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Perfil en el portal institucional

Sanz Hervas, Alfredo alfredo.sanz@upm.es

TECNOLOGÍA FOTÓNICA Y BIOINGENIERÍA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Observation of non-trigonal lattice distortion in pseudomorphic InGaAs/GaAs superlattices grown on misoriented (111)B GaAs

  • Sanzhervas, A
  • Aguilar, M
  • Sanchezrojas, JL
  • Sacedon, A
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Villar, C
  • Abril, EJ
  • Lopez, M
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Journal Of Applied Physics (p. 3297-3305) - 1/10/1997

10.1063/1.365637 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Metalorganic vapor phase epitaxy growth and properties of GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs quantum well structures on (111)A GaAs substrates

  • Cho, S
  • Sanz-Hervas, A
  • Kim, J
  • Majerfeld, A
  • Villar, C
  • Kim, BM;

Microelectronics Journal (p. 455-459) - 1/1/1999

10.1016/s0026-2692(98)00152-9 Ver en origen

  • ISSN 00262692

MOVPE growth and properties of P-I-N InGaAs/GaAs strained multi-quantum well structures on (1 1 1)A GaAs substrates

  • Kim J
  • Cho S
  • Sanz-Hervás A
  • Majerfeld A
  • Kim B

Journal Of Crystal Growth (p. 525-529) - 1/1/2000

10.1016/s0022-0248(00)00763-6 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Interfacial properties of strained piezoelectric InGaAs/GaAs quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy on (111)A GaAs

  • Cho S
  • Sanz-Hervás A
  • Kim J
  • Majerfeld A
  • Kim B

Journal Of Applied Physics (p. 1909-1913) - 15/8/2004

10.1063/1.1765862 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Interfacial properties of (111)A GaAs/AlGaAs multiquantum-well structures grown by metalorganic vapor phase epitaxy

  • Sanz-Hervás A
  • Cho S
  • Majerfeld A
  • Kim B

Applied Physics Letters (p. 3073-3075) - 22/5/2000

10.1063/1.126583 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Influence of the Ge coverage prior to carbonization on the structure of SiC grown on Si(111)

  • Morales, FM
  • Zgheib, C
  • Molina, SI
  • Araujo, D
  • Garcia, R
  • Fernandez, C
  • Sanz-Hervas, A
  • Masri, P
  • Weih, P
  • Stauden, T
  • Ambacher, O
  • Pezoldt, J;
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Materials Science Forum (p. 297-300) - 1/1/2004

10.4028/www.scientific.net/msf.457-460.297 Ver en origen

  • ISSN 02555476

Influence of strain compensation on structural and electrical properties of InAlAs/InGaAs HEMT structures grown on InP

  • Letartre, X
  • Rojo-Romeo, P
  • Tardy, J
  • Bejar, M
  • Gendry, M
  • Py, MA
  • Beck, M
  • Buhlmann, HJ
  • Ren, L
  • Villar, C
  • Sanz-Hervas, A
  • Serrano, JJ
  • Blanco, JM
  • Aguilar, M
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Japanese Journal Of Applied Physics (p. 1169-1173) - 1/1/1999

10.1143/jjap.38.1169 Ver en origen

  • ISSN 00214922

Influence of sputtering mechanisms on the preferred orientation of aluminum nitride thin films

  • Clement, M
  • Iborra, E
  • Sangrador, J
  • Sanz-Hervás, A
  • Vergara, L
  • Aguilar, M

Journal Of Applied Physics (p. 1495-1500) - 1/8/2003

10.1063/1.1587267 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Influence of crystal properties on the absorption IR spectra of polycrystalline AlN thin films

  • Sanz-Hervás, A
  • Iborra, E
  • Clement, M
  • Sangrador, J
  • Aguilar, M

Diamond And Related Materials (p. 1186-1189) - 1/3/2003

10.1016/s0925-9635(02)00228-5 Ver en origen

  • ISSN 09259635

High-resolution x-ray diffraction study of piezoelectric InGaAs/GaAs multiquantum well p-i-n photodiodes grown on (111)B GaAs

  • Sanzhervas, A
  • Aguilar, M
  • Sanchezrojas, JL
  • Sacedon, A
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Abril, EJ
  • Lopez, M
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Applied Physics Letters (p. 1574-1576) - 9/9/1996

10.1063/1.117034 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Instrumentación electrónica

  • José María Blanco Vidal, Alfredo Sanz Hervás, José Javier Serrano Olmedo

1/1/2006

  • ISBN 8474023319
  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Tunable mechanical resonator with aluminum nitride piezoelectric actuation

  • Olivares, J
  • Malo, J
  • González, S
  • Iborra, E
  • Izpura, I
  • Clement, M
  • Sanz-Hervás, A
  • Sánchez-Rojas, JL
  • Sanz, P
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Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering - 9/8/2006

10.1117/12.664444 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

The role of Ge predeposition temperature in the MBE epitaxy of SiC on silicon

  • Morales F
  • Zgheib C
  • Molina S
  • Araújo D
  • García R
  • Fernández C
  • Sanz-Hervás A
  • Masri P
  • Weih P
  • Stauden T
  • Cimalla V
  • Ambacher O
  • Pezoldt J
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Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 341-346) - 18/5/2004

10.1002/pssc.200303940 Ver en origen

  • ISSN 18626351

Structural properties of strained piezoelectric [1 1 1]A-oriented InGaAs/GaAs quantum well structures grown by MOVPE

  • Kim J
  • Cho S
  • Sanz-Hervás A
  • Majerfeld A
  • Patriarche G
  • Kim B

Journal Of Crystal Growth (p. 359-363) - 1/2/2003

10.1016/s0022-0248(02)01887-0 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Structural and optical properties of very high quality GaAs/AlGaAs multiple quantum well structures grown on (111)A substrates by MOVPE

  • Sanz-Hervas A
  • Cho S
  • Kovalenkov O
  • Dickey S
  • Majerfeld A
  • Villar C
  • Lopez M
  • Melliti R
  • Wang G
  • Tronc P
  • Kim B
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Proceedings Of The Ieee 24th International Symposium On Compound Semiconductors, Iscs 1997 (p. 291-294) - 1/1/1998

10.1109/iscs.1998.711638 Ver en origen

SAW and BAW response of c-axis AlN thin films sputtered on platinum

  • Clement M
  • Vergara L
  • Olivares J
  • Iborra E
  • Sangrador J
  • Sanz-Hervás A
  • Zinck C
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Proceedings Of The Ieee Ultrasonics Symposium (p. 1367-1370) - 1/12/2004

  • ISSN 10510117
  • iMarina

Role of argon ion bombardment in sputtered AlN films for SAW devices

  • Iborro, E
  • Clement, M
  • Sangrador, J
  • Sanz-Hervás, A
  • Navarro, AJ
  • Aguilar, M

Proceedings Of The Ieee Ultrasonics Symposium (p. 411-414) - 1/12/2002

10.1109/ultsym.2002.1193431 Ver en origen

  • ISSN 10510117

Piezoelectric InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well lasers grown on (111)A GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy

  • Kim J
  • Cho S
  • Majerfeld A
  • Sanz-Hervas A
  • Patriarche G
  • Kim B

Conference On Lasers And Electro-Optics Europe - Technical Digest - 1/12/2003

10.1109/cleoe.2003.1312248 Ver en origen

MOVPE growth of highly-strained piezoelectric InGaAs/GaAs quantum wells on [1 1 1]A-oriented substrates

  • Kim J
  • Cho S
  • Sanz-Hervás A
  • Majerfeld A
  • Kim B

Journal Of Crystal Growth (p. 415-419) - 1/5/2001

10.1016/s0022-0248(01)00903-4 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Interfacial and piezoelectric properties of highly strained InGaAs/GaAs quantum well structures grown on (111)A GaAs substrates by MOVPE

  • Kim J
  • Cho S
  • Sanz-Hervás A
  • Majerfeld A
  • Patriarche G
  • Kim B

Institute Of Physics Conference Series (p. 113-116) - 1/12/2003

  • ISSN 09513248
  • iMarina

Influence of oxygen and argon on the crystal quality and piezoelectric response of AlN sputtered thin films

  • Vergara, L
  • Clement, M
  • Iborra, E
  • Sanz-Hervás, A
  • García-López, J
  • Morilla, Y
  • Sangrador, J
  • Respaldiza, MA
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Diamond And Related Materials (p. 839-842) - 1/4/2004

10.1016/j.diamond.2003.10.063 Ver en origen

  • ISSN 09259635

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

PhD Programme in Biomedical Engineering and Health Systems

  • Serrano Olmedo, José Javier (Investigador principal (IP))
  • SANZ HERVAS, ALFREDO (Participante)

Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2020

Tipo: Internacional

Importe financiado: 15093,75 Euros.

  • iMarina

Diseño electrónico avanzado: Consumo, temperatura y altas prestaciones

  • ECHEVERRIA ARAMENDI, PEDRO (Participante)
  • GARCIA REDONDO, FERNANDO (Miembro del equipo de trabajo)
  • SANZ HERVAS, ALFREDO (Participante)
  • ITUERO HERRERO, PABLO (Participante)
  • LOPEZ BARRIO, CARLOS ALBERTO (Participante)
  • LOPEZ VALLEJO, M. LUISA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2010 - 31-12-2012

Tipo: Nacional

Importe financiado: 75503,80 Euros.

  • iMarina

El clarinete Sistema Romero : aspectos históricos y descripción de sus componentes mecánicos

  • SANZ HERVAS, ALFREDO (Director) Doctorando: Rubio Olivares, Pedro

3/7/2023

  • iMarina

Análisis y diseño de un patrón de ruido térmico de 10 MHz a 26,5 GHz en tecnología coaxial

  • DIAZ MORCILLO, Alejandro (Director)
  • SANZ HERVAS, ALFREDO (Director) Doctorando: Fornet Ruiz, Jaime Jose

1/1/2013

  • iMarina

PROCEDIMIENTO DE AMPLIFICACION DE SEÑALES DE AUDIO GENERADAS POR INSTRUMENTOS MUSICALES PARA PREAMPLIFICADORES DE ESTADO SOLIDO.

  • RODRIGO GARCIA, JORGE (Inventores/autores/obtentores)
  • SANZ HERVAS,ALFREDO (Inventores/autores/obtentores)

2/12/2008

  • iMarina

PREAMPLIFICADOR DE ESTADO SOLIDO DE SEÑALES DE AUDIO GENERADAS POR INSTRUMENTOS MUSICALES

  • RODRIGO GARCIA, JORGE (Inventores/autores/obtentores)
  • SANZ HERVAS,ALFREDO (Inventores/autores/obtentores)

2/12/2008

  • iMarina
Última actualización de los datos: 5/03/24 16:24