RDF/XML JSON-LD N3/Turtle RDF/JSON
Perfil en el portal institucional

Fernandez Gonzalez, Alvaro De Guzman alvarodeguzman.fernandez@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

1 eV GaAsSbN–based solar cells for efficient multi-junction design: Enhanced solar cell performance upon annealing

  • Gonzalo, A
  • Stanojevic, L
  • Marrón, DF
  • Guzman, A
  • Hierro, A
  • Ulloa, JM

Solar Energy (p. 307-313) - 1/1/2021

10.1016/j.solener.2021.04.041 Ver en origen

  • ISSN 0038092X

1.3 mu m emitting GaInNAs/GaAs quantum well resonant cavity LEDs

  • Montes, M
  • Guzmán, A
  • Trampert, A
  • Hierro, A

Solid-State Electronics (p. 492-496) - 1/4/2010

10.1016/j.sse.2009.11.007 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Analysis of the characteristic temperatures of (Ga,In)(N,As)/GaAs laser diodes

  • Montes, M
  • Hierro, A
  • Ulloa, JM
  • Guzman, A
  • Damilano, B
  • Hugues, M
  • Al Khalfioui, M
  • Duboz, JY
  • Massies, J
... Ver más Contraer

Journal Of Physics D-Applied Physics - 7/8/2008

10.1088/0022-3727/41/15/155102 Ver en origen

  • ISSN 00223727

Annealing effects on the crystal structure of GaInNAs quantum wells with large In and N content grown by molecular beam epitaxy

  • Hierro, A
  • Ulloa, JM
  • Chauveau, JM
  • Trampert, A
  • Pinault, MA
  • Tournié, E
  • Guzmán, A
  • Sánchez-Rojas, JL
  • Calleja, E
... Ver más Contraer

Journal Of Applied Physics (p. 2319-2324) - 15/8/2003

10.1063/1.1591416 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Cathodoluminescence investigations of GaInNAs on GaAs(111)B

  • Miguel-Sánchez, J
  • Jahn, U
  • Guzmán, A
  • Muñoz, E

Applied Physics Letters - 18/12/2006

10.1063/1.2398919 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Correlation between interface structure and light emission at 1.3-1.55 mu m of (Ga,In)(N,As) diluted nitride heterostructures on GaAs substrates

  • Trampert, A
  • Chauveau, JM
  • Ploog, KH
  • Tournié, E
  • Guzmán, A

Journal Of Vacuum Science & Technology b (p. 2195-2200) - 1/7/2004

10.1116/1.1775197 Ver en origen

  • ISSN 10711023

Correlation between quantum well morphology, carrier localization and the optoelectronic properties of GaInNAs/GaAs light emitting diodes

  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Miguel-Sánchez, J
  • Guzmán, A
  • Chauveau, JM
  • Trampert, A
  • Tournié, E
  • Calleja, E
... Ver más Contraer

Semiconductor Science And Technology (p. 1047-1052) - 1/8/2006

10.1088/0268-1242/21/8/011 Ver en origen

  • ISSN 13616641

Correlation between the performance of double-barrier quantum-well infrared photodetectors and their microstructure: On the origin of the photovoltaic effect

  • Luna, E
  • Trampert, A
  • Guzmán, A
  • Calleja, E

Journal Of Applied Physics - 15/8/2005

10.1063/1.2006990 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Critical Role of Two-Dimensional Island-Mediated Growth on the Formation of Semiconductor Heterointerfaces

  • Luna, E
  • Guzmán, A
  • Trampert, A
  • Alvarez, G

Physical Review Letters - 18/9/2012

10.1103/physrevlett.109.126101 Ver en origen

  • ISSN 00319007

Current Spreading Efficiency and Fermi Level Pinning in GaInNAs-GaAs Quantum-Well Laser Diodes

  • Montes Bajo, M
  • Hierro, A
  • Ulloa, JM
  • Miguel-Sánchez, J
  • Guzmán, A
  • Damilano, B
  • Hugues, M
  • Al Khalfioui, M
  • Duboz, JY
  • Massies, J
... Ver más Contraer

Ieee Journal Of Quantum Electronics (p. 1058-1065) - 1/1/2010

10.1109/jqe.2010.2043219 Ver en origen

  • ISSN 00189197

Este/a investigador/a no tiene libros.

The impact of alloyed capping layers on the performance of INAS/GAAS quantum dot solar cells

  • Utrilla A
  • Reyes D
  • Llorens J
  • Artacho I
  • Ben T
  • González D
  • Ga?evi? Z
  • Guzman A
  • Hierro A
  • Ulloa J
... Ver más Contraer

Advances In Energy Research (p. 83-122) - 1/1/2017

  • ISSN 22876316
  • iMarina

Carrier diffusion lengths in (In,Ga)(As,N)/GaAs quantum wells studied by spatially resolved cathodoluminescence

  • Jahn, U
  • Miguel-Sanchez, J
  • Flissikowski, T
  • Grahn, HT
  • Hey, R
  • Guzmán, A

Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 627-+) - 8/5/2006

10.1002/pssc.200564131 Ver en origen

  • ISSN 18626351

Carrier diffusion lengths of (In,Ga)As, GaAs and (In,Ga)(As,N) quantum wells studied by spatially resolved cathodoluminescence

  • Jahn, U
  • Flissikowski, T
  • Grahn, HT
  • Hey, R
  • Wiebicke, E
  • Bluhm, AK
  • Miguel-Sánchez, J
  • Guzmán, A
... Ver más Contraer

Springer Proceedings In Physics (p. 467-470) - 1/1/2005

  • ISSN 18674941
  • iMarina

Comparison of interface properties in two-dimensional heterostructures grown layer-by-layer or by step flow

  • R Hey
  • E Luna
  • A Trampert[et al]

Proceedings (p. 0-0) - 9/5/2011

  • iMarina

D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ "Efecto de la incorporación de nitrógeno en puntos cuánticos enterrados de in In(Ga)As crecidos sobre GaAs" Congreso Nacional de Materiales, Zaragoza (Spain), 2010

  • D.L. SALES
  • D.F. REYES
  • D. González
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

Efecto De La Incorporación De Nitrógeno En Puntos Cuánticos Enterrados De In In(Ga)As Crecidos Sobre Gaas (p. 0-0) - 23/6/2010

  • iMarina

D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ. "Effects of the nitrogen incorporation in the optical and structural characteristics of nitrogen-dilute InAsN QDs" European Materials Research Society Spring Meet

  • D.L. SALES
  • D.F. REYES
  • D. GONZÁLEZ
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Effects Of The Nitrogen Incorporation In The Optical And Structural Characteristics Of Nitrogen-Dilute Inasn Qds" (p. 0-0) - 8/6/2010

  • iMarina

Dependence of N incorporation into (Ga)InAsN QDs on Ga content probed by rapid thermal annealing

  • Gargallo-Caballero, R
  • Guzmán, A
  • Hopkinson, M
  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Calleja, E

Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1441-+) - 1/1/2009

10.1002/pssc.200881524 Ver en origen

  • ISSN 18626351

Design and characterization of two color GaAs based quantum well infrared detector structures

  • Sanchez-Rojas J
  • Guzman A
  • Munoz E
  • Sanchez J
  • Calleja E
  • Sanz-Hervas A
  • Villar C
  • Aguilar M
  • Montojo M
  • Vergara G
  • Gomez L
... Ver más Contraer

Advanced Workshop On Frontiers In Electronics, Proceedings, Wofe (p. 65-71) - 1/1/1997

  • iMarina

E. Gallardo, S. Lazic, J. M. Calleja, J. Miguel-Sánchez, M. Montes, A. Hierro, R. Gargallo-Caballero, A. Guzmán, A.M. Teweldeberhan, S. Fahy "Local vibration modes and nitrogen incorporation in AlGaAs:N layers" 7th International Conference on Nitride Se

  • S LAZIC
  • S Fahy
  • J, Miguel-Sánchez,[et al]

16/9/2007

  • iMarina

Effects of rapid thermal annealing on InGaAsN quantum well based devices grown on misoriented (111)B GaAs

  • Miguel-Sánchez, J
  • Guzmán, A
  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Muñoz, E

Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 766-773) - 9/12/2005

10.1117/12.608415 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Electroluminescence analysis of 1.3-1.5 mu m InAs quantum dot LEDs with (Ga,In)(N,As) capping layers

  • Montes, M
  • Hierro, A
  • Ulloa, JM
  • Guzmán, A
  • Al Khalfioui, M
  • Hugues, M
  • Damilano, B
  • Massies, J
... Ver más Contraer

Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1424-+) - 1/1/2009

10.1002/pssc.200881521 Ver en origen

  • ISSN 18626351

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

33 RD workshop on compound semiconductor devices and integrated circuits

  • FUENTES ., GONZALO (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Calle Gómez, Fernando (Investigador principal (IP))

Ejecución: 15-02-2009 - 31-12-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia

  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016

Tipo: Nacional

Importe financiado: 103220,41 Euros.

  • iMarina

Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos

  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
  • CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
  • GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023

Tipo: Nacional

Importe financiado: 82280,00 Euros.

  • iMarina

Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas

  • SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

  • iMarina

Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.

  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011

Tipo: Nacional

Importe financiado: 207636,00 Euros.

  • iMarina

Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • GRACIA VERANO, VICTOR (Investigador principal (IP))
  • CERUTTI CERUTTI, LAURENT (Investigador principal (IP))
  • RISTIC RISTIC, JELENA (Investigador principal (IP))
  • SANZ MONASTERIO, MIKEL (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
... Ver más Contraer

Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010

Tipo: Regional

  • iMarina

Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica

  • GRACIA VERANO, VICTOR
  • CERUTTI CERUTTI, LAURENT
  • RISTIC RISTIC, JELENA
  • SANZ MONASTERIO, MIKEL
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador/a)

Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010

  • iMarina

Nueva Generación de emisores de Fotones Individuales para Telecomunicaciones

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • ABUIN HERRAEZ, MANUEL (Miembro del equipo de trabajo)
  • SCHWARZ, MALTE DANIEL (Miembro del equipo de trabajo)
... Ver más Contraer

Ejecución: 01-09-2023 - 31-08-2026

Tipo: Nacional

  • iMarina

Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia

  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020

Tipo: Nacional

Importe financiado: 90750,00 Euros.

  • iMarina

Crecimiento por MBE de pozos cuánticos de InGaAsN sobre GaAs (111) B y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor.

  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Miguel Sanchez, Javier

1/1/2006

  • iMarina

Desarrollo de dispositivos optoelectrónicos mediante crecimiento por MBE y caracterización de nanoestructuras de punto cuántico basadas en (Ga,In)(As,N)

  • Fernández González, Álvaro G. (Codirector)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Gargallo Caballero, Raquel

1/1/2010

  • iMarina

Surface InGaAs nanostructures for sensing applications

  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Milla Rodrigo, María José

1/1/2015

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:07