Sanz Hervas, Alfredo alfredo.sanz@upm.es
Actividades
- Artículos 42
- Libros 1
- Capítulos de libro 0
- Congresos 19
- Documentos de trabajo 0
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- Proyectos de investigación 2
- Tesis dirigidas 2
- Patentes o licencias de software 2
Interfacial properties of (111)A GaAs/AlGaAs multiquantum-well structures grown by metalorganic vapor phase epitaxy
- Sanz-Hervás A
- Cho S
- Majerfeld A
- Kim B
Applied Physics Letters (p. 3073-3075) - 22/5/2000
10.1063/1.126583 Ver en origen
- ISSN 00036951
MOVPE growth and properties of P-I-N InGaAs/GaAs strained multi-quantum well structures on (1 1 1)A GaAs substrates
- Kim J
- Cho S
- Sanz-Hervás A
- Majerfeld A
- Kim B
Journal Of Crystal Growth (p. 525-529) - 1/1/2000
10.1016/s0022-0248(00)00763-6 Ver en origen
- ISSN 00220248
Photoreflectance evaluation of MOVPE AlGaAs/GaAs multiple quantum wells on (111)A GaAs
- Cho, SH
- Sanz-Hervas, A
- Kovalenkov, OV
- Majerfeld, A
- Villar, C
- Kim, BW;
Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 123-125) - 1/12/1999
10.1016/s0921-5107(99)00131-2 Ver en origen
- ISSN 09215107
Influence of strain compensation on structural and electrical properties of InAlAs/InGaAs HEMT structures grown on InP
- Letartre, X
- Rojo-Romeo, P
- Tardy, J
- Bejar, M
- Gendry, M
- Py, MA
- Beck, M
- Buhlmann, HJ
- Ren, L
- Villar, C
- Sanz-Hervas, A
- Serrano, JJ
- Blanco, JM
- Aguilar, M
Japanese Journal Of Applied Physics (p. 1169-1173) - 1/1/1999
10.1143/jjap.38.1169 Ver en origen
- ISSN 00214922
Metalorganic vapor phase epitaxy growth and properties of GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs quantum well structures on (111)A GaAs substrates
- Cho, S
- Sanz-Hervas, A
- Kim, J
- Majerfeld, A
- Villar, C
- Kim, BM;
Microelectronics Journal (p. 455-459) - 1/1/1999
10.1016/s0026-2692(98)00152-9 Ver en origen
- ISSN 00262692
Direct determination of the piezoelectric field in (111) strained InGaAs/GaAs multiple quantum well p-i-n structures by photoreflectance
- Dickey S
- Majerfeld A
- Sánchez-Rojas J
- Sacedón A
- Muñoz E
- Sanz-Hervás A
- Aguilar M
- Kim B
Microelectronic Engineering (p. 171-177) - 1/8/1998
10.1016/s0167-9317(98)00160-9 Ver en origen
- ISSN 01679317
Effect of the growth parameters on the luminescence properties of high-quality GaAs/AlGaAs multiquantum wells on (111)A substrates by metal organic vapor phase epitaxy
- Sanz-Hervas, A
- Cho, S
- Kim, J
- Majerfeld, A
- Villar, C
- Kim, BW;
Journal Of Crystal Growth (p. 558-563) - 15/12/1998
10.1016/s0022-0248(98)00593-4 Ver en origen
- ISSN 00220248
Growth optimization and doping with Si and Be of high quality GaN on Si(111) by molecular beam epitaxy
- Sanchez-Garcia, MA
- Calleja, E
- Sanchez, FJ
- Calle, F
- Monroy, E
- Basak, D
- Munoz, E
- Villar, C
- Sanz-Hervas, A
- Aguilar, M
- Serrano, JJ
- Blanco, JM
Journal Of Electronic Materials (p. 276-281) - 1/1/1998
10.1007/s11664-998-0399-2 Ver en origen
- ISSN 03615235
Growth and characterization of (InSb)m(InP)n short period superlattices
- Utzmeier T
- Armelles G
- Postigo P
- Briones F
- Castrillo P
- Sanz-Hervas A
- Aguilar M
- Abril E
Applied Physics Letters (p. 3017-3019) - 2/6/1997
10.1063/1.118735 Ver en origen
- ISSN 00036951
Growth kinetics and morphology of high quality AlN grown on Si(111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy
- Calleja, E
- SanchezGarcia, MA
- Monroy, E
- Sanchez, FJ
- Munoz, E
- SanzHervas, A
- Villar, C
- Aguilar, M
Journal Of Applied Physics (p. 4681-4683) - 1/11/1997
10.1063/1.366208 Ver en origen
- ISSN 00218979
Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.
Tunable mechanical resonator with aluminum nitride piezoelectric actuation
- Olivares, J
- Malo, J
- González, S
- Iborra, E
- Izpura, I
- Clement, M
- Sanz-Hervás, A
- Sánchez-Rojas, JL
- Sanz, P
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering - 9/8/2006
10.1117/12.664444 Ver en origen
- ISSN 0277786X
Fast Evaluation of Piezoelectric Aluminum Nitride Films by Infrared Optical Techniques
- Clement, M
- Iborra, E
- Olivares, J
- González-Castilla, S
- Sanz-Hervás, A
- Vergara, L
- Sangrador, J
Proceedings Of The Ieee Ultrasonics Symposium (p. 2297-2300) - 1/12/2006
10.1109/ultsym.2006.578 Ver en origen
- ISSN 10510117
Ge and GeOx films as sacrificial layer for MEMS technology based on piezoelectric AIN: Etching and planarization processes
- Sangrador, J
- Olivares, J
- Iborra, E
- Vergara, L
- Clement, M
- Sanz-Hervás, A
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 1-15) - 9/12/2005
10.1117/12.608244 Ver en origen
- ISSN 0277786X
Assessment of the piezoelectric response of sputtered AlN films by X-ray diffraction
- Iborra, E
- Sanz-Hervas, A
- Clement, M
- Vergara, L
- Olivares, J
- Sangrador, J
Proceedings Of The Ieee Ultrasonics Symposium (p. 1808-1811) - 1/12/2005
10.1109/ultsym.2005.1603219 Ver en origen
- ISSN 10510117
AlN-on-Si SAW filters: Influence of film thickness, IDT geometry and substrate conductivity
- Clement, M
- Vergara, L
- Iborra, E
- Sanz-Hervás, A
- Olivares, J
- Sangrador, J
Proceedings Of The Ieee Ultrasonics Symposium (p. 1900-1904) - 1/12/2005
10.1109/ultsym.2005.1603244 Ver en origen
- ISSN 10510117
Comparative study of c-axis AlN films sputtered on metallic surfaces
- Sanz-Hervás A
- Vergara L
- Olivares J
- Iborra E
- Morilla Y
- García-López J
- Clement M
- Sangrador J
- Respaldiza M
Diamond And Related Materials (p. 1198-1202) - 1/1/2005
10.1016/j.diamond.2004.11.010 Ver en origen
- ISSN 09259635
The role of Ge predeposition temperature in the MBE epitaxy of SiC on silicon
- Morales F
- Zgheib C
- Molina S
- Araújo D
- García R
- Fernández C
- Sanz-Hervás A
- Masri P
- Weih P
- Stauden T
- Cimalla V
- Ambacher O
- Pezoldt J
Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 341-346) - 18/5/2004
10.1002/pssc.200303940 Ver en origen
- ISSN 18626351
Influence of oxygen and argon on the crystal quality and piezoelectric response of AlN sputtered thin films
- Vergara, L
- Clement, M
- Iborra, E
- Sanz-Hervás, A
- García-López, J
- Morilla, Y
- Sangrador, J
- Respaldiza, MA
Diamond And Related Materials (p. 839-842) - 1/4/2004
10.1016/j.diamond.2003.10.063 Ver en origen
- ISSN 09259635
A model for the accurate determination of the electromechanical coupling factor of thin film SAW devices on non-insulating substrates
- Iborra, E
- Vergara, L
- Sangrador, J
- Clement, M
- Sanz-Hervas, A
- Olivares, J
Proceedings Of The Ieee Ultrasonics Symposium (p. 1880-1883) - 1/12/2004
10.1109/ultsym.2004.1418197 Ver en origen
- ISSN 10510117
SAW and BAW response of c-axis AlN thin films sputtered on platinum
Proceedings Of The Ieee Ultrasonics Symposium (p. 1367-1370) - 1/12/2004
- ISSN 10510117
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
PhD Programme in Biomedical Engineering and Health Systems
- Serrano Olmedo, José Javier (Investigador principal (IP))
- SANZ HERVAS, ALFREDO (Participante)
Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2020
Tipo: Internacional
Importe financiado: 15093,75 Euros.
- iMarina
Diseño electrónico avanzado: Consumo, temperatura y altas prestaciones
- ECHEVERRIA ARAMENDI, PEDRO (Participante)
- GARCIA REDONDO, FERNANDO (Miembro del equipo de trabajo)
- SANZ HERVAS, ALFREDO (Participante)
- ITUERO HERRERO, PABLO (Participante)
- LOPEZ BARRIO, CARLOS ALBERTO (Participante)
- LOPEZ VALLEJO, M. LUISA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2010 - 31-12-2012
Tipo: Nacional
Importe financiado: 75503,80 Euros.
- iMarina
El clarinete Sistema Romero : aspectos históricos y descripción de sus componentes mecánicos
- SANZ HERVAS, ALFREDO (Director) Doctorando: Rubio Olivares, Pedro
3/7/2023
- iMarina
PREAMPLIFICADOR DE ESTADO SOLIDO DE SEÑALES DE AUDIO GENERADAS POR INSTRUMENTOS MUSICALES
- RODRIGO GARCIA, JORGE (Inventores/autores/obtentores)
- SANZ HERVAS,ALFREDO (Inventores/autores/obtentores)
2/12/2008
- iMarina
PROCEDIMIENTO DE AMPLIFICACION DE SEÑALES DE AUDIO GENERADAS POR INSTRUMENTOS MUSICALES PARA PREAMPLIFICADORES DE ESTADO SOLIDO.
- RODRIGO GARCIA, JORGE (Inventores/autores/obtentores)
- SANZ HERVAS,ALFREDO (Inventores/autores/obtentores)
2/12/2008
- iMarina
Perfiles de investigador/a
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