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Perfil en el portal institucional

Sanchez Garcia, Miguel Angel miguelangel.sanchez@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

InN layers grown on silicon substrates: effect of substrate temperature and buffer layers

  • Grandal, J
  • Sánchez-García, MA

Journal Of Crystal Growth (p. 373-377) - 1/5/2005

10.1016/j.jcrysgro.2005.01.035 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Comparative study of single InGaN layers grown on Si(111) and GaN(0001) templates: The role of surface wetting and epitaxial constraint

  • Gómez, VJ
  • Gacevic, Z
  • Soto-Rodríguez, PED
  • Aseev, P
  • Nötzel, R
  • Calleja, E
  • Sánchez-García, MA
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Journal Of Crystal Growth (p. 48-54) - 1/8/2016

10.1016/j.jcrysgro.2016.04.007 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Ordered arrays of defect-free GaN nanocolumns with very narrow excitonic emission line width

  • Fernando-Saavedra, A
  • Albert, S
  • Bengoechea-Encabo, A
  • Lopez-Romero, D
  • Niehle, M
  • Metzner, S
  • Schmidt, G
  • Bertram, F
  • Sánchez-García, MA
  • Trampert, A
  • Christen, J
  • Calleja, E
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Journal Of Crystal Growth - 1/11/2019

10.1016/j.jcrysgro.2019.125189 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Growth optimization and doping with Si and Be of high quality GaN on Si(111) by molecular beam epitaxy

  • Sanchez-Garcia, MA
  • Calleja, E
  • Sanchez, FJ
  • Calle, F
  • Monroy, E
  • Basak, D
  • Munoz, E
  • Villar, C
  • Sanz-Hervas, A
  • Aguilar, M
  • Serrano, JJ
  • Blanco, JM
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Journal Of Electronic Materials (p. 276-281) - 1/1/1998

10.1007/s11664-998-0399-2 Ver en origen

  • ISSN 03615235

GaN reactive ion etching using SiCl4 : Ar : SF6 chemistry

  • Sillero, E
  • Calle, F
  • Sánchez-García, MA

Journal Of Materials Science-Materials In Electronics (p. 409-413) - 1/7/2005

10.1007/s10854-005-2306-4 Ver en origen

  • ISSN 09574522

Yellow luminescence in Mg-doped GaN

  • Sanchez, FJ
  • Calle, F
  • Basak, D
  • Tijero, JMG
  • SanchezGarcia, MA
  • Monroy, E
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Beaumont, B
  • Gibart, P
  • Serano, JJ
  • Blanco, JM
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M R S Internet Journal Of Nitride Semiconductor Research: (Materials Research Society) (p. U10-U16) - 1/1/1997

10.1557/s109257830000154x Ver en origen

  • ISSN 10925783

Yellow band and deep levels in undoped MOVPE GaN.

  • Sanchez, FJ
  • Basak, D
  • SanchezGarcia, MA
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Izpura, I
  • Calle, F
  • Tijero, JMG
  • Beaumont, B
  • Lorenzini, P
  • Gibart, P
  • Cheng, TS
  • Foxon, CT
  • Orton, JW
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M R S Internet Journal Of Nitride Semiconductor Research: (Materials Research Society) (p. U53-U58) - 1/1/1996

10.1557/s1092578300001794 Ver en origen

  • ISSN 10925783

Luminescence of Be-doped GaN layers grown by molecular beam epitaxy on Si(111)

  • Sanchez, FJ
  • Calle, F
  • Sanchez-Garcia, MA
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Molloy, CH
  • Somerford, DJ
  • Koschnick, FK
  • Michael, K
  • Spaeth, JM
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M R S Internet Journal Of Nitride Semiconductor Research: (Materials Research Society) (p. art. no.-19) - 1/12/1998

  • ISSN 10925783
  • iMarina

Crystal morphology and optical emissions of GaN layers grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy

  • Sánchez-García, M.A.
  • Sánchez, F.J.
  • Naranjo, F.B.
  • Calle, F.
  • Calleja, E.
  • Muñoz, E.
  • Jahn, U.
  • Ploog, K.H.
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M R S Internet Journal Of Nitride Semiconductor Research: (Materials Research Society) (p. art. no.-32) - 1/1/1998

Editor: Materials Research Society

10.1557/s1092578300001046 Ver en origen

  • ISSN 10925783
  • ISSN/ISBN 1092-5783

Study of high quality AlN layers grown on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy

  • SanchezGarcia, MA
  • Calleja, E
  • Monroy, E
  • Sanchez, FJ
  • Calle, F
  • Munoz, E
  • Hervas, AS
  • Villar, C
  • Aguilar, M
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M R S Internet Journal Of Nitride Semiconductor Research: (Materials Research Society) - 1/1/1997

  • ISSN 10925783
  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

J. EROLES, A. BENGOECHEA, M.A. SANCHEZ-GARCIA, F. CALLE "Characterization of a pH sensor based on an AlGaN/GaN transistor" 7th Spanish Conference on Electronic Devices. CDE-09. IEEE, Electron Devices, 258-261, ISBN: 978-1-4244-2838-0 Santiado de Compo

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • EROLES MATALLANA, JAVIER
  • Calle Gómez, Fernando

"Characterization Of A Ph Sensor Based On An Algan/Gan Transistor" (p. 0-0) - 11/2/2009

  • iMarina

J. GRANDAL, A. BENGOECHEA, M. A. SÁNCHEZ-GARCÍA, E. CALLEJA, E. LUNA, A. TRAMPERT, E. GALLARDO, J.M. CALLEJA "InN/InGaN multiple quantum wells emitting at 1.5 µm" 15th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy Zakopane (Poland), 2009

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calleja Pardo, Enrique

"Inn/Ingan Multiple Quantum Wells Emitting At 1.5 µM" (p. 0-0) - 8/3/2009

  • iMarina

J.M. ROUTOURE, B. GUILLET, L. MÉCHIN, A. VILALTA-CLEMENTE, J. GRANDAL, M. A. SÁNCHEZ-GARCÍA, S. MARTÍN, F. CALLE, P. RUTERANA "Low frequency noise measurements in InN films" 2009 E-MRS Fall Meeting, Symposium on Indium Nitride. Warsaw (Poland), 2009

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calle Gómez, Fernando

"Low Frequency Noise Measurements In Inn Films" (p. 0-0) - 14/9/2009

  • iMarina

S. ALBERT, J. GRANDAL, M.A. SANCHEZ-GARCIA, P. LEFEBVRE, J. RISTIC, E. CALLEJA, A. VILALTA-CLEMENTE, B. LACROIX, P. RUTERANA, E. LUNA, U. JAHN, A. TRAMPERT. "MBE growth and characterization of InN/InGaN thin films and nanostructures on GaN templates and

  • U. Jahn
  • S. ALBERT
  • P. Ruterana
  • E. Luna
  • B. LACROIX
  • A. Trampert
  • A. VILALTA-CLEMENTE
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calleja Pardo, Enrique
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"Mbe Growth And Characterization Of Inn/Ingan Thin Films And Nanostructures On Gan Templates And Si(111) Substrates" (p. 0-0) - 22/8/2010

  • iMarina

A. BENGOECHEA, J. GRANDAL, S. FERNANDEZ-GARRIDO, M.A. SANCHEZ-GARCIA, F. BARBAGINI, P. LEFEBVRE, E. CALLEJA, E. LUNA, A. TRAMPERT. "Selective area growth of GaN nanocolumns by rf-plasma-assisted MBE". 16th International MBE Conference Berlin (Germany) 201

  • E. Luna
  • A. Trampert
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calleja Pardo, Enrique

"Selective Area Growth Of Gan Nanocolumns By Rf-Plasma-Assisted Mbe" (p. 0-0) - 22/8/2010

  • iMarina

A. REDONDO-CUBERO, J. PEREIRO, J. GRANDAL, K. LORENZ, N. FRANCO, R. GAGO, E. MUÑOZ, M. A. SÁNCHEZ-GARCÍA, E. CALLEJA, E. ALVES "Structural study of the epitaxial growth in InGaN/GaN heterostructures by ion beam analysis" 33rd Workshop on Compound Semico

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Muñoz Merino, Elías
  • Calleja Pardo, Enrique

"Structural Study Of The Epitaxial Growth In Ingan/Gan Heterostructures By Ion Beam Analysis" (p. 0-0) - 17/5/2009

  • iMarina

Novel nitride - Based materials for nonlinear optical signal processing applications at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Fernández, S.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Grandal, J.
  • Sánchez-García, M.A.
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2007 Ieee International Symposium On Intelligent Signal Processing, Wisp (p. 1-6) - 1/12/2007

10.1109/wisp.2007.4447511 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781424408306

Evidence of charge carrier number fluctuations in InN thin films?

  • Pierre Ruterana
  • Laurence Mechin
  • Jean-Marc Routoure
  • Geeti Rani Mutta
  • Bruno Guillet
  • Arantxa Vilalta-Clemente
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calle Gómez, Fernando
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2011 21st International Conference On Noise And Fluctuations (Icnf) (p. 483-485) - 19/9/2011

10.1109/icnf.2011.5994375 Ver en origen

Selective Area Growth of III-Nitrides on polar and semi-polar orientations: from light emitters to pseudo-substrates

  • Calleja, E
  • Bengoechea-Encabo, A
  • Albert, S
  • Sanchez-García, MA
  • Lopez-Romero, D
  • Trampert, A
  • Jahn, U
  • Bertram, F
  • Christen, J
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2014 Ieee Photonics Society Summer Topical Meeting Series (p. 34-34) - 1/1/2014

10.1109/sum.2014.25 Ver en origen

Electron accumulation layers in InN nanocolumns studied by raman scattering

  • Gallardo, E
  • Lazic, S
  • Calleja, JM
  • Agulló-Rueda, F
  • Grandal, J
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E
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Aip Conference Proceedings (p. 325-326) - 1/12/2009

10.1063/1.3295433 Ver en origen

  • ISSN 15517616

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

A. Develop process to make full visible spectrum display emitter layer using nanocolumns. B. Develop process to make UVA emitting arrays using nanocolumns

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))

Ejecución: 06-10-2020 - 03-11-2021

  • iMarina

Nanohilos basados en GaN para sistemas de información cuántica y circuitos digitales

  • FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA (Participante)
  • HERRANZ FEITO, MIGUEL (Investigador/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Participante)
  • LASO CARBAJO, MANUEL (Participante)
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Ejecución: 01-01-2019 - 31-07-2022

Tipo: Nacional

Importe financiado: 193963,00 Euros.

  • iMarina

Crecimiento por Epitaxia de Haces Moleculares de capas finas y nanoestructuras ordenadas de InGaN para dispositivos fotovoltaicos, sensores y generadores de hidrógeno

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • COBOS ARRIBAS, PEDRO (Participante)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Tipo: Nacional

Importe financiado: 204490,00 Euros.

  • iMarina

Towards p-type conductivity in In0.5Ga0.5N nanocolumns on a Si (100) substrate with GaN buffer layers

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • XIE, MENGYAO (Becario/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 15-06-2015 - 14-06-2017

Tipo: Internacional

Importe financiado: 170121,60 Euros.

  • iMarina

Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

  • iMarina

ADECUACIÓN DE UN REACTOR DE EPITAXIA DE HACES MOLECULARES (MBE) PARA EL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 22105,00 Euros.

  • iMarina

3D GaN for High Efficiency Solid State Lighting

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)

Ejecución: 01-04-2012 - 31-03-2015

Tipo: Internacional

Importe financiado: 552079,00 Euros.

  • iMarina

Células Solares de Ingan mejoradas con plasmones superficiales y fabricadas por MBE sobre sustratos de Silicio y Capas de Gan

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • YASUSHI NA, NANISHI (Participante)
  • MCCONVILLE NA, CHRIS (Participante)
  • Notzel, Richard (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • SABIDO SILLER, M CARMEN (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-01-2012 - 31-12-2014

Tipo: Nacional

Importe financiado: 269999,00 Euros.

  • iMarina

Substrate nanopatterning by e-beam lithography to growth ordered arrays of III-Nitride nanodetectors: application to IR detectors, emitters, and new Solar Cells

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 153917,00 Euros.

  • iMarina

Células Solares de heterounión InGaN y alta eficiencia crecidas por MBE

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • NANISHI ., YASUSHI (Participante)
  • ARTUS SURROCA, LLUIS (Participante)
  • Calleja Pardo, Jose Manuel (Participante)
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-11-2009 - 01-11-2012

Tipo: Nacional

Importe financiado: 40000,00 Euros.

  • iMarina

Self assembled and ordered group III nitride nanocolumnar structures for light emitting applications

  • Miguel Ángel Sánchez García (Director) Doctorando: Steven Albert

1/1/2015

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de heteroestructuras y nanocolumnas ordenadas basadas en nitruros del grupo III para aplicaciones sensoras

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Director) Doctorando: Bengoechea Encabo, Ana

1/1/2012

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de Nitruro de Indio por epitaxia de haces moleculares para aplicaciones en el infrarrojo cercano

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Director) Doctorando: Grandal Quintana, Javier

9/7/2009

  • iMarina

Epitaxial growth and characterization of InGaN layers for photovoltaics applications

  • Miguel Ángel Sánchez García (Director)
  • Javier Grandal Quintana (Director) Doctorando: Víctor Jesús Gómez Hernández

1/1/2017

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12