Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es
Actividades
- Artículos 113
- Libros 0
- Capítulos de libro 2
- Congresos 130
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 13
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
Structural and optical quality of InGaAsN quantum wells grown on misoriented GaAs (111)b substrates by molecular beam epitaxy
- Miguel-Sánchez, J
- Hopkinson, M
- Gutiérrez, M
- Navaretti, P
- Liu, HY
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Journal Of Crystal Growth (p. 62-68) - 15/9/2004
10.1016/j.jcrysgro.2004.06.022 Ver en origen
- ISSN 00220248
Dominant carrier recombination mechanisms in GaInNAs/GaAs quantum well light-emitting diodes
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Tournié, E
- Sánchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Applied Physics Letters (p. 40-42) - 5/7/2004
10.1063/1.1769078 Ver en origen
- ISSN 00036951
Effect of nitrogen on the optical properties of InGaAsN p-i-n structures grown on misoriented (111)B GaAs substrates
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Applied Physics Letters (p. 2524-2526) - 5/4/2004
10.1063/1.1695639 Ver en origen
- ISSN 00036951
Optoelectronic properties of 2-D and 3-D-grown GaInNAs/GaAs QW light emitting diodes and laser diodes
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Miguel-Sanchez, J
- Guzman, A
- Trampert, A
- Sanchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 421-425) - 1/10/2004
10.1049/ip-opt:20040911 Ver en origen
- ISSN 13502433
Influence of substrate misorientation and growth temperature on N incorporation in InGaAsN/GaAs quantum wells grown on (111)B GaAs
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures (p. 356-361) - 1/1/2004
10.1016/j.physe.2003.11.282 Ver en origen
- ISSN 13869477
Effect of nitrogen ions on the properties of InGaAsN quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 305-308) - 1/1/2004
10.1049/ip-opt:20040910 Ver en origen
- ISSN 13502433
Annealing effects on the crystal structure of GaInNAs quantum wells with large In and N content grown by molecular beam epitaxy
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Chauveau, JM
- Trampert, A
- Pinault, MA
- Tournié, E
- Guzmán, A
- Sánchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Journal Of Applied Physics (p. 2319-2324) - 15/8/2003
10.1063/1.1591416 Ver en origen
- ISSN 00218979
Effect of nitrogen on the band structure and material gain of InyGa1-yAs1-xNx-GaAs quantum wells
- Ulloa, JM
- Sánchez-Rojas, JL
- Hierro, A
- Tijero, JMG
- Tournié, E
Ieee Journal Of Selected Topics In Quantum Electronics (p. 716-722) - 1/5/2003
10.1109/jstqe.2003.818860 Ver en origen
- ISSN 1077260X
Dilute nitride based double-barrier quantum-well infrared photodetector operating in the near infrared
- Luna, E
- Hopkinson, M
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
- Muñoz, E
Applied Physics Letters (p. 3111-3113) - 13/10/2003
10.1063/1.1618931 Ver en origen
- ISSN 00036951
Characterization of GaN quantum discs embedded in AlxGa1-xN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy
- Ristic, J
- Calleja, E
- Sanchez-Garcia, MA
- Ulloa, JM
- Sanchez-Paramo, J
- Calleja, JM
- Jahn, U
- Trampert, A
- Ploog, KH
Physical Review b - 1/1/2003
10.1103/physrevb.68.125305 Ver en origen
- ISSN 01631829
Este/a investigador/a no tiene libros.
From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots
- Llorens J
- Lopes-Oliveira V
- López-Richard V
- Ulloa J
- Alén B
Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018
10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen
- ISSN 14344904
InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy
- Ulloa, J. M.
- Offermans, P.
- Koenraad, P. M.;
Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008
Towards a highly directional hybrid Mie-Tamm optical cavity for high-performance single-photon sources
- Llorens JM
- Nowak A
- Ulloa JM
- Alén B
International Conference On Metamaterials, Photonic Crystals And Plasmonics (p. 693-694) - 1/1/2023
- ISSN 24291390
- iMarina
Efficiency enhancement in superlattice-based solar cells by controlled Sb composition profile
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO
6/5/2022
- iMarina
Coupling of localized surface plasmons to intersubband transitions in CdO/GaAs
- Castellano, EM
- Tamayo-Arriola, J
- Gonzalo, A
- Stanojevic, L
- Ulloa, JM
- Klymov, O
- Yeste, J
- Agouram, S
- Muñoz, E
- Munoz-Sanjose, V
- Bajo, MM
- Hierro, A
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 1200203) - 1/1/2022
10.1117/12.2615766 Ver en origen
- EISSN 1996-756X
- ISSN 0277786X
Plasmonic CdZnO nanoparticles for enhanced GaAs-based quantum well intersubband absorption
- Martínez Castellano E
- Tamayo-Arriola J
- Montes Bajo M
- Gonzalo A
- Stanojević L
- Ulloa JM
- Klymov O
- Yeste J
- Agouram S
- Muñoz E
- Muñoz-Sanjosé V
- Hierro A
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 11797q) - 1/1/2021
10.1117/12.2596879 Ver en origen
- EISSN 1996-756X
- ISSN 0277786X
Influence of thin AlAs capping layers on the structural and compositional properties of InAs QDs
- Ruiz Marín, N.
- Fernández Reyes, D.
- Flores Gallegos, S.
- Ben Fernández, T.
- Stanojevic, L.
- Gallego Carro, A.
- Gonzalo, A.
- Ulloa, J. M.
- González, D.
European Microscopy Congress 2020 - 24/11/2020
Comparative analyses of the In exchange in the InAs /GaAs QD system during the capping process with GaAs(Sb) at different growth rates
- Verónica Braza
- Teresa Ben
- Sara Flores
- Nazaret Ruiz
- Jose María Ulloa
- David González
- Daniel F. Reyes
- Alicia Gonzalo
- STANOJEVIC, LAZAR
Proceedings (p. 49-50) - 11/9/2019
- iMarina
Sb and N incorporation interplay in GaAsSbN/GaAs epilayers
- V. Braza
- T Ben
- S. Flores
- N. Ruiz
- D.F Reyes
- D González
- A.D Utrilla
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- GONZALO MARTIN, ALICIA
Granada (Spain), 2019 (p. 1-3) - 11/9/2019
- iMarina
Formation of agglomerations in high-density multilayer InAs/GaAs quantum dot structures: the role of Sb in the capping layer
- V. Braza
- T. Ben
- S. Flores
- N. Ruiz-Marín
- DF Reyes
- D. González
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- GONZALO MARTIN, ALICIA
Proceedings (p. 1-3) - 11/9/2019
- iMarina
Influence of GaAsSb capping layers on the vertical-alignment in closely stacked InAs/GaAs multi quantum dots
- Verónica Braza
- Teresa Ben
- Sara Flores
- Nazaret Ruiz
- David González
- David F. Reyes
- STANOJEVIC, LAZAR
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- GONZALO MARTIN, ALICIA
Proceedings (p. 1-3) - 4/7/2019
- iMarina
Intersubband plasmons induced negative refraction at mid-IR frequency in heterostructured semiconductor metamaterials
- Ferraro, Mario
- Hierro, Adrian
- Bajo, Miguel Montes
- Tamayo-Arriola, Julen
- Le Biavan, Nolwenn
- Hugues, Maxime
- Ulloa, Jose M.
- Giudici, Massimo
- Chauveau, Jean Michel
- Genevet, Patrice;
Proceedings May 2019, Article Number 87501052019 Conference On Lasers And Electro-Optics, Cleo 2019 (p. 1-3) - 5/5/2019
10.1088/1742-6596/1092/1/012034 Ver en origen
- iMarina
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Nueva Generación de emisores de Fotones Individuales para Telecomunicaciones
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))
- Gacevic, Zarko (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ABUIN HERRAEZ, MANUEL (Miembro del equipo de trabajo)
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Miembro del equipo de trabajo)
Ejecución: 01-09-2023 - 31-08-2026
Tipo: Nacional
- iMarina
PRTR. Comunicaciones cuánticas
- PEDROS AYALA, JORGE (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- BOSCA MOJENA, ALBERTO (Participante)
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Participante)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Participante)
- STANOJEVIC, LAZAR (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- FABA GARCIA, JAVIER (Participante)
- Martin Ayuso, Vicente (Investigador principal (IP))
- Gacevic, Zarko (Investigador principal (IP))
- BRITO MENDEZ, RUBEN DAVID (Participante)
- VICENTE GARCIA, RAFAEL JUAN (Participante)
- SEBASTIAN LOMBRAÑA, ALBERTO JUAN (Participante)
- ROSALES BEJARANO, JOSE LUIS (Participante)
- SAEZ DE BURUAGA BROUNS, JAIME (Participante)
- GARCIA-ARISCO RIVERA, JESUS (Participante)
- OBRADOVIC, JOVANA (Participante)
Ejecución: 01-01-2022 - 31-12-2024
Tipo: Regional
- iMarina
MICROFABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS EN GaAs
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-09-2020 - 31-08-2021
- iMarina
Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023
Tipo: Nacional
Importe financiado: 82280,00 Euros.
- iMarina
Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024
Tipo: Internacional
Importe financiado: 250904,88 Euros.
- iMarina
Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020
Tipo: Nacional
Importe financiado: 90750,00 Euros.
- iMarina
Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020
Tipo: Internacional
Importe financiado: 698871,25 Euros.
- iMarina
Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
Tipo: Nacional
Importe financiado: 103220,41 Euros.
- iMarina
Emerging diluted III-V-nitrides and related engineered nanostructures for high efficient photovoltaic and photodetection applications
- Jose María Ulloa (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Titulado/a universitario/a en formación)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
- iMarina
ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies
- Nakamura ., Atsushi (Participante)
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 174336,00 Euros.
- iMarina
Structures based on GaAs(Sb)(N) semiconductor alloys for high efficiency multi-junction solar cells
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Gonzalo Martín, Alicia
1/1/2019
- iMarina
Tuning the properties of InAs/GaAs quantum dots through a modified capping layer: application to optoelectronic devices
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Utrilla Lomas, Antonio David
1/1/2017
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
-
Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
-
ORCID