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Perfil en el portal institucional

Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es

CIENCIA DE MATERIALES / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Characterisation of strained (111)B InGaAs/GaAs quantum well lasers with intracavity optical modulator

  • Fleischmann, T
  • Ulloa, JM
  • Moran, M
  • Rees, GJ
  • Woodhead, J
  • Hopkinson, M;

Microelectronics Journal (p. 547-552) - 1/1/2002

10.1016/s0026-2692(02)00017-4 Ver en origen

  • ISSN 00262692

AlGaN nanocolumns and AlGaN/GaN/AlGaN nanostructures grown by molecular beam epitaxy

  • Ristic, J
  • Sánchez-García, MA
  • Ulloa, JM
  • Calleja, E
  • Sanchez-Páramo, J
  • Calleja, JM
  • Jahn, U
  • Trampert, A
  • Ploog, KH
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Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics (p. 717-721) - 1/12/2002

10.1002/1521-3951(200212)234:3<717::aid-pssb717>3.0.co;2-8 Ver en origen

  • ISSN 15213951

Spontaneous emission study of (111) InGaAs/GaAs quantum well lasers

  • Ulloa, JM
  • Borruel, L
  • Tijero, JMG
  • Temmyo, J
  • Esquivias, I
  • Izpura, I
  • Sanchez-Rojas, JL;
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Microelectronics Journal (p. 589-593) - 1/7/2002

10.1016/s0026-2692(02)00024-1 Ver en origen

  • ISSN 00262692

Characterization of GaN quantum discs embedded in AlxGa1-xN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy

  • Ristic, J
  • Calleja, E
  • Sanchez-Garcia, MA
  • Ulloa, JM
  • Sanchez-Paramo, J
  • Calleja, JM
  • Jahn, U
  • Trampert, A
  • Ploog, KH
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Physical Review b - 1/1/2003

10.1103/physrevb.68.125305 Ver en origen

  • ISSN 01631829

Dilute nitride based double-barrier quantum-well infrared photodetector operating in the near infrared

  • Luna, E
  • Hopkinson, M
  • Ulloa, JM
  • Guzmán, A
  • Muñoz, E

Applied Physics Letters (p. 3111-3113) - 13/10/2003

10.1063/1.1618931 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Effect of nitrogen on the band structure and material gain of InyGa1-yAs1-xNx-GaAs quantum wells

  • Ulloa, JM
  • Sánchez-Rojas, JL
  • Hierro, A
  • Tijero, JMG
  • Tournié, E

Ieee Journal Of Selected Topics In Quantum Electronics (p. 716-722) - 1/5/2003

10.1109/jstqe.2003.818860 Ver en origen

  • ISSN 1077260X

Annealing effects on the crystal structure of GaInNAs quantum wells with large In and N content grown by molecular beam epitaxy

  • Hierro, A
  • Ulloa, JM
  • Chauveau, JM
  • Trampert, A
  • Pinault, MA
  • Tournié, E
  • Guzmán, A
  • Sánchez-Rojas, JL
  • Calleja, E
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Journal Of Applied Physics (p. 2319-2324) - 15/8/2003

10.1063/1.1591416 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Influence of substrate misorientation and growth temperature on N incorporation in InGaAsN/GaAs quantum wells grown on (111)B GaAs

  • Miguel-Sánchez, J
  • Guzmán, A
  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Muñoz, E

Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures (p. 356-361) - 1/1/2004

10.1016/j.physe.2003.11.282 Ver en origen

  • ISSN 13869477

Effect of nitrogen ions on the properties of InGaAsN quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

  • Miguel-Sánchez, J
  • Guzmán, A
  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Muñoz, E

Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 305-308) - 1/1/2004

10.1049/ip-opt:20040910 Ver en origen

  • ISSN 13502433

Optoelectronic properties of 2-D and 3-D-grown GaInNAs/GaAs QW light emitting diodes and laser diodes

  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Miguel-Sanchez, J
  • Guzman, A
  • Trampert, A
  • Sanchez-Rojas, JL
  • Calleja, E
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Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 421-425) - 1/10/2004

10.1049/ip-opt:20040911 Ver en origen

  • ISSN 13502433

Este/a investigador/a no tiene libros.

InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy

  • Ulloa, J. M.
  • Offermans, P.
  • Koenraad, P. M.;

Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008

10.1016/b978-0-08-046325-4.00005-0 Ver en origen

From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots

  • Llorens J
  • Lopes-Oliveira V
  • López-Richard V
  • Ulloa J
  • Alén B

Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018

10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen

  • ISSN 14344904

A. NAKAMURA, T. HAYASHI, J. TEMMYO, A. HIERRO, G. TABARES, J.M.ULLOA, E.MUÑOZ "Schottky barrier contacts formed on polar-, nonporlar-MgxZn1-xO film grown by remote-plasma-enhanced MOCVD" Internacional Conference on II-VI Compounds, San Petersburgo, Ru

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Muñoz Merino, Elías

"Schottky Barrier Contacts Formed On Polar-, Nonporlar-Mgxzn1-Xo Film Grown By Remote-Plasma-Enhanced Mocvd" (p. 0-0) - 23/8/2009

  • iMarina

A. HIERRO, G. TABARES, J.M. ULLOA, E. MUÑOZ, A. NAKAMURA, T. HAYASHI, J. TEMMYO "Impact of acceptor states in MgxZn1-xO Schottky photodiodes" Internacional Conference on II-VI Compounds, Saint Petersburg (Russia), 2009

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Muñoz Merino, Elías

"Impact Of Acceptor States In Mgxzn1-Xo Schottky Photodiodes" (p. 0-0) - 24/8/2009

  • iMarina

A. HIERRO, G. TABARES, J.M. ULLOA, E. MUÑOZ, A. NAKAMURA, T. HAYASHI, J. TEMMYO "Carrier compensation by deep levels in a-plane MgxZn1-xO Schottky photodiodes grown by RPE-MOCVD" Spring European Materials Research Society Conference 2009 Strasburg (Fra

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Muñoz Merino, Elías

"Carrier Compensation By Deep Levels In A-Plane Mgxzn1-Xo Schottky Photodiodes Grown By Rpe-Mocvd" (p. 0-0) - 14/9/2009

  • iMarina

M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, A. GUZMÁN, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "1.3-1.5 µm emitting InAs quantum dot LEDs with (Ga, In)(N,As) and Ga(As,Sb) capping layers: a comparison" Spring European Materials Research Society Confe

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"1.3-1.5 µM Emitting Inas Quantum Dot Leds With (Ga, In)(N,As) And Ga(As,Sb) Capping Layers: A Comparison" (p. 0-0) - 14/9/2009

  • iMarina

QD laser on InP substrate for 1.55 mu m emission and beyond

  • Bertru, N.
  • Paranthoen, C.
  • Dehaese, O.
  • Folliot, H.
  • Le Corre, A.
  • Piron, R.
  • Grillot, F.
  • Lu, W.
  • Even, J.
  • Elias, G.
  • Levallois, C.
  • Loualiche, S.
  • Bozkurt, M.
  • Ulloa, J.
  • Koenraad, P.
  • Ponchet, A.;
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Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering - 1/1/2010

10.1117/12.848398 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Control of Strain in GaSbAs/InAs/GaAs Quantum Dots

  • Haxha, V.
  • Drouzas, I.
  • Ulloa, J. M.
  • Bozkurt, M.
  • Koenraad, P. M.
  • Mowbray, D. J.
  • Liu, H. Y.
  • Steer, M. J.
  • Hopkinson, M.
  • Migliorato, M. A.;
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Journal Of Physics: Conference Series - 1/1/2010

10.1088/1742-6596/245/1/012065 Ver en origen

  • ISSN 17426588

J. M. ULLOA, M. DEL MORAL, M. BOZKURT, R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, P. M. KOENRAAD, A. HIERRO "GaAsSb-capped InAs quantum dots: from enlarged quantum dot height to alloy fluctuations" Internacional Quantum Dot Conference 2010. Nottinghan (UK), 2010

  • P. M. Koenraad
  • M. DEL MORAL
  • M. Bozkurt
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

Gaassb-Capped Inas Quantum Dots: From Enlarged Quantum Dot Height To Alloy Fluctuations (p. 0-0) - 26/4/2010

  • iMarina

J.M. ULLOA, R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, A. HIERRO . "GaAsSbN-capped InAs quantum dots for 1.3 - 1.55 µm emission" European Materials Research Society Spring Meeting 2010. Strasbourg (France), 2010

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

Gaassbn-Capped Inas Quantum Dots For 1.3 ¿ 1.55 µM Emission (p. 0-0) - 7/6/2010

  • iMarina

D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ. "Effects of the nitrogen incorporation in the optical and structural characteristics of nitrogen-dilute InAsN QDs" European Materials Research Society Spring Meet

  • D.L. SALES
  • D.F. REYES
  • D. GONZÁLEZ
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Effects Of The Nitrogen Incorporation In The Optical And Structural Characteristics Of Nitrogen-Dilute Inasn Qds" (p. 0-0) - 8/6/2010

  • iMarina

J.M. ULLOA, P.M. KOENRAAD, M. HOPKINSON "Structural properties of GaAsN/GaAs quantum wells studied at the atomic scale by cross-sectional scanning tunneling microscopy". European Materials Research Society Spring Meeting 2010 Strasbourg (France), 2010

  • P.M. Koenraad
  • M. HOPKINSON
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA

Structural Properties Of Gaasn/Gaas Quantum Wells Studied At The Atomic Scale By Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy (p. 0-0) - 8/6/2010

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas

  • SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.

  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011

Tipo: Nacional

Importe financiado: 207636,00 Euros.

  • iMarina

Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector

  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)

Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010

Tipo: Internacional

Importe financiado: 70000,00 Euros.

  • iMarina

ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies

  • Nakamura ., Atsushi (Participante)
  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 174336,00 Euros.

  • iMarina

Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia

  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016

Tipo: Nacional

Importe financiado: 103220,41 Euros.

  • iMarina

Emerging diluted III-V-nitrides and related engineered nanostructures for high efficient photovoltaic and photodetection applications

  • Jose María Ulloa (Investigador principal (IP))
  • CATALAN GOMEZ, SERGIO (Titulado/a universitario/a en formación)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016

  • iMarina

Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020

Tipo: Internacional

Importe financiado: 698871,25 Euros.

  • iMarina

Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia

  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020

Tipo: Nacional

Importe financiado: 90750,00 Euros.

  • iMarina

Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony

  • SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024

Tipo: Internacional

Importe financiado: 250904,88 Euros.

  • iMarina

Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos

  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
  • CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
  • GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023

Tipo: Nacional

Importe financiado: 82280,00 Euros.

  • iMarina

Propiedades ópticas y estructurales de nanoestructuras de Zn(Cd)(Mg)O

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Director)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: López Ponce, Manuel

1/1/2015

  • iMarina

Tuning the properties of InAs/GaAs quantum dots through a modified capping layer: application to optoelectronic devices

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Utrilla Lomas, Antonio David

1/1/2017

  • iMarina

Structures based on GaAs(Sb)(N) semiconductor alloys for high efficiency multi-junction solar cells

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Gonzalo Martín, Alicia

1/1/2019

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:07