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Perfil en el portal institucional

Hierro Cano, Adrian adrian.hierro@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Free electron model for optical polarizabilities: Role of dimensionality

  • Truchado, D
  • Hierro, A
  • Garcia, Mad
  • Agullolopez, F

Journal Of Modern Optics (p. 179-190) - 1/1/1997

10.1080/09500349708232908 Ver en origen

  • ISSN 09500340

Second harmonic generation from trinitro-substituted subphthalocyanines films: Evidence of noncentrosymmetric molecular organization

  • Rojo G., Hierro A., Díaz-Garcia M., Agulló-Lopez F., Del Rey B., Sastre A., Torres T.

Applied Physics Letters (p. 1802-1804) - 7/4/1997

10.1063/1.118696 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Evidence for a dominant midgap trap in n-ZnSe grown by molecular beam epitaxy

  • Hierro, A
  • Kwon, D
  • Goss, SH
  • Brillson, LJ
  • Ringel, SA
  • Rubini, S
  • Pelucchi, E
  • Franciosi, A
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Applied Physics Letters (p. 832-834) - 9/8/1999

10.1063/1.124528 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Photocapacitance study of bulk deep levels in ZnSe grown by molecular-beam epitaxy

  • Hierro, A
  • Kwon, D
  • Ringel, SA
  • Rubini, S
  • Pelucchi, E
  • Franciosi, A

Journal Of Applied Physics (p. 730-738) - 15/1/2000

10.1063/1.371933 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Deep levels in n-type Schottky and p+-n homojunction GaN diodes

  • Hierro A
  • Kwon D
  • Ringel S
  • Hansen M
  • Mishra U
  • DenBaars S
  • Speck J
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. W11801-W11806) - 1/12/2000

10.1557/s1092578300005275 Ver en origen

  • ISSN 10925783

Optically and thermally detected deep levels in n-type Schottky and p(+)-n GaN diodes

  • Hierro, A
  • Kwon, D
  • Ringel, SA
  • Hansen, M
  • Speck, JS
  • Mishra, UK
  • DenBaars, SP
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Applied Physics Letters (p. 3064-3066) - 22/5/2000

10.1063/1.126580 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Hydrogen passivation of deep levels in n-GaN

  • Hierro, A
  • Ringel, SA
  • Hansen, M
  • Speck, JS
  • Mishra, UK
  • DenBaars, SP

Applied Physics Letters (p. 1499-1501) - 4/9/2000

10.1063/1.1290042 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Carrier trapping and recombination at point defects and dislocations in MOCVD n-GaN

  • Hierro, A
  • Hansen, M
  • Boeckl, JJ
  • Zhao, L
  • Speck, JS
  • Mishra, UK
  • DenBaars, SP
  • Ringel, SA
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Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics (p. 937-946) - 1/12/2001

10.1002/1521-3951(200112)228:3<937::aid-pssb937>3.3.co;2-k Ver en origen

  • ISSN 15213951

Impact of Ga/N flux ratio on trap states in n-GaN grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

  • Hierro, A
  • Arehart, AR
  • Heying, B
  • Hansen, M
  • Mishra, UK
  • DenBaars, SP
  • Speck, JS
  • Ringel, SA
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Applied Physics Letters (p. 805-807) - 4/2/2002

10.1063/1.1445274 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Effect of nitrogen on the band structure and material gain of InyGa1-yAs1-xNx-GaAs quantum wells

  • Ulloa, JM
  • Sánchez-Rojas, JL
  • Hierro, A
  • Tijero, JMG
  • Tournié, E

Ieee Journal Of Selected Topics In Quantum Electronics (p. 716-722) - 1/5/2003

10.1109/jstqe.2003.818860 Ver en origen

  • ISSN 1077260X

Este/a investigador/a no tiene libros.

The impact of alloyed capping layers on the performance of INAS/GAAS quantum dot solar cells

  • Utrilla A
  • Reyes D
  • Llorens J
  • Artacho I
  • Ben T
  • González D
  • Ga?evi? Z
  • Guzman A
  • Hierro A
  • Ulloa J
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Advances In Energy Research (p. 83-122) - 1/1/2017

  • ISSN 22876316
  • iMarina

Local vibration modes and nitrogen incorporation in AlGaAs : N layers

  • Gallardo, E
  • Lazic, S
  • Calleja, JM
  • Miguel-Sánchez, J
  • Montes, M
  • Hierro, A
  • Gargallo-Caballero, R
  • Guzmán, A
  • Muñoz, E
  • Teweldeberhan, AM
  • Fahy, S
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Physica Status Solidi c (p. 2345-2348) - 1/12/2008

10.1002/pssc.200778487 Ver en origen

Enhancement of N incorporation into (Ga)InAsN quantum dots International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008

  • M. Hopkinson
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Calleja Pardo, Enrique

Enhancement Of N Incorporation Into (Ga)Inasn Quantum Dots (p. 0-0) - 21/9/2008

  • iMarina

Electroluminescence analysis of 1.3-1.5 µm InAs quantum dot LEDs with (Ga,In)(N,As) capping layers 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008

  • M. Hugues
  • M. Al KHALFIOU
  • J. MASSIES
  • B. DAMILANO
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN
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Electroluminescence Analysis Of 1.3-1.5 µM Inas Quantum Dot Leds With (Ga,In)(N,As) Capping Layers (p. 0-0) - 21/9/2008

  • iMarina

Dependence of N incorporation into (Ga)InAsN QDs on Ga content probed by rapid thermal annealing

  • Gargallo-Caballero, R
  • Guzmán, A
  • Hopkinson, M
  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Calleja, E

Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1441-+) - 1/1/2009

10.1002/pssc.200881524 Ver en origen

  • ISSN 18626351

Electroluminescence analysis of 1.3-1.5 mu m InAs quantum dot LEDs with (Ga,In)(N,As) capping layers

  • Montes, M
  • Hierro, A
  • Ulloa, JM
  • Guzmán, A
  • Al Khalfioui, M
  • Hugues, M
  • Damilano, B
  • Massies, J
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Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1424-+) - 1/1/2009

10.1002/pssc.200881521 Ver en origen

  • ISSN 18626351

M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "InAs/(Ga,In)(N,As) Quantum Dot LEDs Emitting at 1.3-1.5 ìm" 7th Spanish Conference on Electron Devices 2009 Santiago Compostela (Spain), 2009

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Inas/(Ga,In)(N,As) Quantum Dot Leds Emitting At 1.3-1.5 Ìm" 7th Spanish Conference On Electron Devices 2009 santiago Compostela (Spain), 2009 (p. 0-0) - 11/2/2009

  • iMarina

J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 µm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" 15th European Molacular Beam Epitaxy Works

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" (p. 0-0) - 8/3/2009

  • iMarina

J. MATEOS, S. PÉREZ, R. CUERDO, E. MUÑOZ, F. CALLE, T. GONZÁLEZ "Monte Carlo Simulation of GaN HEMTs: Influence of GaN p-type Doping and High Temperature of Operation" 33rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE¿09)

  • ZUGASTI RAPOSO, JAVIER
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Muñoz Merino, Elías

"Monte Carlo Simulation Of Gan Hemts: Influence Of Gan P-Type Doping And High Temperature Of Operation¿ 33rd Workshop On Compound Semiconductor Devices And Integrated Circuits (Wocsdice¿09) (p. 0-0) - 17/5/2009

  • iMarina

G.TABARES, A.HIERRO, J.M.ULLOA, E.MUÑOZ, A. NAKAMURA, T. HAYASHI, J. TEMMYO "Responsivity and transient response of non-polar Au-MgXZn1-xO Schottky photodiodes" Spring European Materials Research Society Conference 2009 Strasburg (France), 2009

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Muñoz Merino, Elías

"Responsivity And Transient Response Of Non-Polar Au-Mgxzn1-Xo Schottky Photodiodes" (p. 0-0) - 8/6/2009

  • iMarina

J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 nm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" Spring European Materials Research Society

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • MONTES BAJO, MIGUEL
  • HIERRO CANO, ADRIAN

"1.3- 1.5 ¿M Gaassb-Capped Inas Quantum Dots: Effect Of The Sb Content On The Structural And Optical Properties" (p. 0-0) - 8/6/2009

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • GRACIA VERANO, VICTOR (Investigador principal (IP))
  • CERUTTI CERUTTI, LAURENT (Investigador principal (IP))
  • RISTIC RISTIC, JELENA (Investigador principal (IP))
  • SANZ MONASTERIO, MIKEL (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010

Tipo: Regional

  • iMarina

Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas

  • SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.

  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011

Tipo: Nacional

Importe financiado: 207636,00 Euros.

  • iMarina

Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector

  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)

Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010

Tipo: Internacional

Importe financiado: 70000,00 Euros.

  • iMarina

Smart nanostructured semiconductors for energy saving light solutions

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • PRIETO MARTIN, JOSE LUIS (Participante)
  • PADILLA GONZALEZ, ISIDORO (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Notzel, Richard (Participante)
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
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Ejecución: 01-09-2009 - 31-08-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 800650,00 Euros.

  • iMarina

ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies

  • Nakamura ., Atsushi (Participante)
  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 174336,00 Euros.

  • iMarina

Componentes para fotónica de UV basada en óxidos

  • CHAUVEAU NA, JEAN-MICHEL (Participante)
  • NAKAMURA NA, ATSUCHI (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2012 - 30-06-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 184888,00 Euros.

  • iMarina

Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

  • iMarina

Ingeniería de bandas con nuevas estructuras de semiconductores II-VI para optoelectrónica avanzada de VIS-IR

  • MONTES BAJO, MIGUEL (Investigador/a)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
  • Muñoz Merino, Elías (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2015 - 30-06-2018

Tipo: Nacional

Importe financiado: 82885,00 Euros.

  • iMarina

Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020

Tipo: Internacional

Importe financiado: 698871,25 Euros.

  • iMarina

Diseño, fabricación y caracterización de diodos láser basados en pozos cuánticos de InGaAs(N)/GaAs

  • Adrián Hierro Cano (Director) Doctorando: Ulloa Herrero, José María

1/11/2004

  • iMarina

GAAS-BASED QUANTUM WELL AND QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING DIODES AND LASERS FOR 1.3 AND 1.55 MICRO-M EMISSION.

  • Adrián Hierro Cano (Director) Doctorando: Miguel Montes Bajo

1/1/2010

  • iMarina

Fotodiodos basados en (Zn,Mg)O para la detección de luz ultravioleta

  • Adrián Hierro Cano (Director) Doctorando: Gema Tabares Jiménez

1/1/2014

  • iMarina

Propiedades ópticas y estructurales de nanoestructuras de Zn(Cd)(Mg)O

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Director)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: López Ponce, Manuel

1/1/2015

  • iMarina

Deep levels and acceptors in Zn(Mg)O: effect of N-doping

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Director) Doctorando: Kurtz de Griñó, Alejandro

1/1/2017

  • iMarina

Infrared intersubband detection and plasmonics with (Zn,Mg)O and (Cd,Zn)O compounds

  • Adrián Hierro Cano (Codirector)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Director) Doctorando: Julen Tamayo Arriola

21/11/2019

  • iMarina

Transparent conductive oxide plasmonics for the infrared

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Director) Doctorando: Martínez Castellano, Eduardo

1/1/2022

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 18/03/24 20:12