Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es
Actividades
- Artículos 113
- Libros 0
- Capítulos de libro 2
- Congresos 130
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 13
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
Strong Influence of the Humidity on the Electrical Properties of InGaAs Surface Quantum Dots
- Milla, MJ
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
Acs Applied Materials & Interfaces (p. 6191-6195) - 14/5/2014
10.1021/am5010442 Ver en origen
- ISSN 19448244
Interfacial Embedding of Laser-Manufactured Fluorinated Gold Clusters Enabling Stable Perovskite Solar Cells with Efficiency Over 24%
- Guo, Pengfei
- Zhu, Hongfu
- Zhao, Wenhao
- Liu, Chen
- Zhu, Liguo
- Ye, Qian
- Jia, Ning
- Wang, Hongyue
- Zhang, Xiuhai
- Huang, Wanxia
- Vinokurov, Vladimir A.
- Ivanov, Evgenii
- Shchukin, Dmitry
- Harvey, Daniel
- Ulloa, Jose Maria
- Hierro, Adrian
- Wang, Hongqiang;
Advanced Materials - 1/1/2021
10.1002/adma.202101590 Ver en origen
- ISSN 09359648
Dependence of Surface InGaAs Quantum Dot Luminescence on the Molecular Properties of the Environment
- Milla, MJ
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
Applied Physics Express - 1/9/2013
10.7567/apex.6.092002 Ver en origen
- ISSN 18820778
Impact of the Sb content on the performance of GaAsSb-capped InAs/GaAs quantum dot lasers
- Utrilla, AD
- Ulloa, JM
- Guzman, A
- Hierro, A
Applied Physics Letters - 9/9/2013
10.1063/1.4821071 Ver en origen
- ISSN 00036951
Optical properties and microstructure of 2.02-3.30 eV ZnCdO nanowires: Effect of thermal annealing
- Lopez-Ponce, M
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Lefebvre, P
- Muñoz, E
- Agouram, S
- Muñoz-Sanjosé, V
- Yamamoto, K
- Nakamura, A
- Temmyo, J
Applied Physics Letters - 8/4/2013
10.1063/1.4799491 Ver en origen
- ISSN 00036951
Role of the wetting layer in the enhanced responsivity of InAs/GaAsSb quantum dot infrared photodetectors
- Guzmán, A
- Yamamoto, K
- Ulloa, JM
- Llorens, JM
- Hierro, A
Applied Physics Letters - 6/7/2015
10.1063/1.4926364 Ver en origen
- ISSN 00036951
GaAsSb/GaAsN short-period superlattices as a capping layer for improved InAs quantum dot-based optoelectronics
Applied Physics Letters - 28/7/2014
10.1063/1.4891557 Ver en origen
- ISSN 00036951
Type II InAs/GaAsSb quantum dots: Highly tunable exciton geometry and topology
- Llorens, JM
- Wewior, L
- de Oliveira, ERC
- Ulloa, JM
- Utrilla, AD
- Guzmán, A
- Hierro, A
- Alén, B
Applied Physics Letters - 2/11/2015
10.1063/1.4934841 Ver en origen
- ISSN 00036951
High optical sensitivity to ambient conditions of uncapped InGaAs surface quantum dots
- Milla, MJ
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
Applied Physics Letters - 26/3/2012
10.1063/1.3697992 Ver en origen
- ISSN 00036951
Inhibition of In desorption in diluted nitride InAsN quantum dots
- Reyes, DF
- González, D
- Sales, DL
- Gargallo-Caballero, R
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
Applied Physics Letters - 14/2/2011
10.1063/1.3554386 Ver en origen
- ISSN 00036951
Este/a investigador/a no tiene libros.
InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy
- Ulloa, J. M.
- Offermans, P.
- Koenraad, P. M.;
Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008
From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots
- Llorens J
- Lopes-Oliveira V
- López-Richard V
- Ulloa J
- Alén B
Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018
10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen
- ISSN 14344904
Optical Properties of ZnMgO Grown by Spray Pyrolysis and Development of MSM Photodetectors for the UV
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Muñoz Merino, Elías
8th International Workshop On Zinc Oxide And Related Materials (p. 10-15) - 8/9/2014
- iMarina
ZnCdO/ZnO Multiple Quantum Well Nanowires Emitting in the Visible
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Muñoz Merino, Elías
8th International Workshop On Zinc Oxide And Related Materials (p. 10-15) - 8/9/2014
- iMarina
Morphological and Structural Characterization of MgxZn1-xO?, 8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Muñoz Merino, Elías
8th International Workshop On Zinc Oxide And Related Materials, (p. 10-15) - 8/9/2014
- iMarina
Effect of capping rate on InAs/GaAs quantum dot solar cells
- Stanojevic, L
- Gonzalo, A
- Utrilla, AD
- Reyes, DF
- Braza, V
- González, D
- Marrón, DF
- Hierro, A
- Ulloa, JM
Article Number 1091312. Physics, Simulation, And Photonic Engineering Of Photovoltaic Devices Viii 2019 san Francisco (Usa), 2019 (p. 1-3) - 2/2/2019
10.1117/12.2509484 Ver en origen
- ISSN 0277786X
- iMarina
- iMarina
Atomistic Modelling of III-V Semiconductors: from a single tetrahedron to millions of atoms 17th Heterostructure Technology Workshop Venice (Italia), 2008
- V. HAXHA
- R GARG
- P.M. Koenraad
- M.J STEER
- M.A MIGLIORATO
- M. Hopkinson
- I.W. DROUZAS
- H.Y. LIU
- D.J MOWBRAY
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
Atomistic Modelling Of Iii-V Semiconductors: From A Single Tetrahedron To Millions Of Atoms (p. 0-0) - 2/11/2008
- iMarina
D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ "Efecto de la incorporación de nitrógeno en puntos cuánticos enterrados de in In(Ga)As crecidos sobre GaAs" Congreso Nacional de Materiales, Zaragoza (Spain), 2010
- D.L. SALES
- D.F. REYES
- D. González
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Efecto De La Incorporación De Nitrógeno En Puntos Cuánticos Enterrados De In In(Ga)As Crecidos Sobre Gaas (p. 0-0) - 23/6/2010
- iMarina
Electroluminescence analysis of 1.3-1.5 µm InAs quantum dot LEDs with (Ga,In)(N,As) capping layers 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008
- M. Hugues
- M. Al KHALFIOU
- J. MASSIES
- B. DAMILANO
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
Electroluminescence Analysis Of 1.3-1.5 µM Inas Quantum Dot Leds With (Ga,In)(N,As) Capping Layers (p. 0-0) - 21/9/2008
- iMarina
Enhancement of N incorporation into (Ga)InAsN quantum dots International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008
- M. Hopkinson
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Calleja Pardo, Enrique
Enhancement Of N Incorporation Into (Ga)Inasn Quantum Dots (p. 0-0) - 21/9/2008
- iMarina
Influence of thin AlAs capping layers on the structural and compositional properties of InAs QDs
- Ruiz Marín, N.
- Fernández Reyes, D.
- Flores Gallegos, S.
- Ben Fernández, T.
- Stanojevic, L.
- Gallego Carro, A.
- Gonzalo, A.
- Ulloa, J. M.
- González, D.
European Microscopy Congress 2020 - 24/11/2020
2.18 µm Mid IR emission from highly transparent Er 3+ doped tellurite glass ceramic for bio applications
- Morea R
- Fernandez T
- Miguel A
- Hernandez M
- Ulloa J
- Fernandez J
- Balda R
- Solís J
- Gonzalo J
Fundamental Science (p. 10-15) - 8/6/2014
10.1364/cleo_at.2014.jtu4a.101 Ver en origen
- ISSN 21622701
- iMarina
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023
Tipo: Nacional
Importe financiado: 82280,00 Euros.
- iMarina
Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020
Tipo: Nacional
Importe financiado: 90750,00 Euros.
- iMarina
Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020
Tipo: Internacional
Importe financiado: 698871,25 Euros.
- iMarina
Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
Tipo: Nacional
Importe financiado: 103220,41 Euros.
- iMarina
ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies
- Nakamura ., Atsushi (Participante)
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 174336,00 Euros.
- iMarina
Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010
Tipo: Internacional
Importe financiado: 70000,00 Euros.
- iMarina
Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011
Tipo: Nacional
Importe financiado: 207636,00 Euros.
- iMarina
Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas
- SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024
Tipo: Internacional
Importe financiado: 250904,88 Euros.
- iMarina
Propiedades ópticas y estructurales de nanoestructuras de Zn(Cd)(Mg)O
- HIERRO CANO, ADRIAN (Director)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: López Ponce, Manuel
1/1/2015
- iMarina
Structures based on GaAs(Sb)(N) semiconductor alloys for high efficiency multi-junction solar cells
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Gonzalo Martín, Alicia
1/1/2019
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
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Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
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