Fernandez Gonzalez, Alvaro De Guzman alvarodeguzman.fernandez@upm.es
Actividades
- Artículos 80
- Libros 0
- Capítulos de libro 1
- Congresos 88
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 15
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
Structural and morphological characteristics of InGaAs/GaAs quantum well structures on tilted (1 1 1)B GaAs grown by MBE
- Sanchez, JJ
- Marty, O
- Hopkinson, M
- Izpura, I
- Guzman, A
- Tijero, JMG
Journal Of Crystal Growth (p. 363-371) - 1/9/1998
10.1016/s0022-0248(98)00471-0 Ver en origen
- ISSN 00220248
Growth and characterization of a bound-to-quasi-continuum QWIP with Al-graded triangular confinement barriers
- Guzmán, A
- Sánchez-Rojas, JL
- Tijero, JMG
- Hernando, J
- Calleja, E
- Muñoz, E
- Vergara, G
- Almazán, R
- Gómez, LJ
- Verdú, M
- Montojo, MT
Ieee Photonics Technology Letters (p. 1650-1652) - 1/1/1999
10.1109/68.806876 Ver en origen
- ISSN 10411135
Optical characterisation of quantum well infra-red detector structures
- A Guzmán
- JL Sánchez-Rojas
- JMG Tijero
- JJ Sánchez
- J Hernando
- E Calleja
- E Muñoz
- G Vergara
- MT Montojo
- LJ Gómez
- P Rodriíguez
- R Almazán
- M Verdú
Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 89-92) - 1/12/1999
10.1049/ip-opt:19990183 Ver en origen
- ISSN 13502433
- iMarina
- iMarina
Voltage-tunable two-colour quantum well infrared detector with Al-graded triangular confinement barriers
- Guzmán, A
- Sánchez-Rojas, JL
- Tijero, JMG
- Hernando, J
- Calleja, E
- Muñoz, E
- Vergara, G
- Almazán, R
- Sánchez, FJ
- Verdú, M
- Montojo, MT
Semiconductor Science And Technology (p. 285-288) - 1/1/2001
10.1088/0268-1242/16/5/301 Ver en origen
- ISSN 13616641
Effect of indium content on the normal-incident photoresponse of InGaAs/GaAs quantum-well infrared photodetectors
- Hernando, J
- Sánchez-Rojas, JL
- Guzmán, A
- Muñoz, E
- Tijero, JMG
- González, D
- Aragón, G
- García, R
Applied Physics Letters (p. 2390-2392) - 16/4/2001
10.1063/1.1365951 Ver en origen
- ISSN 00036951
Mechanisms affecting the photoluminescence spectra of GaInNAs after post-growth annealing
- Tournié, E
- Pinault, MA
- Guzmán, A
Applied Physics Letters (p. 4148-4150) - 1/1/2002
10.1063/1.1481978 Ver en origen
- ISSN 00036951
GaAs-Based modulation-doped quantum-well infrared photodetectors for single- and two-color detection in 3-5 mu m
- Luna, E
- Guzmán, A
- Sánchez-Rojas, JL
- Sánchez, JM
- Muñoz, E
Ieee Journal Of Selected Topics In Quantum Electronics (p. 992-997) - 1/9/2002
10.1109/jstqe.2002.804240 Ver en origen
- ISSN 1077260X
Modulation-doped double-barrier quantum well infrared detectors for photovoltaic operation in 3-5 mu m
- Luna, E
- Sánchez-Rojas, JL
- Guzmán, A
- Tijero, JMG
- Muñoz, E
Ieee Photonics Technology Letters (p. 105-107) - 1/1/2003
10.1109/lpt.2002.805791 Ver en origen
- ISSN 10411135
Growth and characterization of modulation-doped double barrier quantum well infrared photodetectors
Journal Of Vacuum Science & Technology b (p. 883-887) - 1/1/2003
10.1116/1.1562643 Ver en origen
- ISSN 10711023
Dilute nitride based double-barrier quantum-well infrared photodetector operating in the near infrared
- Luna, E
- Hopkinson, M
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
- Muñoz, E
Applied Physics Letters (p. 3111-3113) - 13/10/2003
10.1063/1.1618931 Ver en origen
- ISSN 00036951
Este/a investigador/a no tiene libros.
J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 µm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" 15th European Molacular Beam Epitaxy Works
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" (p. 0-0) - 8/3/2009
- iMarina
J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 µm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" 15th European Molacular Beam Epitaxy Works
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL[et al]
"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" - 8/3/2009
- iMarina
J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 nm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" Spring European Materials Research Society
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
"1.3- 1.5 ¿M Gaassb-Capped Inas Quantum Dots: Effect Of The Sb Content On The Structural And Optical Properties" (p. 0-0) - 8/6/2009
- iMarina
M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, A. GUZMÁN, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "1.3-1.5 µm emitting InAs quantum dot LEDs with (Ga, In)(N,As) and Ga(As,Sb) capping layers: a comparison" Spring European Materials Research Society Confe
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
"1.3-1.5 µM Emitting Inas Quantum Dot Leds With (Ga, In)(N,As) And Ga(As,Sb) Capping Layers: A Comparison" (p. 0-0) - 14/9/2009
- iMarina
J. M. ULLOA, M. DEL MORAL, M. BOZKURT, R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, P. M. KOENRAAD, A. HIERRO "GaAsSb-capped InAs quantum dots: from enlarged quantum dot height to alloy fluctuations" Internacional Quantum Dot Conference 2010. Nottinghan (UK), 2010
- P. M. Koenraad
- M. DEL MORAL
- M. Bozkurt
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Gaassb-Capped Inas Quantum Dots: From Enlarged Quantum Dot Height To Alloy Fluctuations (p. 0-0) - 26/4/2010
- iMarina
J.M. ULLOA, R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, A. HIERRO . "GaAsSbN-capped InAs quantum dots for 1.3 - 1.55 µm emission" European Materials Research Society Spring Meeting 2010. Strasbourg (France), 2010
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Gaassbn-Capped Inas Quantum Dots For 1.3 ¿ 1.55 µM Emission (p. 0-0) - 7/6/2010
- iMarina
D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ. "Effects of the nitrogen incorporation in the optical and structural characteristics of nitrogen-dilute InAsN QDs" European Materials Research Society Spring Meet
- D.L. SALES
- D.F. REYES
- D. GONZÁLEZ
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Effects Of The Nitrogen Incorporation In The Optical And Structural Characteristics Of Nitrogen-Dilute Inasn Qds" (p. 0-0) - 8/6/2010
- iMarina
D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ "Efecto de la incorporación de nitrógeno en puntos cuánticos enterrados de in In(Ga)As crecidos sobre GaAs" Congreso Nacional de Materiales, Zaragoza (Spain), 2010
- D.L. SALES
- D.F. REYES
- D. González
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Efecto De La Incorporación De Nitrógeno En Puntos Cuánticos Enterrados De In In(Ga)As Crecidos Sobre Gaas (p. 0-0) - 23/6/2010
- iMarina
A.GUZMÁN FERNÁNDEZ, R. GARGALLO-CABLLERO, MJ. MILLA, JM. ULLOA, A. HIERRO "Low optical degradation in InGaAsN/GaAs Quantum Dot p-i-n structures emitting from 1.1 to 1.55 µm" 16th International MBE Conference Berlín (German), 2010
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Low Optical Degradation In Ingaasn/Gaas Quantum Dot P-I-N Structures Emitting From 1.1 To 1.55 µM" (p. 0-0) - 22/8/2010
- iMarina
A.GUZMÁN FERNÁNDEZ, R. SAN-ROMÁN, A.HIERRO "Laterally biased double quantum well IR detector fabricated by MBE regrowth". 6th International Conference on Molecular Beam Epitaxy Berlín (Germany), 2010
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Laterally Biased Double Quantum Well Ir Detector Fabricated By Mbe Regrowth" (p. 0-0) - 22/8/2010
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- GRACIA VERANO, VICTOR (Investigador principal (IP))
- CERUTTI CERUTTI, LAURENT (Investigador principal (IP))
- RISTIC RISTIC, JELENA (Investigador principal (IP))
- SANZ MONASTERIO, MIKEL (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010
Tipo: Regional
- iMarina
Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica
- GRACIA VERANO, VICTOR
- CERUTTI CERUTTI, LAURENT
- RISTIC RISTIC, JELENA
- SANZ MONASTERIO, MIKEL
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador/a)
Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010
- iMarina
Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas
- SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011
Tipo: Nacional
Importe financiado: 207636,00 Euros.
- iMarina
33 RD workshop on compound semiconductor devices and integrated circuits
- FUENTES ., GONZALO (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Investigador principal (IP))
Ejecución: 15-02-2009 - 31-12-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010
Tipo: Internacional
Importe financiado: 70000,00 Euros.
- iMarina
Smart nanostructured semiconductors for energy saving light solutions
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- PRIETO MARTIN, JOSE LUIS (Participante)
- PADILLA GONZALEZ, ISIDORO (Participante)
- Gacevic, Zarko (Participante)
- Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
- Notzel, Richard (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Participante)
Ejecución: 01-09-2009 - 31-08-2012
Tipo: Internacional
Importe financiado: 800650,00 Euros.
- iMarina
ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies
- Nakamura ., Atsushi (Participante)
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 174336,00 Euros.
- iMarina
Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015
Tipo: Nacional
- iMarina
Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
Tipo: Nacional
Importe financiado: 103220,41 Euros.
- iMarina
Crecimiento por MBE de pozos cuánticos de InGaAsN sobre GaAs (111) B y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor.
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Miguel Sanchez, Javier
1/1/2006
- iMarina
Desarrollo de dispositivos optoelectrónicos mediante crecimiento por MBE y caracterización de nanoestructuras de punto cuántico basadas en (Ga,In)(As,N)
- Fernández González, Álvaro G. (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Gargallo Caballero, Raquel
1/1/2010
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
-
Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
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