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Perfil en el portal institucional

Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es

CIENCIA DE MATERIALES / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Characterization of GaN quantum discs embedded in AlxGa1-xN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy

  • Ristic, J
  • Calleja, E
  • Sanchez-Garcia, MA
  • Ulloa, JM
  • Sanchez-Paramo, J
  • Calleja, JM
  • Jahn, U
  • Trampert, A
  • Ploog, KH
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Physical Review b - 1/1/2003

10.1103/physrevb.68.125305 Ver en origen

  • ISSN 01631829

GaAsSb-capped InAs quantum dots: From enlarged quantum dot height to alloy fluctuations

  • Ulloa, JM
  • Gargallo-Caballero, R
  • Bozkurt, M
  • del Moral, M
  • Guzmán, A
  • Koenraad, PM
  • Hierro, A
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Physical Review b - 6/4/2010

10.1103/physrevb.81.165305 Ver en origen

  • ISSN 01631829

Structural and optical changes induced by incorporation of antimony into InAs/GaAs(001) quantum dots (vol 82, 235316, 2010)

  • Taboada, A. G.
  • Sanchez, A. M.
  • Beltran, A. M.
  • Bozkurt, M.
  • Alonso-Alvarez, D.
  • Alen, B.
  • Rivera, A.
  • Ripalda, J. M.
  • Llorens, J. M.
  • Martin-Sanchez, J.
  • Gonzalez, Y.
  • Ulloa, J. M.
  • Garcia, J. M.
  • Molina, S. I.
  • Koenraad, P. M.;
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Physical Review b - 1/1/2010

10.1103/physrevb.82.239904 Ver en origen

  • ISSN 01631829

Scanning tunneling microscopy contrast of isovalent impurities on the GaAs (110) surface explained with a geometrical model

  • Tilley, F. J.
  • Roy, Mervyn
  • Maksym, P. A.
  • Koenraad, P. M.
  • Krammel, C. M.
  • Ulloa, J. M.;

Physical Review b - 27/1/2016

10.1103/physrevb.93.035313 Ver en origen

  • ISSN 01631829

Role of segregation in InAs/GaAs quantum dot structures capped with a GaAsSb strain-reduction layer

  • Haxha, V.
  • Drouzas, I.
  • Ulloa, J. M.
  • Bozkurt, M.
  • Koenraad, P. M.
  • Mowbray, D. J.
  • Liu, H. Y.
  • Steer, M. J.
  • Hopkinson, M.
  • Migliorato, M. A.;
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Physical Review b - 1/1/2009

10.1103/physrevb.80.165334 Ver en origen

  • ISSN 01631829

Structure of quantum dots as seen by excitonic spectroscopy versus structural characterization: Using theory to close the loop

  • Mlinar, V.
  • Bozkurt, M.
  • Ulloa, J. M.
  • Ediger, M.
  • Bester, G.
  • Badolato, A.
  • Koenraad, P. M.
  • Warburton, R. J.
  • Zunger, A.;
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Physical Review b - 1/1/2009

10.1103/physrevb.80.165425 Ver en origen

  • ISSN 01631829

Musical work of art: towards a musical ontology

  • Martinez Ulloa, Jorge;

Revista Musical Chilena (p. 116-135) - 1/1/2010

  • ISSN 07176252
  • iMarina

The Instrumental Gesture and the Singing Voice as part of the Musical Significance

  • Martinez Ulloa, Jorge;

Revista Musical Chilena (p. 54-65) - 1/1/2009

  • ISSN 07176252
  • iMarina

The music of Fernando Garcia. Art, science, compromise

  • Martinez Ulloa, Jorge;

Revista Musical Chilena (p. 80-81) - 1/1/2010

  • ISSN 07176252
  • iMarina

Scanning tunneling spectroscopic monitoring of surface states role on water passivation of InGaAs uncapped quantum dots

  • Milla M
  • Hernández-Rodríguez I
  • Méndez J
  • García J
  • Ulloa J
  • Guzmán

Rsc Advances (p. 33137-33142) - 1/1/2017

10.1039/c7ra04640e Ver en origen

  • ISSN 20462069

Este/a investigador/a no tiene libros.

InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy

  • Ulloa, J. M.
  • Offermans, P.
  • Koenraad, P. M.;

Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008

10.1016/b978-0-08-046325-4.00005-0 Ver en origen

From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots

  • Llorens J
  • Lopes-Oliveira V
  • López-Richard V
  • Ulloa J
  • Alén B

Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018

10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen

  • ISSN 14344904

J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 nm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" Spring European Materials Research Society

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"1.3- 1.5 ¿M Gaassb-Capped Inas Quantum Dots: Effect Of The Sb Content On The Structural And Optical Properties" (p. 0-0) - 8/6/2009

  • iMarina

M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, A. GUZMÁN, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "1.3-1.5 µm emitting InAs quantum dot LEDs with (Ga, In)(N,As) and Ga(As,Sb) capping layers: a comparison" Spring European Materials Research Society Confe

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"1.3-1.5 µM Emitting Inas Quantum Dot Leds With (Ga, In)(N,As) And Ga(As,Sb) Capping Layers: A Comparison" (p. 0-0) - 14/9/2009

  • iMarina

A. HIERRO, G. TABARES, J.M. ULLOA, E. MUÑOZ, A. NAKAMURA, T. HAYASHI, J. TEMMYO "Carrier compensation by deep levels in a-plane MgxZn1-xO Schottky photodiodes grown by RPE-MOCVD" Spring European Materials Research Society Conference 2009 Strasburg (Fra

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Muñoz Merino, Elías

"Carrier Compensation By Deep Levels In A-Plane Mgxzn1-Xo Schottky Photodiodes Grown By Rpe-Mocvd" (p. 0-0) - 14/9/2009

  • iMarina

J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 µm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" 15th European Molacular Beam Epitaxy Works

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" (p. 0-0) - 8/3/2009

  • iMarina

J.M. ULLOA , P.M. KOENRAAD, M. BONNET-EYMARD, A. LÉTOUBLON, D N. BERTRU "Effect of a lattice-matched GaAsSb capping layer on the structural properties of InAs/InGaAs/InP quantum dots" 15th European Molacular Beam Epitaxy Workshop Zakopane (Poland), 200

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA

"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" (p. 0-0) - 8/3/2009

  • iMarina

D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ. "Effects of the nitrogen incorporation in the optical and structural characteristics of nitrogen-dilute InAsN QDs" European Materials Research Society Spring Meet

  • D.L. SALES
  • D.F. REYES
  • D. GONZÁLEZ
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Effects Of The Nitrogen Incorporation In The Optical And Structural Characteristics Of Nitrogen-Dilute Inasn Qds" (p. 0-0) - 8/6/2010

  • iMarina

A. HIERRO, G. TABARES, J.M. ULLOA, E. MUÑOZ, A. NAKAMURA, T. HAYASHI, J. TEMMYO "Impact of acceptor states in MgxZn1-xO Schottky photodiodes" Internacional Conference on II-VI Compounds, Saint Petersburg (Russia), 2009

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Muñoz Merino, Elías

"Impact Of Acceptor States In Mgxzn1-Xo Schottky Photodiodes" (p. 0-0) - 24/8/2009

  • iMarina

M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "InAs/(Ga,In)(N,As) Quantum Dot LEDs Emitting at 1.3-1.5 ìm" 7th Spanish Conference on Electron Devices 2009 Santiago Compostela (Spain), 2009

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Inas/(Ga,In)(N,As) Quantum Dot Leds Emitting At 1.3-1.5 Ìm" 7th Spanish Conference On Electron Devices 2009 santiago Compostela (Spain), 2009 (p. 0-0) - 11/2/2009

  • iMarina

A.GUZMÁN FERNÁNDEZ, R. GARGALLO-CABLLERO, MJ. MILLA, JM. ULLOA, A. HIERRO "Low optical degradation in InGaAsN/GaAs Quantum Dot p-i-n structures emitting from 1.1 to 1.55 µm" 16th International MBE Conference Berlín (German), 2010

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Low Optical Degradation In Ingaasn/Gaas Quantum Dot P-I-N Structures Emitting From 1.1 To 1.55 µM" (p. 0-0) - 22/8/2010

  • iMarina

R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, M. HOPKINSON, A. HIERRO, J. M. ULLOA, E. CALLEJA "Optoelectronic devices based on (Ga,In)(As,N) Quantum dots" 15th European Molacular Beam Epitaxy Workshop Zakopane (Poland), 2009

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Calleja Pardo, Enrique

"Optoelectronic Devices Based On (Ga,In)(As,N) Quantum Dots" (p. 0-0) - 2/8/2009

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos

  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
  • CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
  • GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023

Tipo: Nacional

Importe financiado: 82280,00 Euros.

  • iMarina

Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia

  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020

Tipo: Nacional

Importe financiado: 90750,00 Euros.

  • iMarina

Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020

Tipo: Internacional

Importe financiado: 698871,25 Euros.

  • iMarina

Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia

  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016

Tipo: Nacional

Importe financiado: 103220,41 Euros.

  • iMarina

ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies

  • Nakamura ., Atsushi (Participante)
  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
... Ver más Contraer

Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 174336,00 Euros.

  • iMarina

Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector

  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)

Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010

Tipo: Internacional

Importe financiado: 70000,00 Euros.

  • iMarina

Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.

  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011

Tipo: Nacional

Importe financiado: 207636,00 Euros.

  • iMarina

Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas

  • SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony

  • SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024

Tipo: Internacional

Importe financiado: 250904,88 Euros.

  • iMarina

MICROFABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS EN GaAs

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-09-2020 - 31-08-2021

  • iMarina

Propiedades ópticas y estructurales de nanoestructuras de Zn(Cd)(Mg)O

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Director)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: López Ponce, Manuel

1/1/2015

  • iMarina

Structures based on GaAs(Sb)(N) semiconductor alloys for high efficiency multi-junction solar cells

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Gonzalo Martín, Alicia

1/1/2019

  • iMarina

Tuning the properties of InAs/GaAs quantum dots through a modified capping layer: application to optoelectronic devices

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Utrilla Lomas, Antonio David

1/1/2017

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:07