Gonzalez Sanz, Fernando fernando.gonzalez@upm.es
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Static simulation of pseudomorphic heterostructure FETs at medium/high temperatures
- González B
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- González-Sanz F
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- Nunez A
Semiconductor Science And Technology (p. 534-539) - 1/1/2002
10.1088/0268-1242/17/6/306 Ver en origen
- ISSN 13616641
Oscillatory effective mass in the two-dimensional electron gas from Shubnikov-de Haas measurements
- Diaz-Paniagua, C
- Hidalgo, MA
- Brana, AF
- Urbina, A
- Batallan, F
- de Avila, SF
- Gonzalez-Sanz, F;
Solid State Communications (p. 785-790) - 9/3/1999
Editor: Elsevier Science Ltd
10.1016/s0038-1098(99)00036-8 Ver en origen
- ISSN 00381098
- ISSN/ISBN 0038-1098
Quantum lifetime in the 2DEG from high magnetic field magnetoresistance measurements
- Diaz-Paniagua C
- Hidalgo MA
- Urbina A
- Batallan F
- Gilperez JM
- Fernandez De Avila S
- Gonzalez-Sanz F
- Muñoz E
Solid State Communications (p. 57-62) - 10/12/1998
Editor: Elsevier Ltd
10.1016/s0038-1098(98)00500-6 Ver en origen
- ISSN 00381098
- ISSN/ISBN 0038-1098
Characterisation by TEM and X-ray diffraction of linearly graded composition InGaAs buffer layers on (001) GaAs
- Pacheco, FJ
- Araujo, D
- Molina, SI
- Garcia, R
- Sacedon, A
- Gonzalez-Sanz, F
- Calleja, E
- Kidd, P
- Lourenco, MA;
Materials Science And Technology (p. 1273-1278) - 1/1/1998
10.1179/mst.1998.14.12.1273 Ver en origen
- ISSN 02670836
Comparison of the crystalline quality of step-graded and continuously graded InGaAs buffer layers
- Kidd P
- Dunstan DJ
- Colson HG
- Lourenço MA
- Sacedón A
- González-Sanz F
- González L
- González Y
- García R
- González D
- Pacheco FJ
- Goodhew PJ
Journal Of Crystal Growth (p. 649-659) - 1/1/1996
10.1016/s0022-0248(96)00665-3 Ver en origen
- ISSN 00220248
Design of InGaAs linear graded buffer structures
- Sacedón A
- González-Sanz F
- Calleja E
- Muñoz E
- Molina S
- Pacheco F
- Araújo D
- García R
- Lourenço M
- Yang Z
- Kidd P
- Dunstan D
Applied Physics Letters (p. 3334-3336) - 1/1/1995
10.1063/1.113748 Ver en origen
- ISSN 00036951
Plastic relaxation of metamorphic single layer and multilayer InGaAs/GaAs structures
- Dunstan D
- Kidd P
- Fewster P
- Andrew N
- Grey R
- David J
- González L
- González Y
- Sacedón A
- González-Sanz F
Applied Physics Letters (p. 839-841) - 1/12/1994
10.1063/1.112177 Ver en origen
- ISSN 00036951
INFLUENCE OF DELTA-DOPING PROFILE AND INTERFACE ROUGHNESS ON THE TRANSPORT-PROPERTIES OF PSEUDOMORPHIC HETEROSTRUCTURES
- DEAVILA, SF
- SANCHEZROJAS, JL
- GONZALEZSANZ, F
- CALLEJA, E
- MUNOZ, E
- HIESINGER, P
- KOHLER, K
- JANTZ, W;
Applied Physics Letters (p. 907-909) - 1/1/1994
10.1063/1.110992 Ver en origen
- ISSN 00036951
DEPENDENCE ON THE IN CONCENTRATION OF THE PIEZOELECTRIC FIELD IN (111)B INGAAS/GAAS STRAINED HETEROSTRUCTURES
- SANCHEZROJAS, JL
- SACEDON, A
- GONZALEZSANZ, F
- CALLEJA, E
- MUNOZ, E;
Applied Physics Letters (p. 2042-2044) - 1/1/1994
10.1063/1.112787 Ver en origen
- ISSN 00036951
NONLINEAR-OPTICAL RESPONSE, SCREENING, AND DISTRIBUTION OF STRAIN IN PIEZOELECTRIC MULTIPLE-QUANTUM WELLS
- HUANG, XR
- HARKEN, DR
- CARTWRIGHT, AN
- MCCALLUM, DS
- SMIRL, AL
- SANCHEZROJAS, JL
- SACEDON, A
- GONZALEZSANZ, F
- CALLEJA, E
- MUNOZ, E;
Journal Of Applied Physics (p. 7870-7873) - 1/1/1994
10.1063/1.357896 Ver en origen
- ISSN 00218979
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