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Perfil en el portal institucional

Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es

CIENCIA DE MATERIALES / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Nitrogen mapping from ADF imaging analysis in quaternary dilute nitride superlattices

  • Ruiz-Marin, N.
  • Reyes, D. F.
  • Braza, V
  • Gonzalo, A.
  • Ben, T.
  • Flores, S.
  • Utrilla, A. D.
  • Ulloa, J. M.
  • Gonzalez, D.;
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Applied Surface Science (p. 473-478) - 1/5/2019

10.1016/j.apsusc.2018.12.228 Ver en origen

  • ISSN 01694332

Size and shape tunability of self-assembled InAs/GaAs nanostructures through the capping rate

  • Utrilla, Antonio D.
  • Grossi, Davide F.
  • Reyes, Daniel F.
  • Gonzalo, Alicia
  • Braza, Veronica
  • Ben, Teresa
  • Gonzalez, David
  • Guzman, Alvaro
  • Hierro, Adrian
  • Koenraad, Paul M.
  • Ulloa, Jose M.;
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Applied Surface Science (p. 260-266) - 30/6/2018

10.1016/j.apsusc.2018.03.098 Ver en origen

  • ISSN 01694332

Compositional inhomogeneities in type-I and type-II superlattices for GaAsSbN-based solar cells: Effect of thermal annealing

  • Braza, V
  • Reyes, D. F.
  • Gonzalo, A.
  • Utrilla, A. D.
  • Ulloa, J. M.
  • Flores, S.
  • Ben, T.
  • Gonzalez, D.;
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Applied Surface Science (p. 1-8) - 30/11/2018

10.1016/j.apsusc.2018.07.184 Ver en origen

  • ISSN 01694332

Modelling of the Sb and N distribution in type II GaAsSb/GaAsN superlattices for solar cell applications

  • Reyes, D. F.
  • Braza, V.
  • Gonzalo, A.
  • Utrilla, A. D.
  • Ulloa, J. M.
  • Ben, T.
  • Gonzalez, D.;
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Applied Surface Science (p. 664-672) - 1/6/2018

10.1016/j.apsusc.2018.02.113 Ver en origen

  • ISSN 01694332

Formation mechanisms of agglomerations in high-density InAs/GaAs quantum dot multi-layer structures

  • Ruiz-Marín N
  • Reyes DF
  • Braza V
  • Flores S
  • Gonzalo A
  • Ulloa JM
  • Ben T
  • González D
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Applied Surface Science - 1/4/2020

10.1016/j.apsusc.2019.145218 Ver en origen

  • ISSN 01694332

Evaluation of different capping strategies in the InAs/GaAs QD system: Composition, size and QD density features

  • González D
  • Flores S
  • Ruiz-Marín N
  • Reyes DF
  • Stanojević L
  • Utrilla AD
  • Gonzalo A
  • Gallego Carro A
  • Ulloa JM
  • Ben T
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Applied Surface Science - 1/1/2021

10.1016/j.apsusc.2020.148062 Ver en origen

  • ISSN 01694332

Sb segregation in ultrathin GaAsSb layers: A quantitative analysis of soaking/desorption stages

  • Flores, S
  • Braza, V
  • Reyes, DF
  • Ben, T
  • Carro, AG
  • Schwarz, M
  • Ulloa, JM
  • Gonzalez, D
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Applied Surface Science - 30/1/2024

10.1016/j.apsusc.2023.158676 Ver en origen

  • ISSN 01694332

Self-assembled MgxZn1-xO quantum dots (0 <= x <= 1) on different substrates using spray pyrolysis methodology

  • Achary, SR
  • Agouram, S
  • Sánchez-Royo, JF
  • Lopez-Ponce, M
  • Ulloa, JM
  • Muñoz, E
  • Hierro, A
  • Muñoz-Sanjosé, V
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Crystengcomm (p. 182-191) - 7/1/2013

10.1039/c2ce26253c Ver en origen

  • ISSN 14668033

Performance improvement of 1.52 mu m (Ga,In)(N,As)/GaAs quantum well lasers on GaAs substrates

  • Hugues, M
  • Damilano, B
  • Barjon, J
  • Duboz, JY
  • Massies, J
  • Ulloa, JM
  • Montes, M
  • Hierro, A
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Electronics Letters (p. 595-596) - 12/5/2005

10.1049/el:20050487 Ver en origen

  • ISSN 00135194

Multiscale in modelling and validation for solar photovoltaics

  • Hamed TA
  • Adamovic N
  • Aeberhard U
  • Alonso-Alvarez D
  • Amin-Akhlaghi Z
  • Auf Der Maur M
  • Beattie N
  • Bednar N
  • Berland K
  • Birner S
  • Califano M
  • Capan I
  • Cerne B
  • Chilibon I
  • Connolly JP
  • Juan FC
  • Coutinho J
  • David C
  • Deppert K
  • Donchev V
  • Drev M
  • Ehlen B
  • Ekins-Daukes N
  • Even J
  • Fara L
  • Marron DF
  • Gagliardi A
  • Garrido B
  • Gianneta V
  • Gomes M
  • Guillemoles JF
  • Guina M
  • Halme J
  • Hocevar M
  • Jacak L
  • Jacak W
  • Jaksic Z
  • Joseph LK
  • Kassavetis S
  • Kazukauskas V
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Epj Photovoltaics - 1/1/2018

10.1051/epjpv/2018008 Ver en origen

  • ISSN 21050716

Este/a investigador/a no tiene libros.

InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy

  • Ulloa, J. M.
  • Offermans, P.
  • Koenraad, P. M.;

Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008

10.1016/b978-0-08-046325-4.00005-0 Ver en origen

From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots

  • Llorens J
  • Lopes-Oliveira V
  • López-Richard V
  • Ulloa J
  • Alén B

Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018

10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen

  • ISSN 14344904

J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 nm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" Spring European Materials Research Society

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"1.3- 1.5 ¿M Gaassb-Capped Inas Quantum Dots: Effect Of The Sb Content On The Structural And Optical Properties" (p. 0-0) - 8/6/2009

  • iMarina

M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, A. GUZMÁN, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "1.3-1.5 µm emitting InAs quantum dot LEDs with (Ga, In)(N,As) and Ga(As,Sb) capping layers: a comparison" Spring European Materials Research Society Confe

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"1.3-1.5 µM Emitting Inas Quantum Dot Leds With (Ga, In)(N,As) And Ga(As,Sb) Capping Layers: A Comparison" (p. 0-0) - 14/9/2009

  • iMarina

A. HIERRO, G. TABARES, J.M. ULLOA, E. MUÑOZ, A. NAKAMURA, T. HAYASHI, J. TEMMYO "Carrier compensation by deep levels in a-plane MgxZn1-xO Schottky photodiodes grown by RPE-MOCVD" Spring European Materials Research Society Conference 2009 Strasburg (Fra

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Muñoz Merino, Elías

"Carrier Compensation By Deep Levels In A-Plane Mgxzn1-Xo Schottky Photodiodes Grown By Rpe-Mocvd" (p. 0-0) - 14/9/2009

  • iMarina

J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 µm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" 15th European Molacular Beam Epitaxy Works

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" (p. 0-0) - 8/3/2009

  • iMarina

J.M. ULLOA , P.M. KOENRAAD, M. BONNET-EYMARD, A. LÉTOUBLON, D N. BERTRU "Effect of a lattice-matched GaAsSb capping layer on the structural properties of InAs/InGaAs/InP quantum dots" 15th European Molacular Beam Epitaxy Workshop Zakopane (Poland), 200

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA

"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" (p. 0-0) - 8/3/2009

  • iMarina

D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ. "Effects of the nitrogen incorporation in the optical and structural characteristics of nitrogen-dilute InAsN QDs" European Materials Research Society Spring Meet

  • D.L. SALES
  • D.F. REYES
  • D. GONZÁLEZ
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Effects Of The Nitrogen Incorporation In The Optical And Structural Characteristics Of Nitrogen-Dilute Inasn Qds" (p. 0-0) - 8/6/2010

  • iMarina

A. HIERRO, G. TABARES, J.M. ULLOA, E. MUÑOZ, A. NAKAMURA, T. HAYASHI, J. TEMMYO "Impact of acceptor states in MgxZn1-xO Schottky photodiodes" Internacional Conference on II-VI Compounds, Saint Petersburg (Russia), 2009

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Muñoz Merino, Elías

"Impact Of Acceptor States In Mgxzn1-Xo Schottky Photodiodes" (p. 0-0) - 24/8/2009

  • iMarina

M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "InAs/(Ga,In)(N,As) Quantum Dot LEDs Emitting at 1.3-1.5 ìm" 7th Spanish Conference on Electron Devices 2009 Santiago Compostela (Spain), 2009

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Inas/(Ga,In)(N,As) Quantum Dot Leds Emitting At 1.3-1.5 Ìm" 7th Spanish Conference On Electron Devices 2009 santiago Compostela (Spain), 2009 (p. 0-0) - 11/2/2009

  • iMarina

A.GUZMÁN FERNÁNDEZ, R. GARGALLO-CABLLERO, MJ. MILLA, JM. ULLOA, A. HIERRO "Low optical degradation in InGaAsN/GaAs Quantum Dot p-i-n structures emitting from 1.1 to 1.55 µm" 16th International MBE Conference Berlín (German), 2010

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Low Optical Degradation In Ingaasn/Gaas Quantum Dot P-I-N Structures Emitting From 1.1 To 1.55 µM" (p. 0-0) - 22/8/2010

  • iMarina

R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, M. HOPKINSON, A. HIERRO, J. M. ULLOA, E. CALLEJA "Optoelectronic devices based on (Ga,In)(As,N) Quantum dots" 15th European Molacular Beam Epitaxy Workshop Zakopane (Poland), 2009

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Calleja Pardo, Enrique

"Optoelectronic Devices Based On (Ga,In)(As,N) Quantum Dots" (p. 0-0) - 2/8/2009

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos

  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
  • CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
  • GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023

Tipo: Nacional

Importe financiado: 82280,00 Euros.

  • iMarina

Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia

  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020

Tipo: Nacional

Importe financiado: 90750,00 Euros.

  • iMarina

Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020

Tipo: Internacional

Importe financiado: 698871,25 Euros.

  • iMarina

Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia

  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016

Tipo: Nacional

Importe financiado: 103220,41 Euros.

  • iMarina

ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies

  • Nakamura ., Atsushi (Participante)
  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 174336,00 Euros.

  • iMarina

Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector

  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)

Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010

Tipo: Internacional

Importe financiado: 70000,00 Euros.

  • iMarina

Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.

  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011

Tipo: Nacional

Importe financiado: 207636,00 Euros.

  • iMarina

Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas

  • SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony

  • SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024

Tipo: Internacional

Importe financiado: 250904,88 Euros.

  • iMarina

MICROFABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS EN GaAs

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-09-2020 - 31-08-2021

  • iMarina

Propiedades ópticas y estructurales de nanoestructuras de Zn(Cd)(Mg)O

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Director)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: López Ponce, Manuel

1/1/2015

  • iMarina

Structures based on GaAs(Sb)(N) semiconductor alloys for high efficiency multi-junction solar cells

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Gonzalo Martín, Alicia

1/1/2019

  • iMarina

Tuning the properties of InAs/GaAs quantum dots through a modified capping layer: application to optoelectronic devices

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Utrilla Lomas, Antonio David

1/1/2017

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:07