ploog, KH
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics (p. 717-721) - 1/12/2002
10.1002/1521-3951(200212)234:3<717::aid-pssb717>3.0.co;2-8 Ver en origen
- ISSN 15213951
Spontaneous emission study of (111) InGaAs/GaAs quantum well lasers
- Ulloa, JM
- Borruel, L
- Tijero, JMG
- Temmyo, J
- Esquivias, I
- Izpura, I
- Sanchez-Rojas, JL;
Microelectronics Journal (p. 589-593) - 1/7/2002
10.1016/s0026-2692(02)00024-1 Ver en origen
- ISSN 00262692
- iMarina
- iMarina
Characterization of GaN quantum discs embedded in AlxGa1-xN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy
- Ristic, J
- Calleja, E
- Sanchez-Garcia, MA
- Ulloa, JM
- Sanchez-Paramo, J
- Calleja, JM
- Jahn, U
- Trampert, A
- Ploog, KH
Physical Review b - 1/1/2003
10.1103/physrevb.68.125305 Ver en origen
- ISSN 01631829
Dilute nitride based double-barrier quantum-well infrared photodetector operating in the near infrared
- Luna, E
- Hopkinson, M
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
- Muñoz, E
Applied Physics Letters (p. 3111-3113) - 13/10/2003
10.1063/1.1618931 Ver en origen
- ISSN 00036951
Effect of nitrogen on the band structure and material gain of InyGa1-yAs1-xNx-GaAs quantum wells
- Ulloa, JM
- Sánchez-Rojas, JL
- Hierro, A
- Tijero, JMG
- Tournié, E
Ieee Journal Of Selected Topics In Quantum Electronics (p. 716-722) - 1/5/2003
10.1109/jstqe.2003.818860 Ver en origen
- ISSN 1077260X
Annealing effects on the crystal structure of GaInNAs quantum wells with large In and N content grown by molecular beam epitaxy
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Chauveau, JM
- Trampert, A
- Pinault, MA
- Tournié, E
- Guzmán, A
- Sánchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Journal Of Applied Physics (p. 2319-2324) - 15/8/2003
10.1063/1.1591416 Ver en origen
- ISSN 00218979
Influence of substrate misorientation and growth temperature on N incorporation in InGaAsN/GaAs quantum wells grown on (111)B GaAs
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures (p. 356-361) - 1/1/2004
10.1016/j.physe.2003.11.282 Ver en origen
- ISSN 13869477
Effect of nitrogen ions on the properties of InGaAsN quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 305-308) - 1/1/2004
10.1049/ip-opt:20040910 Ver en origen
- ISSN 13502433
Optoelectronic properties of 2-D and 3-D-grown GaInNAs/GaAs QW light emitting diodes and laser diodes
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Miguel-Sanchez, J
- Guzman, A
- Trampert, A
- Sanchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 421-425) - 1/10/2004
10.1049/ip-opt:20040911 Ver en origen
- ISSN 13502433
Este/a investigador/a no tiene libros.
InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy
- Ulloa, J. M.
- Offermans, P.
- Koenraad, P. M.;
Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008
From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots
- Llorens J
- Lopes-Oliveira V
- López-Richard V
- Ulloa J
- Alén B
Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018
10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen
- ISSN 14344904
D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ "Efecto de la incorporación de nitrógeno en puntos cuánticos enterrados de in In(Ga)As crecidos sobre GaAs" Congreso Nacional de Materiales, Zaragoza (Spain), 2010
- D.L. SALES
- D.F. REYES
- D. González
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Efecto De La Incorporación De Nitrógeno En Puntos Cuánticos Enterrados De In In(Ga)As Crecidos Sobre Gaas (p. 0-0) - 23/6/2010
- iMarina
A.GUZMÁN FERNÁNDEZ, R. GARGALLO-CABLLERO, MJ. MILLA, JM. ULLOA, A. HIERRO "Low optical degradation in InGaAsN/GaAs Quantum Dot p-i-n structures emitting from 1.1 to 1.55 µm" 16th International MBE Conference Berlín (German), 2010
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Low Optical Degradation In Ingaasn/Gaas Quantum Dot P-I-N Structures Emitting From 1.1 To 1.55 µM" (p. 0-0) - 22/8/2010
- iMarina
Evaluation of the In desorption during the capping process of diluted nitride In(Ga)As quantum dots
- Reyes, DF
- Sales, DL
- Gargallo-Caballero, R
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Guzmán, A
- García, R
- González, D
Journal Of Physics: Conference Series - 1/1/2011
10.1088/1742-6596/326/1/012049 Ver en origen
- ISSN 17426588
Processing and adsorption control in ZnO single nanowire photodetectors
Proceedings Of The 8th Spanish Conference On Electron Devices, Cde'2011 (p. 0-0) - 9/2/2011
10.1109/sced.2011.5744157 Ver en origen
- iMarina
- iMarina
Oxide based UV photodetection using schottky photodiodes
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Muñoz Merino, Elías
Proceedings (p. 0-0) - 16/3/2011
- iMarina
J.M. Ulloa, M. Montes, K. Yamamoto, Z. Gacevic, A. Guzmán, A. Hierro, M. Bozkurt, P.M.Koenraad, D. Fernández, D. González and D. Sales "Tuning the size, strain and band offsets of InAs/GaAs quantum dots through a thin GaAs(Sb)(N) capping layer"
- P.M. Koenraad
- M. Montes
- M. Bozkurt
- K. Yamamoto
- D. Sales
- D. González
- D. Fernández
- A. Guzman
- Gacevic, Zarko
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Tuning The Size, Strain And Band Offsets Of Inas/Gaas Quantum Dots Through A Thin Gaas(Sb)(N) Capping Layer" (p. 0-0) - 20/3/2011
- iMarina
Tuning the size, strain and band offsets of InAs/GaAs quantum dots through a thin GaAs(Sb)(N) capping layer
- M Montes
- M Boz
- K Yamamoto
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-0) - 20/3/2011
- iMarina
Evaluation of the In desorption during the capped process in diluted nitride In(Ga)As quantum dots
- R Gargallo-Caballero
- et al
- DL Sales
- DF Reyes
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-0) - 4/4/2011
- iMarina
Size, strain and band offset engineering in GaAs(Sb)(N)-capped InAs quantum dots for 1.3-1.55 mu m emitters
- M Montes
- K. Yamamoto
- et al
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 0-0) - 27/4/2011
10.1117/12.875014 Ver en origen
- ISSN 0277786X
- iMarina
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas
- SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011
Tipo: Nacional
Importe financiado: 207636,00 Euros.
- iMarina
Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010
Tipo: Internacional
Importe financiado: 70000,00 Euros.
- iMarina
ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies
- Nakamura ., Atsushi (Participante)
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 174336,00 Euros.
- iMarina
Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
Tipo: Nacional
Importe financiado: 103220,41 Euros.
- iMarina
Emerging diluted III-V-nitrides and related engineered nanostructures for high efficient photovoltaic and photodetection applications
- Jose María Ulloa (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Titulado/a universitario/a en formación)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
- iMarina
Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020
Tipo: Internacional
Importe financiado: 698871,25 Euros.
- iMarina
Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020
Tipo: Nacional
Importe financiado: 90750,00 Euros.
- iMarina
Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024
Tipo: Internacional
Importe financiado: 250904,88 Euros.
- iMarina
Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023
Tipo: Nacional
Importe financiado: 82280,00 Euros.
- iMarina
Propiedades ópticas y estructurales de nanoestructuras de Zn(Cd)(Mg)O
- HIERRO CANO, ADRIAN (Director)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: López Ponce, Manuel
1/1/2015
- iMarina
Tuning the properties of InAs/GaAs quantum dots through a modified capping layer: application to optoelectronic devices
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Utrilla Lomas, Antonio David
1/1/2017
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
-
Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
-
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