Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es
Actividades
- Artículos 113
- Libros 0
- Capítulos de libro 2
- Congresos 130
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 13
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
Characterisation of strained (111)B InGaAs/GaAs quantum well lasers with intracavity optical modulator
- Fleischmann, T
- Ulloa, JM
- Moran, M
- Rees, GJ
- Woodhead, J
- Hopkinson, M;
Microelectronics Journal (p. 547-552) - 1/1/2002
10.1016/s0026-2692(02)00017-4 Ver en origen
- ISSN 00262692
AlGaN nanocolumns and AlGaN/GaN/AlGaN nanostructures grown by molecular beam epitaxy
- Ristic, J
- Sánchez-García, MA
- Ulloa, JM
- Calleja, E
- Sanchez-Páramo, J
- Calleja, JM
- Jahn, U
- Trampert, A
- Ploog, KH
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics (p. 717-721) - 1/12/2002
10.1002/1521-3951(200212)234:3<717::aid-pssb717>3.0.co;2-8 Ver en origen
- ISSN 15213951
Spontaneous emission study of (111) InGaAs/GaAs quantum well lasers
- Ulloa, JM
- Borruel, L
- Tijero, JMG
- Temmyo, J
- Esquivias, I
- Izpura, I
- Sanchez-Rojas, JL;
Microelectronics Journal (p. 589-593) - 1/7/2002
10.1016/s0026-2692(02)00024-1 Ver en origen
- ISSN 00262692
- iMarina
- iMarina
Characterization of GaN quantum discs embedded in AlxGa1-xN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy
- Ristic, J
- Calleja, E
- Sanchez-Garcia, MA
- Ulloa, JM
- Sanchez-Paramo, J
- Calleja, JM
- Jahn, U
- Trampert, A
- Ploog, KH
Physical Review b - 1/1/2003
10.1103/physrevb.68.125305 Ver en origen
- ISSN 01631829
Dilute nitride based double-barrier quantum-well infrared photodetector operating in the near infrared
- Luna, E
- Hopkinson, M
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
- Muñoz, E
Applied Physics Letters (p. 3111-3113) - 13/10/2003
10.1063/1.1618931 Ver en origen
- ISSN 00036951
Effect of nitrogen on the band structure and material gain of InyGa1-yAs1-xNx-GaAs quantum wells
- Ulloa, JM
- Sánchez-Rojas, JL
- Hierro, A
- Tijero, JMG
- Tournié, E
Ieee Journal Of Selected Topics In Quantum Electronics (p. 716-722) - 1/5/2003
10.1109/jstqe.2003.818860 Ver en origen
- ISSN 1077260X
Annealing effects on the crystal structure of GaInNAs quantum wells with large In and N content grown by molecular beam epitaxy
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Chauveau, JM
- Trampert, A
- Pinault, MA
- Tournié, E
- Guzmán, A
- Sánchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Journal Of Applied Physics (p. 2319-2324) - 15/8/2003
10.1063/1.1591416 Ver en origen
- ISSN 00218979
Influence of substrate misorientation and growth temperature on N incorporation in InGaAsN/GaAs quantum wells grown on (111)B GaAs
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures (p. 356-361) - 1/1/2004
10.1016/j.physe.2003.11.282 Ver en origen
- ISSN 13869477
Effect of nitrogen ions on the properties of InGaAsN quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 305-308) - 1/1/2004
10.1049/ip-opt:20040910 Ver en origen
- ISSN 13502433
Optoelectronic properties of 2-D and 3-D-grown GaInNAs/GaAs QW light emitting diodes and laser diodes
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Miguel-Sanchez, J
- Guzman, A
- Trampert, A
- Sanchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 421-425) - 1/10/2004
10.1049/ip-opt:20040911 Ver en origen
- ISSN 13502433
Este/a investigador/a no tiene libros.
InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy
- Ulloa, J. M.
- Offermans, P.
- Koenraad, P. M.;
Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008
From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots
- Llorens J
- Lopes-Oliveira V
- López-Richard V
- Ulloa J
- Alén B
Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018
10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen
- ISSN 14344904
J.M. Ulloa, P.M. Koenraad, E. Gapihan, A. Letoublon, N. Bertru, D. Fuster, Y. Gonzalez, L. Gonzalez "Atomic scale structural characterization of long wavelength InAs/InP quantum dots and wires" International Workshop on Long Wavelenght Quantum Dots: Gro
- Y. González
- P.M. Koenraad
- N. BERTRU
- L. GONZALEZ
- E. GAPIHAN
- D. Fuster
- A. LETOUBLON
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
5/7/2007
- iMarina
J.H. Blokland, J.M. Ulloa, U. Zeitler, P.C.M. Christianen, P.M. Koenraad, D. Reuter, A.D. Wieck, J.C. Maan "Shell-filling and correlation effects of holes in InAs quantum dots" International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Syste
- U. Zeitler
- P.M. Koenraad
- P.C.M. Christianen
- J.H. Blokland
- A.D. Wieck
- J.C. Maan
- D. Reuter
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
15/7/2007
- iMarina
I. W. D. Drouzas, J. M. Ulloa, P. M. Koenraad, D. J. Mowbray, M. A. Migliorato, M. J. Steer, H.Y. Liu, M. Hopkinson "InAs self-assembled quantum dots capped with a GaAsSb strain reducing layer: Morphology of a nanostructure with novel optical properties
- P. M. Koenraad
- M. J. Steer
- M. HOPKINSON
- I. W. D. Drouzas
- H.Y. Liu
- D. J. Mowbray
- M. A. Migliorato
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
15/7/2007
- iMarina
J.M. Ulloa, A. Wierts, C. Çelebi, P.M. Koenraad, H. Boukari, L. Maingault, H. Mariette "Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy on II-VI Semiconductor Multilayer Structures"13th International Conference on II-VI Compounds Jeju (Corea) 10 al 14 d
- P.M. Koenraad
- L. MAINGAULT
- H. MARIETTE
- H. BOUKARI
- C. CELEBI
- A. WIERTS
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
10/9/2007
- iMarina
The use of Abel-Tersoff potentials in atomistic simulations of InGaAsSb/GaAs
- Haxha, V.
- Garg, R.
- Migliorato, M. A.
- Drouzas, I. W.
- Ulloa, J. M.
- Koenraad, P. M.
- Steer, M. J.
- Liu, H. Y.
- Hopkinson, M.
- Mowbray, D. J.;
Proceedings Of The International Conference On Numerical Simulation Of Optoelectronic Devices, Nusod (p. 111-+) - 1/1/2008
10.1109/nusod.2008.4668267 Ver en origen
- ISSN 03068919
The influence of the Ga content on the N incorporation in InAsN and GaInNAs Quantum Dots 7th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces (ESPS-NIS), Les Arcenaulx, Marseille (Francia), 2008
- M. Hopkinson
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Calleja Pardo, Enrique
The Influence Of The Ga Content On The N Incorporation In Inasn And Gainnas Quantum Dots 7th International Workshop On Epitaxial (p. 0-0) - 13/10/2008
- iMarina
Atomistic Modelling of III-V Semiconductors: from a single tetrahedron to millions of atoms 17th Heterostructure Technology Workshop Venice (Italia), 2008
- V. HAXHA
- R GARG
- P.M. Koenraad
- M.J STEER
- M.A MIGLIORATO
- M. Hopkinson
- I.W. DROUZAS
- H.Y. LIU
- D.J MOWBRAY
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
Atomistic Modelling Of Iii-V Semiconductors: From A Single Tetrahedron To Millions Of Atoms (p. 0-0) - 2/11/2008
- iMarina
The influence of Ga composition of GaInAsN QDs on N incorporation.
- M. Hopkinson
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- Muñoz Merino, Elías
7th International Workshop On Epitaxial Semiconductors On Patterned Substrates And Novel Index Surfaces (p. 103-105) - 21/4/2008
- iMarina
The use of Abel-Tersoff potentials in atomistic simulations of InGaAsSb/GaAs 8th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices Nottingham (UK), 2008
- V. HAXHA
- R. GARG
- P.M Koenraad
- M.J STEER
- M.A MIGLIORATO
- M. Hopkinson
- I.W DROUZAS
- H.Y LIU
- D.J MOWBRAY
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
The Use Of Abel-Tersoff Potentials In Atomistic Simulations Of Ingaassb/Gaas (p. 0-0) - 1/9/2008
- iMarina
Enhancement of N incorporation into (Ga)InAsN quantum dots International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008
- M. Hopkinson
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Calleja Pardo, Enrique
Enhancement Of N Incorporation Into (Ga)Inasn Quantum Dots (p. 0-0) - 21/9/2008
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas
- SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011
Tipo: Nacional
Importe financiado: 207636,00 Euros.
- iMarina
Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010
Tipo: Internacional
Importe financiado: 70000,00 Euros.
- iMarina
ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies
- Nakamura ., Atsushi (Participante)
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 174336,00 Euros.
- iMarina
Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
Tipo: Nacional
Importe financiado: 103220,41 Euros.
- iMarina
Emerging diluted III-V-nitrides and related engineered nanostructures for high efficient photovoltaic and photodetection applications
- Jose María Ulloa (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Titulado/a universitario/a en formación)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
- iMarina
Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020
Tipo: Internacional
Importe financiado: 698871,25 Euros.
- iMarina
Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020
Tipo: Nacional
Importe financiado: 90750,00 Euros.
- iMarina
Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024
Tipo: Internacional
Importe financiado: 250904,88 Euros.
- iMarina
Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023
Tipo: Nacional
Importe financiado: 82280,00 Euros.
- iMarina
Propiedades ópticas y estructurales de nanoestructuras de Zn(Cd)(Mg)O
- HIERRO CANO, ADRIAN (Director)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: López Ponce, Manuel
1/1/2015
- iMarina
Tuning the properties of InAs/GaAs quantum dots through a modified capping layer: application to optoelectronic devices
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Utrilla Lomas, Antonio David
1/1/2017
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
-
Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
-
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