Fernandez Gonzalez, Alvaro De Guzman alvarodeguzman.fernandez@upm.es
Actividades
- Artículos 80
- Libros 0
- Capítulos de libro 1
- Congresos 88
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 15
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
Dominant carrier recombination mechanisms in GaInNAs/GaAs quantum well light-emitting diodes
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Tournié, E
- Sánchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Applied Physics Letters (p. 40-42) - 5/7/2004
10.1063/1.1769078 Ver en origen
- ISSN 00036951
Correlation between interface structure and light emission at 1.3-1.55 mu m of (Ga,In)(N,As) diluted nitride heterostructures on GaAs substrates
- Trampert, A
- Chauveau, JM
- Ploog, KH
- Tournié, E
- Guzmán, A
Journal Of Vacuum Science & Technology b (p. 2195-2200) - 1/7/2004
10.1116/1.1775197 Ver en origen
- ISSN 10711023
Effect of nitrogen on the optical properties of InGaAsN p-i-n structures grown on misoriented (111)B GaAs substrates
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Applied Physics Letters (p. 2524-2526) - 5/4/2004
10.1063/1.1695639 Ver en origen
- ISSN 00036951
Optoelectronic properties of 2-D and 3-D-grown GaInNAs/GaAs QW light emitting diodes and laser diodes
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Miguel-Sanchez, J
- Guzman, A
- Trampert, A
- Sanchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 421-425) - 1/10/2004
10.1049/ip-opt:20040911 Ver en origen
- ISSN 13502433
Influence of substrate misorientation and growth temperature on N incorporation in InGaAsN/GaAs quantum wells grown on (111)B GaAs
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures (p. 356-361) - 1/1/2004
10.1016/j.physe.2003.11.282 Ver en origen
- ISSN 13869477
Effect of nitrogen ions on the properties of InGaAsN quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 305-308) - 1/1/2004
10.1049/ip-opt:20040910 Ver en origen
- ISSN 13502433
Annealing effects on the crystal structure of GaInNAs quantum wells with large In and N content grown by molecular beam epitaxy
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Chauveau, JM
- Trampert, A
- Pinault, MA
- Tournié, E
- Guzmán, A
- Sánchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Journal Of Applied Physics (p. 2319-2324) - 15/8/2003
10.1063/1.1591416 Ver en origen
- ISSN 00218979
On the growth conditions of 3-5 mu m well-doped AlGaAs/AlAs/GaAs infrared detectors and its relation to the photovoltaic effect studied by transmission electron microscopy
- Luna, E
- Guzmán, A
- Trampert, A
- Sánchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Infrared Physics & Technology (p. 391-398) - 21/10/2003
10.1016/s1350-4495(03)00160-9 Ver en origen
- ISSN 13504495
GaAsN/AlAs/AlGaAs double barrier quantum wells grown by molecular beam epitaxy as an alternative to infrared absorption below 4 mu m
- Guzmán, A
- Luna, E
- Miguel-Sánchez, J
- Calleja, E
- Muñoz, E
Infrared Physics & Technology (p. 377-382) - 21/10/2003
10.1016/s1350-4495(03)00158-0 Ver en origen
- ISSN 13504495
Modulation-doping in 3-5 mu m GaAs/AlAs/AlGaAs double barrier quantum well infrared photodetectors: an alternative to achieve high photovoltaic performance and high temperature detection
- Luna, E
- Guzmán, A
- Sánchez-Rojas, JL
- Calleja, E
- Muñoz, E
Infrared Physics & Technology (p. 383-390) - 21/10/2003
10.1016/s1350-4495(03)00159-2 Ver en origen
- ISSN 13504495
Este/a investigador/a no tiene libros.
Unintentional Doping in GaAsSb/GaAsN Superlattice Solar Cells
- Schwarz, M
- Carro, AG
- Stanojevic, L
- Catalán-Gómez, S
- Braza, V
- Flores, S
- Fernandez-Reyes, D
- Ben, T
- González, D
- Guzman, A
- Hierro, A
- Aeberhard, U
- Ulloa, JM
14th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2023 - Proceedings - 1/1/2023
QWIP structures with lateral bias : An alternative approach to achieve high-temperature operation
- R San Román
- R Gargallo-Caballero
- H T Grahn[et al]
Proceedings (p. 0-3) - 16/6/2018
- iMarina
Strain-balanced type II superlattices for efficient multi-junction solar cells
- Gonzalo, A
- Utrilla, AD
- Reyes, DF
- Braza, V
- Llorens, JM
- Marrón, DF
- Alén, B
- Ben, T
- González, D
- Guzman, A
- Hierro, A
- Ulloa, JM
Proceedings Of 7th World Conference On Photovoltaic Energy Conversion (p. 1-10) - 10/6/2018
10.1038/s41598-017-04321-4 Ver en origen
- ISSN 20452322
- iMarina
- iMarina
Type-II GaAsSb/GaAsN superlattice solar cells
- Gonzalo, A
- Utrilla, AD
- Aeberhard, U
- Llorens, JM
- Alén, B
- Marrón, DF
- Guzman, A
- Hierro, A
- Ulloa, JM
Proceedings Vol 10527 Physics, Simulation, And Photonic Engineering Of Photovoltaic Devices Vii (p. 1.052.701-1.052.709) - 27/1/2018
10.1117/12.2290079 Ver en origen
- ISSN 0277786X
- iMarina
- iMarina
Interplay between carrier lifetime, electronic coupling, and extraction efficency
- U. Aeberhard
- J. M. Llorens
- D. Fuertes-Marrón
- B. Alen
- A. D. Utrilla
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- GONZALO MARTIN, ALICIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-3) - 27/1/2018
- iMarina
High temperature photoresponse of double Quantum-Well Infrared Photodetectors using laterally biased structures
- R San Román
- R Gargallo-Caballero
- HT Grahn[et al]
Proceedings (p. 0-3) - 5/3/2017
- iMarina
Strain-balanced type-II GaAsSb/GaAsN superlattices for efficient multi-junction solar cells
- V. Braza-Blanco
- T. Ben
- D.F. Reyes
- D. González
- B. Alen
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- GONZALO MARTIN, ALICIA
- GUZMAN BALBAS, LUIS ALBERTO
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Fuertes Marron, David
- (p. 62-62) - 18/9/2016
- iMarina
Strain-balanced type-II GaAsSb/GaAsN superlattices as 1 eV layer for efficient multi-junction solar cells
- V. Braza-Blanco
- T. Ben
- D.F. Reyes
- D. González
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- GONZALO MARTIN, ALICIA
- GUZMAN BALBAS, LUIS ALBERTO
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Fuertes Marron, David
- (p. 62-62) - 4/9/2016
- iMarina
Room Temperature Operation of Laterally Biased Quantum Well Infrared Photodetectors
- X Lu
- R Gargallo-Caballero
- HT Grahn[et al]
Proceedings (p. 0-3) - 4/9/2016
- iMarina
Analysis of the Sb and N distribution in GaAsSb/GaAsN superlattices for solar cell applications
- V. Braza
- T. Ben
- P.M. Koenraad
- D.F. Reyes
- D.F. Grossi
- D. González
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- GONZALO MARTIN, ALICIA
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-3) - 28/8/2016
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Nueva Generación de emisores de Fotones Individuales para Telecomunicaciones
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))
- Gacevic, Zarko (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ABUIN HERRAEZ, MANUEL (Miembro del equipo de trabajo)
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Miembro del equipo de trabajo)
Ejecución: 01-09-2023 - 31-08-2026
Tipo: Nacional
- iMarina
PRTR. Comunicaciones cuánticas
- PEDROS AYALA, JORGE (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- BOSCA MOJENA, ALBERTO (Participante)
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Participante)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Participante)
- STANOJEVIC, LAZAR (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- FABA GARCIA, JAVIER (Participante)
- Martin Ayuso, Vicente (Investigador principal (IP))
- Gacevic, Zarko (Investigador principal (IP))
- BRITO MENDEZ, RUBEN DAVID (Participante)
- VICENTE GARCIA, RAFAEL JUAN (Participante)
- SEBASTIAN LOMBRAÑA, ALBERTO JUAN (Participante)
- ROSALES BEJARANO, JOSE LUIS (Participante)
- SAEZ DE BURUAGA BROUNS, JAIME (Participante)
- GARCIA-ARISCO RIVERA, JESUS (Participante)
- OBRADOVIC, JOVANA (Participante)
Ejecución: 01-01-2022 - 31-12-2024
Tipo: Regional
- iMarina
Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023
Tipo: Nacional
Importe financiado: 82280,00 Euros.
- iMarina
Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020
Tipo: Nacional
Importe financiado: 90750,00 Euros.
- iMarina
Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020
Tipo: Internacional
Importe financiado: 698871,25 Euros.
- iMarina
Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
Tipo: Nacional
Importe financiado: 103220,41 Euros.
- iMarina
Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015
Tipo: Nacional
- iMarina
ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies
- Nakamura ., Atsushi (Participante)
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 174336,00 Euros.
- iMarina
Smart nanostructured semiconductors for energy saving light solutions
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- PRIETO MARTIN, JOSE LUIS (Participante)
- PADILLA GONZALEZ, ISIDORO (Participante)
- Gacevic, Zarko (Participante)
- Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
- Notzel, Richard (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Participante)
Ejecución: 01-09-2009 - 31-08-2012
Tipo: Internacional
Importe financiado: 800650,00 Euros.
- iMarina
Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010
Tipo: Internacional
Importe financiado: 70000,00 Euros.
- iMarina
Surface InGaAs nanostructures for sensing applications
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Milla Rodrigo, María José
1/1/2015
- iMarina
Desarrollo de dispositivos optoelectrónicos mediante crecimiento por MBE y caracterización de nanoestructuras de punto cuántico basadas en (Ga,In)(As,N)
- Fernández González, Álvaro G. (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Gargallo Caballero, Raquel
1/1/2010
- iMarina
Crecimiento por MBE de pozos cuánticos de InGaAsN sobre GaAs (111) B y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor.
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Miguel Sanchez, Javier
1/1/2006
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
-
Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
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