Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es
Actividades
- Artículos 113
- Libros 0
- Capítulos de libro 2
- Congresos 130
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 13
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
1 eV GaAsSbN–based solar cells for efficient multi-junction design: Enhanced solar cell performance upon annealing
- Gonzalo, A
- Stanojevic, L
- Marrón, DF
- Guzman, A
- Hierro, A
- Ulloa, JM
Solar Energy (p. 307-313) - 1/1/2021
10.1016/j.solener.2021.04.041 Ver en origen
- ISSN 0038092X
Achievement of InSb Quantum Dots on InP(100) Substrates
- Lu, Wei
- Rohel, Tony
- Bertru, Nicolas
- Folliot, Herve
- Paranthoen, Cyril
- Jancu, Jean Marc
- Letoublon, Antoine
- Le Corre, Alain
- Gatel, Christophe
- Ponchet, Anne
- Combe, Nicolas
- Ulloa, Jose Maria
- Koenraad, Paul;
Japanese Journal Of Applied Physics - 1/1/2010
10.1143/jjap.49.060210 Ver en origen
- ISSN 00214922
AlGaN nanocolumns and AlGaN/GaN/AlGaN nanostructures grown by molecular beam epitaxy
- Ristic, J
- Sánchez-García, MA
- Ulloa, JM
- Calleja, E
- Sanchez-Páramo, J
- Calleja, JM
- Jahn, U
- Trampert, A
- Ploog, KH
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics (p. 717-721) - 1/12/2002
10.1002/1521-3951(200212)234:3<717::aid-pssb717>3.0.co;2-8 Ver en origen
- ISSN 15213951
An atomic scale study on the effect of Sb during capping of MBE grown III-V semiconductor QDs
- Bozkurt, M.
- Ulloa, J. M.
- Koenraad, P. M.;
Semiconductor Science And Technology - 1/6/2011
10.1088/0268-1242/26/6/064007 Ver en origen
- ISSN 13616641
Analysis of the characteristic temperatures of (Ga,In)(N,As)/GaAs laser diodes
- Montes, M
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Guzman, A
- Damilano, B
- Hugues, M
- Al Khalfioui, M
- Duboz, JY
- Massies, J
Journal Of Physics D-Applied Physics - 7/8/2008
10.1088/0022-3727/41/15/155102 Ver en origen
- ISSN 00223727
Analysis of the modified optical properties and band structure of GaAs1-xSbx-capped InAs/GaAs quantum dots
- Ulloa, JM
- Llorens, JM
- del Moral, M
- Bozkurt, M
- Koenraad, PM
- Hierro, A
Journal Of Applied Physics - 1/10/2012
10.1063/1.4755794 Ver en origen
- ISSN 00218979
Annealing effects on the crystal structure of GaInNAs quantum wells with large In and N content grown by molecular beam epitaxy
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Chauveau, JM
- Trampert, A
- Pinault, MA
- Tournié, E
- Guzmán, A
- Sánchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Journal Of Applied Physics (p. 2319-2324) - 15/8/2003
10.1063/1.1591416 Ver en origen
- ISSN 00218979
Atomic scale characterization of Mn doped InAs/GaAs quantum dots
- Bozkurt, M.
- Grant, V. A.
- Ulloa, J. M.
- Campion, R. P.
- Foxon, C. T.
- Marega, E.
- Salamo, G. J.
- Koenraad, P. M.;
Applied Physics Letters - 1/1/2010
10.1063/1.3293296 Ver en origen
- ISSN 00036951
Breaking the Intersubband Selection Rules for Absorption with ZnO Quantum Wells: Light Polarization Sensitivity under Normal Incidence
- Bajo, MM
- Tamayo-Arriola, J
- Le Biavan, N
- Ulloa, JM
- Vennéguès, P
- Lefebvre, D
- Hugues, M
- Chauveau, JM
- Hierro, A
Physical Review Applied - 12/9/2018
10.1103/physrevapplied.10.034022 Ver en origen
- ISSN 23317019
Capping of InAs quantum dots grown on (311)B InP studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy
- Celebi, C.
- Ulloa, J. M.
- Koenraad, P. M.
- Simon, A.
- Letoublon, A.
- Bertru, N.;
Applied Physics Letters - 1/1/2006
10.1063/1.2221884 Ver en origen
- ISSN 00036951
Este/a investigador/a no tiene libros.
From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots
- Llorens J
- Lopes-Oliveira V
- López-Richard V
- Ulloa J
- Alén B
Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018
10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen
- ISSN 14344904
InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy
- Ulloa, J. M.
- Offermans, P.
- Koenraad, P. M.;
Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008
Broad band structure tunability of InAs/GaAs quantum dots with a thin GaAsSbN capping layer
- M Montes
- DL Sales
- DF Reyes
- D. González
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-3) - 23/5/2012
- iMarina
Capping layer growth rate and the optical and structural properties of GaAsSbN-capped InAs/GaAs quantum dots
Proceedings (p. 0-3) - 7/2/2015
10.1063/1.4896963 Ver en origen
- ISSN 00218979
- iMarina
- iMarina
Comparative analyses of the In exchange in the InAs /GaAs QD system during the capping process with GaAs(Sb) at different growth rates
- Verónica Braza
- Teresa Ben
- Sara Flores
- Nazaret Ruiz
- Jose María Ulloa
- David González
- Daniel F. Reyes
- Alicia Gonzalo
- STANOJEVIC, LAZAR
Proceedings (p. 49-50) - 11/9/2019
- iMarina
Control of Strain in GaSbAs/InAs/GaAs Quantum Dots
- Haxha, V.
- Drouzas, I.
- Ulloa, J. M.
- Bozkurt, M.
- Koenraad, P. M.
- Mowbray, D. J.
- Liu, H. Y.
- Steer, M. J.
- Hopkinson, M.
- Migliorato, M. A.;
Journal Of Physics: Conference Series - 1/1/2010
10.1088/1742-6596/245/1/012065 Ver en origen
- ISSN 17426588
Coupling of localized surface plasmons to intersubband transitions in CdO/GaAs
- Castellano, EM
- Tamayo-Arriola, J
- Gonzalo, A
- Stanojevic, L
- Ulloa, JM
- Klymov, O
- Yeste, J
- Agouram, S
- Muñoz, E
- Munoz-Sanjose, V
- Bajo, MM
- Hierro, A
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 1200203) - 1/1/2022
10.1117/12.2615766 Ver en origen
- EISSN 1996-756X
- ISSN 0277786X
D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ "Efecto de la incorporación de nitrógeno en puntos cuánticos enterrados de in In(Ga)As crecidos sobre GaAs" Congreso Nacional de Materiales, Zaragoza (Spain), 2010
- D.L. SALES
- D.F. REYES
- D. González
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Efecto De La Incorporación De Nitrógeno En Puntos Cuánticos Enterrados De In In(Ga)As Crecidos Sobre Gaas (p. 0-0) - 23/6/2010
- iMarina
D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ. "Effects of the nitrogen incorporation in the optical and structural characteristics of nitrogen-dilute InAsN QDs" European Materials Research Society Spring Meet
- D.L. SALES
- D.F. REYES
- D. GONZÁLEZ
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Effects Of The Nitrogen Incorporation In The Optical And Structural Characteristics Of Nitrogen-Dilute Inasn Qds" (p. 0-0) - 8/6/2010
- iMarina
Dependence of N incorporation into (Ga)InAsN QDs on Ga content probed by rapid thermal annealing
- Gargallo-Caballero, R
- Guzmán, A
- Hopkinson, M
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Calleja, E
Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1441-+) - 1/1/2009
10.1002/pssc.200881524 Ver en origen
- ISSN 18626351
Effect of GaAs(Sb)(N) capping layers on (un)coupled In/GaAs multi quantum dot layers for enhanced solar cells
- V Braza
- S. Flores
- et al.
- D.F. Reyes
- TAMAYO ARRIOLA, JULEN
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- GONZALO MARTIN, ALICIA
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-3) - 10/9/2018
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
Tipo: Nacional
Importe financiado: 103220,41 Euros.
- iMarina
Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023
Tipo: Nacional
Importe financiado: 82280,00 Euros.
- iMarina
Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas
- SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Emerging diluted III-V-nitrides and related engineered nanostructures for high efficient photovoltaic and photodetection applications
- Jose María Ulloa (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Titulado/a universitario/a en formación)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
- iMarina
MICROFABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS EN GaAs
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-09-2020 - 31-08-2021
- iMarina
Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011
Tipo: Nacional
Importe financiado: 207636,00 Euros.
- iMarina
Nueva Generación de emisores de Fotones Individuales para Telecomunicaciones
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))
- Gacevic, Zarko (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ABUIN HERRAEZ, MANUEL (Miembro del equipo de trabajo)
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Miembro del equipo de trabajo)
Ejecución: 01-09-2023 - 31-08-2026
Tipo: Nacional
- iMarina
Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020
Tipo: Nacional
Importe financiado: 90750,00 Euros.
- iMarina
PRTR. Comunicaciones cuánticas
- PEDROS AYALA, JORGE (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- BOSCA MOJENA, ALBERTO (Participante)
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Participante)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Participante)
- STANOJEVIC, LAZAR (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- FABA GARCIA, JAVIER (Participante)
- Martin Ayuso, Vicente (Investigador principal (IP))
- Gacevic, Zarko (Investigador principal (IP))
- BRITO MENDEZ, RUBEN DAVID (Participante)
- VICENTE GARCIA, RAFAEL JUAN (Participante)
- SEBASTIAN LOMBRAÑA, ALBERTO JUAN (Participante)
- ROSALES BEJARANO, JOSE LUIS (Participante)
- SAEZ DE BURUAGA BROUNS, JAIME (Participante)
- GARCIA-ARISCO RIVERA, JESUS (Participante)
- OBRADOVIC, JOVANA (Participante)
Ejecución: 01-01-2022 - 31-12-2024
Tipo: Regional
- iMarina
Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024
Tipo: Internacional
Importe financiado: 250904,88 Euros.
- iMarina
Propiedades ópticas y estructurales de nanoestructuras de Zn(Cd)(Mg)O
- HIERRO CANO, ADRIAN (Director)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: López Ponce, Manuel
1/1/2015
- iMarina
Structures based on GaAs(Sb)(N) semiconductor alloys for high efficiency multi-junction solar cells
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Gonzalo Martín, Alicia
1/1/2019
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
-
Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
-
ORCID