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Perfil en el portal institucional

Gonzalez Sanz, Fernando fernando.gonzalez@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Comparison of the crystalline quality of step-graded and continuously graded InGaAs buffer layers

  • Kidd P
  • Dunstan DJ
  • Colson HG
  • Lourenço MA
  • Sacedón A
  • González-Sanz F
  • González L
  • González Y
  • García R
  • González D
  • Pacheco FJ
  • Goodhew PJ
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Journal Of Crystal Growth (p. 649-659) - 1/1/1996

10.1016/s0022-0248(96)00665-3 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Characterisation by TEM and X-ray diffraction of linearly graded composition InGaAs buffer layers on (001) GaAs

  • Pacheco, FJ
  • Araujo, D
  • Molina, SI
  • Garcia, R
  • Sacedon, A
  • Gonzalez-Sanz, F
  • Calleja, E
  • Kidd, P
  • Lourenco, MA;
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Materials Science And Technology (p. 1273-1278) - 1/1/1998

10.1179/mst.1998.14.12.1273 Ver en origen

  • ISSN 02670836

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Piezoelectric optical nonlinearities in strained [111] InGaAs-GaAs multiple quantum well p-i-n structures

  • Smirl A
  • Huang X
  • Harken D
  • Cartwright A
  • McCallum D
  • Sanchez-Rojas J
  • Sacedon A
  • Gonzalez-Sanz F
  • Calleja E
  • Munoz E
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(p. 135-137) - 1/12/1994

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Este/a investigador/a no tiene proyectos de investigación.

Transporte y mecanismos de dispersión en estructuras HEMT pseudomórficas

  • GONZALEZ SANZ, FERNANDO (Director) Doctorando: FERNANDEZ DE AVILA LOPEZ, Susana

1/1/1995

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:02