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Perfil en el portal institucional

Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es

CIENCIA DE MATERIALES / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Suppressing the Effect of the Wetting Layer through AlAs Capping in InAs/GaAs QD Structures for Solar Cells Applications

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA

30/1/2023

  • iMarina

Intrinsic and Mn doped InAs quantum dots studied at the atomic scale by cross-sectional scanning tunneling microscopy

  • Ulloa, J. M.
  • Bozkurt, M.
  • Koenraad, P. M.;

Solid State Communications (p. 1410-1418) - 1/1/2009

10.1016/j.ssc.2009.04.036 Ver en origen

  • ISSN 00381098

Impact of alloyed capping layers on the performance of In As quantum dot solar cells

  • Utrilla, A. D.
  • Ulloa, J. M.
  • Gacevic, Z.
  • Reyes, D. F.
  • Artacho, I.
  • Ben, T.
  • Gonzalez, D.
  • Hierro, A.
  • Guzman, A.;
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Solar Energy Materials And Solar Cells (p. 128-135) - 15/1/2016

10.1016/j.solmat.2015.08.009 Ver en origen

  • ISSN 09270248

Open circuit voltage recovery in GaAsSbN-based solar cells: Role of deep N-related radiative states

  • Gonzalo, A
  • Stanojevic, L
  • Utrilla, AD
  • Reyes, DF
  • Braza, V
  • Marrón, DF
  • Ben, T
  • González, D
  • Hierro, A
  • Guzman, A
  • Ulloa, JM
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Solar Energy Materials And Solar Cells - 15/9/2019

10.1016/j.solmat.2019.109949 Ver en origen

  • ISSN 09270248

Diluted nitride type-II superlattices: Overcoming the difficulties of bulk GaAsSbN in solar cells

  • Gonzalo, A
  • Utrilla, AD
  • Aeberhard, U
  • Braza, V
  • Reyes, DF
  • Marrón, DF
  • Llorens, JM
  • Alén, B
  • Ben, T
  • González, D
  • Guzman, A
  • Hierro, A
  • Ulloa, JM
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Solar Energy Materials And Solar Cells - 15/6/2020

10.1016/j.solmat.2020.110500 Ver en origen

  • ISSN 09270248

Thin GaAsSb capping layers for improved performance of InAs/GaAs quantum dot solar cells

  • T. Ben
  • J.M. Llorens
  • D.F. Reyes
  • D. González
  • A. Guzmán
  • Gacevic, Zarko
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • GONZALO MARTIN, ALICIA
  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
  • ARTACHO HUERTAS, IRENE
  • HIERRO CANO, ADRIAN
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Solar Energy Materials And Solar Cells (p. 282-289) - 1/1/2017

10.1016/j.solmat.2016.09.006 Ver en origen

  • ISSN 09270248

Influence of Sb/N contents during the capping process on the morphology of InAs/GaAs quantum dots

  • L. Wewior
  • JM. Llorens
  • B. Alen
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA

Solar Energy Materials And Solar Cells (p. 154-161) - 1/2/2016

10.1016/j.solmat.2015.07.015 Ver en origen

  • ISSN 09270248

1 eV GaAsSbN–based solar cells for efficient multi-junction design: Enhanced solar cell performance upon annealing

  • Gonzalo, A
  • Stanojevic, L
  • Marrón, DF
  • Guzman, A
  • Hierro, A
  • Ulloa, JM

Solar Energy (p. 307-313) - 1/1/2021

10.1016/j.solener.2021.04.041 Ver en origen

  • ISSN 0038092X

xArchiMate: Enterprise Architecture simulation, experimentation and analysis

  • Manzur, Laura
  • Mario Ulloa, Jorge
  • Sanchez, Mario
  • Villalobos, Jorge;

Simulation-Transactions Of The Society For Modeling And Simulation International (p. 276-301) - 1/1/2015

10.1177/0037549715575188 Ver en origen

  • ISSN 00375497

Correlation between quantum well morphology, carrier localization and the optoelectronic properties of GaInNAs/GaAs light emitting diodes

  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Miguel-Sánchez, J
  • Guzmán, A
  • Chauveau, JM
  • Trampert, A
  • Tournié, E
  • Calleja, E
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Semiconductor Science And Technology (p. 1047-1052) - 1/8/2006

10.1088/0268-1242/21/8/011 Ver en origen

  • ISSN 13616641

Este/a investigador/a no tiene libros.

From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots

  • Llorens J
  • Lopes-Oliveira V
  • López-Richard V
  • Ulloa J
  • Alén B

Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018

10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen

  • ISSN 14344904

InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy

  • Ulloa, J. M.
  • Offermans, P.
  • Koenraad, P. M.;

Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008

10.1016/b978-0-08-046325-4.00005-0 Ver en origen

Dependence of N incorporation into (Ga)InAsN QDs on Ga content probed by rapid thermal annealing

  • Gargallo-Caballero, R
  • Guzmán, A
  • Hopkinson, M
  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Calleja, E

Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1441-+) - 1/1/2009

10.1002/pssc.200881524 Ver en origen

  • ISSN 18626351

Mn and Fe doped InAs quantum dots studied by X-STM 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Rust (Alemania), 2008

  • R. NOTZEL
  • P.M. Koenraad
  • P.J VAN VELDHOVEN
  • M. BOZKURT
  • C. Çelebi
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA

Mn And Fe Doped Inas Quantum Dots Studied By X-Stm (p. 0-0) - 21/9/2008

  • iMarina

Control of Strain in GaSbAs/InAs/GaAs Quantum Dots

  • Haxha, V.
  • Drouzas, I.
  • Ulloa, J. M.
  • Bozkurt, M.
  • Koenraad, P. M.
  • Mowbray, D. J.
  • Liu, H. Y.
  • Steer, M. J.
  • Hopkinson, M.
  • Migliorato, M. A.;
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Journal Of Physics: Conference Series - 1/1/2010

10.1088/1742-6596/245/1/012065 Ver en origen

  • ISSN 17426588

Evaluation of the In desorption during the capping process of diluted nitride In(Ga)As quantum dots

  • Reyes, DF
  • Sales, DL
  • Gargallo-Caballero, R
  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Guzmán, A
  • García, R
  • González, D
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Journal Of Physics: Conference Series - 1/1/2011

10.1088/1742-6596/326/1/012049 Ver en origen

  • ISSN 17426588

Atomic scale study of the impact of the strain and composition of the capping layer on the formation of InAs quantum dots

  • Ulloa, J. M.
  • Celebi, C.
  • Koenraad, P. M.
  • Simon, A.
  • Gapihan, E.
  • Letoublon, A.
  • Bertru, N.
  • Drouzas, I.
  • Mowbray, D. J.
  • Steer, M. J.
  • Hopkinson, M.;
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Journal Of Applied Physics - 1/1/2007

10.1063/1.2722738 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Active Mid-IR Emissions from Rare-Earth Doped Tellurite Glass Ceramics for Bio Applications

  • Morea R
  • Fernandez T
  • Miguel A
  • Hernandez M
  • Ulloa J
  • Fernandez J
  • Balda R
  • Solis J
  • Gonzalo J
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International Conference On Transparent Optical Networks (p. 1-3) - 1/1/2014

10.1109/icton.2014.6876434 Ver en origen

  • ISSN 21627339

Towards a highly directional hybrid Mie-Tamm optical cavity for high-performance single-photon sources

  • Llorens JM
  • Nowak A
  • Ulloa JM
  • Alén B

International Conference On Metamaterials, Photonic Crystals And Plasmonics (p. 693-694) - 1/1/2023

  • ISSN 24291390
  • iMarina

Sb and N incorporation interplay in GaAsSbN/GaAs epilayers

  • V. Braza
  • T Ben
  • S. Flores
  • N. Ruiz
  • D.F Reyes
  • D González
  • A.D Utrilla
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • GONZALO MARTIN, ALICIA
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Granada (Spain), 2019 (p. 1-3) - 11/9/2019

  • iMarina

J.M. ULLOA, R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, A. HIERRO . "GaAsSbN-capped InAs quantum dots for 1.3 - 1.55 µm emission" European Materials Research Society Spring Meeting 2010. Strasbourg (France), 2010

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

Gaassbn-Capped Inas Quantum Dots For 1.3 ¿ 1.55 µM Emission (p. 0-0) - 7/6/2010

  • iMarina

J. M. ULLOA, M. DEL MORAL, M. BOZKURT, R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, P. M. KOENRAAD, A. HIERRO "GaAsSb-capped InAs quantum dots: from enlarged quantum dot height to alloy fluctuations" Internacional Quantum Dot Conference 2010. Nottinghan (UK), 2010

  • P. M. Koenraad
  • M. DEL MORAL
  • M. Bozkurt
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

Gaassb-Capped Inas Quantum Dots: From Enlarged Quantum Dot Height To Alloy Fluctuations (p. 0-0) - 26/4/2010

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos

  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
  • CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
  • GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023

Tipo: Nacional

Importe financiado: 82280,00 Euros.

  • iMarina

Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia

  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020

Tipo: Nacional

Importe financiado: 90750,00 Euros.

  • iMarina

Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020

Tipo: Internacional

Importe financiado: 698871,25 Euros.

  • iMarina

Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia

  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016

Tipo: Nacional

Importe financiado: 103220,41 Euros.

  • iMarina

ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies

  • Nakamura ., Atsushi (Participante)
  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 174336,00 Euros.

  • iMarina

Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector

  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)

Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010

Tipo: Internacional

Importe financiado: 70000,00 Euros.

  • iMarina

Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.

  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011

Tipo: Nacional

Importe financiado: 207636,00 Euros.

  • iMarina

Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas

  • SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony

  • SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024

Tipo: Internacional

Importe financiado: 250904,88 Euros.

  • iMarina

MICROFABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS EN GaAs

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-09-2020 - 31-08-2021

  • iMarina

Propiedades ópticas y estructurales de nanoestructuras de Zn(Cd)(Mg)O

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Director)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: López Ponce, Manuel

1/1/2015

  • iMarina

Structures based on GaAs(Sb)(N) semiconductor alloys for high efficiency multi-junction solar cells

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Gonzalo Martín, Alicia

1/1/2019

  • iMarina

Tuning the properties of InAs/GaAs quantum dots through a modified capping layer: application to optoelectronic devices

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Utrilla Lomas, Antonio David

1/1/2017

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:07