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Perfil en el portal institucional

Esquivias Moscardo, Ignacio ignacio.esquivias@upm.es

TECNOLOGÍA FOTÓNICA Y BIOINGENIERÍA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

INFLUENCE OF SUBSTRATE-TEMPERATURE ON THE OPTICAL-PROPERTIES OF EVAPORATED SILICON FILMS

  • ESQUIVIAS, I
  • RODRIGUEZ, T
  • SANZMAUDES, J
  • SANGRADOR, J;

Thin Solid Films (p. L35-L37) - 20/4/1984

10.1016/0040-6090(84)90129-9 Ver en origen

  • ISSN 00406090

STRUCTURAL-PROPERTIES OF EVAPORATED SILICON FILMS

  • ESQUIVIAS, I
  • SANZMAUDES, J
  • SANGRADOR, J
  • RODRIGUEZ, T;

Journal Of Vacuum Science & Technology a (p. 1791-1796) - 1/1/1985

10.1116/1.573381 Ver en origen

  • ISSN 07342101

ELECTRICAL-PROPERTIES OF EVAPORATED SILICON FILMS

  • SANGRADOR, J
  • ESQUIVIAS, I
  • RODRIGUEZ, T
  • SANZMAUDES, J;

Thin Solid Films (p. 79-86) - 15/3/1985

10.1016/0040-6090(85)90398-0 Ver en origen

  • ISSN 00406090

STRUCTURAL-PROPERTIES OF ELECTRON-BEAM EVAPORATED ZINC-SULFIDE THIN-FILMS

  • ESQUIVIAS, I
  • RECIO, M
  • RODRIGUEZ, T
  • SANZMAUDES, J;

Vacuum (p. 723-725) - 1/1/1989

10.1016/0042-207x(89)90024-9 Ver en origen

  • ISSN 0042207X

PHOTO-INDUCED ELECTRICAL DEFECTS IN LOW-TEMPERATURE PHOTOCHEMICAL VAPOR-DEPOSITED SILICON-NITRIDE FILMS

  • IBORRA, E
  • LOPEZRUBIO, JA
  • ESQUIVIAS, I
  • SANZMAUDES, J
  • RODRIGUEZ, T;

Journal Of Applied Physics (p. 1617-1620) - 1/2/1990

10.1063/1.345627 Ver en origen

  • ISSN 00218979

EFFECT OF DEPOSITION TEMPERATURE ON THE ELECTRICAL-PROPERTIES OF P-TYPE HG0.8CD0.2TE-ZNS INTERFACE

  • ESQUIVIAS, I
  • LINARES, E
  • IBORRA, E
  • SANGRADOR, J;

Journal Of Crystal Growth (p. 584-588) - 1/4/1990

10.1016/0022-0248(90)91041-n Ver en origen

  • ISSN 00220248

Properties of anodic fluoride films on Hg1-xCdtxTe

  • Esquivias I
  • Brink D
  • Dal Colle M
  • Baars J
  • Bruder M

Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 207-211) - 15/7/1991

10.1016/0921-5107(91)90173-s Ver en origen

  • ISSN 09215107

Vertically compact 15GHz GaAs/AIGaAs multiple quantum well laser grown by molecular beam epitaxy

  • Ralston J
  • Gallagher D
  • Tasker P
  • Zappe H
  • Esquivias I
  • Fleissner J

Electronics Letters (p. 1720-1722) - 29/8/1991

10.1049/el:19911071 Ver en origen

  • ISSN 00135194

IVB-1 High-Speed GaAs/AlGaAs Multiple-Quantum-Well Lasers: Design and Characterization

  • I Esquivias
  • S Weisser
  • JD Ralston
  • DFG Gallagher
  • EC Larkins
  • PJ Tasker
  • J Rosenzweig
  • J Fleissner
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Ieee Transactions On Electron Devices (p. 2660-2661) - 1/1/1992

10.1109/16.163524 Ver en origen

  • ISSN 00189383

Efficient high-speed direct modulation in P-DOPED ln0.35Ga0.65As/GaAs multiquantum well lasers

  • Weisser S
  • Ralston J
  • Larkins E
  • Esquivias I
  • Tasker P
  • Fleissner J
  • Rosenzweig J
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Electronics Letters (p. 2141-2143) - 1/1/1992

10.1049/el:19921374 Ver en origen

  • ISSN 00135194

Este/a investigador/a no tiene libros.

Tapered semiconductor optical amplifiers

  • Migliorato M
  • Pal J
  • Huang X
  • Hu W
  • Willatzen M
  • Gu Y
  • Li S
  • Xia C
  • Fu Y
  • Connelly M
  • Kaunga-Nyirenda S
  • Dlubek M
  • Lim J
  • Bull S
  • Phillips A
  • Sujecki S
  • Larkins E
  • Rizou Z
  • Zoiros K
  • Mascali G
  • Romano V
  • MacKenzie R
  • Kordt P
  • Bobbert P
  • Coehoorn R
  • May F
  • Lennartz C
  • Andrienko D
  • Kuo Y
  • Chang J
  • Shih Y
  • Chen F
  • Tsai M
  • Totovi? A
  • Gvozdi? D
  • Matuschek N
  • Duelk M
  • Chen-Wu K
  • Tsung-Yang J
  • Yuh-Wu R
  • Migliorato M
  • Pal J
  • Huang X
  • Hu W
  • Willatzen M
  • Gu Y
  • Li S
  • Xia C
  • Fu Y
  • Connelly M
  • Kaunga-Nyirenda S
  • Dlubek M
  • Lim J
  • Bull S
  • Phillips A
  • Sujecki S
  • Larkins E
  • Rizou Z
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Handbook Of Optoelectronic Device Modeling And Simulation: Fundamentals, Materials, Nanostructures, Leds, And Amplifiers (p. 697-714) - 1/1/2017

10.1201/9781315152301 Ver en origen

High-brightness tapered lasers

  • Esquivias I
  • Pérez-Serrano A
  • Tijero J

Handbook Of Optoelectronic Device Modeling And Simulation: Lasers, Modulators, Photodetectors, Solar Cells, And Numerical Methods (p. 59-80) - 1/1/2017

10.4324/9781315152318 Ver en origen

CHARACTERIZATION OF ANODIC FLUORIDE FILMS ON HG1-XCDXTE

  • ESQUIVIAS, I
  • DALCOLLE, M
  • BRINK, D
  • BAARS, J
  • BRUDER, M;

Growth And Characterization Of Materials For Infrared Detectors And Nonlinear Optical Switches (p. 55-66) - 1/1/1991

10.1117/12.46507 Ver en origen

Influence of facet reflectivity on the differential gain and K-factor in high-speed GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs MQW lasers

  • Weisser S
  • Esquivias I
  • Ralston J
  • Rosenzweig J
  • Schonfelder A
  • Larkins E
  • Fleissner J
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Technical Digest - International Electron Devices Meeting (p. 863-866) - 1/1/1992

10.1109/iedm.1992.307493 Ver en origen

  • ISSN 01631918

High-frequency characterization of 30 GHz p-type modulation-doped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers

  • S Weisser
  • JD Ralston
  • EC Larkins
  • I Esquivias
  • PJ Tasker
  • J Fleissner
  • J Rosenzweig
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Technical Digest - International Electron Devices Meeting (p. 1009-1011) - 1/1/1992

10.1109/iedm.1992.307531 Ver en origen

  • ISSN 01631918

Comparison of vertically-compact high-speed GaAs and In0.35Ga0.65As MQW diode lasers designed for monolithic integration

  • Ralston J
  • Weisser S
  • Esquivias I
  • Gallagher D
  • Tasker P
  • Rosenzweig J
  • Fleissner J
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Conference Digest - Ieee International Semiconductor Laser Conference (p. 176-177) - 1/1/1992

10.1109/islc.1992.763626 Ver en origen

  • ISSN 08999406

Modelling and characterization of high-speed GaAs and In0.35Ga0.65As multiple-quantum-well laser diodes

  • Schönfelder A
  • Weisser S
  • Esquivias I
  • Ralston J
  • Rosenzweig J
  • Gallagher D

Conference Proceedings - Lasers And Electro-Optics Society Annual Meeting-Leos (p. 189-190) - 1/1/1992

10.1109/leos.1992.693907 Ver en origen

  • ISSN 10928081

16-GHZ GAAS/ALGAAS MULTIPLE QUANTUM-WELL LASER WITH VERTICALLY COMPACT WAVE-GUIDE STRUCTURE

  • RALSTON, JD
  • ESQUIVIAS, I
  • WEISSER, S
  • GALLAGHER, DFG
  • TASKER, PJ
  • LARKINS, EC
  • ROSENZWEIG, J
  • ZAPPE, HP
  • FLEISSNER, J
  • AS, DJ;
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High-Speed Electronics And Optoelectronics (p. 127-136) - 1/1/1992

10.1117/12.137711 Ver en origen

Performance and optoelectronic integration of GaAs-based high-speed semiconductor lasers

  • Ralston J
  • Weisser S
  • Schonfelder A
  • Esquivias I
  • Larkins E
  • Rosenzweig J
  • Tasker P
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Conference Proceedings - Lasers And Electro-Optics Society Annual Meeting (p. 637-638) - 1/12/1993

  • iMarina

DC-FREQUENCY AND HIGH-FREQUENCY PROPERTIES OF IN0.35GA0.65AS/GAAS STRAINED-LAYER MQW LASER-DIODES WITH P-DOPING

  • ESQUIVIAS, I
  • WEISSER, S
  • SCHONFELDER, A
  • RALSTON, JD
  • TASKER, PJ
  • LARKINS, EC
  • FLEISSNER, J
  • BENZ, W
  • ROSENZWEIG, J;
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Institute Of Physics Conference Series (p. 265-270) - 1/1/1994

  • ISSN 09513248
  • iMarina

Carrier capture and escape times in In0.35Ga0.65As/GaAs multiple quantum well lasers determined from high-frequency impedance and modulation response measurements

  • Esquivias I
  • Weisser S
  • Tasker P
  • Ralston J
  • Rosenzweig J
  • Romero B

(p. 417-418) - 1/12/1994

  • iMarina

Carrier transport effects in undoped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers determined from high-frequency impedance measurements

  • Esquivias I
  • Weisser S
  • Romero B
  • Tasker P
  • Ralston J
  • Rosenzweig J
  • Arias J
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Leos '94 - Conference Proceedings, Vol 2 (p. 161-162) - 1/12/1994

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

BRIGHT.EU: Wide wavelength light sources for public welfare: high brightness laser diodes for telecom, medical and environment use

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-07-2004 - 30-09-2006

Tipo: Internacional

  • iMarina

WWW.BRIGHTER.EU: World Wide Welfare: High Brightness semiconductor lasers for generic use.

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2006 - 31-03-2010

Tipo: Internacional

  • iMarina

Ayuda complementaria al proyecto láseres de semiconductor de alto brillo para uso genérico

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2006 - 30-09-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Multigigahertz optical modulator of very low RF driving power

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
  • GEDAY, MORTEN ANDREAS (Miembro de equipo)

Ejecución: 12-06-2008 - 31-07-2009

Tipo: Internacional

Importe financiado: 20000,00 Euros.

  • iMarina

Screening and pre-evaluation of shortwave infrared laser diode for space application

  • Ignacio Esquivias (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)

Ejecución: 17-02-2009 - 31-05-2010

Tipo: Internacional

Importe financiado: 12000,00 Euros.

  • iMarina

Láseres de semiconductor avanzados para procesado de señal todo-óptico y generación de pulsos cortos

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2010 - 30-06-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 182420,00 Euros.

  • iMarina

Multi-section semiconductor lasers for all-optical signal processing and short pulse generation

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Participante)

Ejecución: 01-09-2010 - 31-08-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 154417,00 Euros.

  • iMarina

High Brightness Semiconductor Laser Sources for Space Applications in Earth Observation

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Investigador principal (IP))
  • PEREZ SERRANO, ANTONIO (Participante)
  • AGUILERA NAVARRO, SANTIAGO (Participante)
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Participante)
  • VILERA SUAREZ, MARIAFERNANDA (Participante)

Ejecución: 01-12-2012 - 29-02-2016

Tipo: Internacional

Importe financiado: 300951,00 Euros.

  • iMarina

Técnicas de medición de distancias basadas en láseres de semiconductor avanzados-SP3

  • Arias Rodríguez, Julia (Participante)
  • VILERA SUAREZ, MARIAFERNANDA (Miembro del equipo de trabajo)
  • AGUILERA NAVARRO, SANTIAGO (Participante)
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Participante)
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2013 - 30-06-2016

Tipo: Nacional

Importe financiado: 157599,00 Euros.

  • iMarina

CEMDATIC. Sensores e Instrumentación en Tecnologías Fotónicas

  • DEL POZO MELERO, GONZALO (Participante)
  • VILERA SUAREZ, MARIAFERNANDA (Participante)
  • OTON SANCHEZ, JOSE MANUEL (Investigador principal (IP))
  • ESCOLANO MOYANO, JOSE MIGUEL (Participante)
  • GEDAY, MORTEN ANDREAS (Participante)
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Participante)
  • ROSADO PÉREZ, ALEJANDRO (Participante)
  • CAÑO GARCIA, MANUEL (Participante)
  • QUINTANA ARREGUI, PATXI XABIER (Participante)
  • GIL VALVERDE, MANUEL (Participante)
  • PEREZ SERRANO, ANTONIO (Participante)
  • GORDO QUIROGA, FERNANDO JOSE (Participante)
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Participante)
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Ejecución: 01-10-2014 - 31-12-2018

Tipo: Regional

Importe financiado: 154524,00 Euros.

  • iMarina

Caracterización de láseres de pozo cuántico mediante medidas eléctricas en continua

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: ARIAS RODRIGUEZ, María Julia

1/1/1998

  • iMarina

Analisis teórico y experimental de los efectos de captura y escape de portadores en láseres de pozo cuántico

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: ROMERO HERRERO, Beatriz

1/1/1998

  • iMarina

Modelado, simulación y diseño de diodos láser de alto brillo

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Director) Doctorando: Borruel Navarro, Luis

1/1/2004

  • iMarina

Diseño, Análisis y Simulación de Diodos Láser con Forma de Embudo.

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: ODRIOZOLA FRANCO, Helena

1/1/2010

  • iMarina

Short pulse generation from semiconductor lasers: characterization, modeling and applications

  • López-Hernández, Francisco José (Director)
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: Consoli Barone, Antonio

1/1/2011

  • iMarina

Propiedades Ópticas de los Materiales Activos en Diodos Láser con Confinamiento Cuántico

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: RODRIGUEZ PEREZ, Daniel

1/1/2015

Defensa realizada en: Universidad Politécnica de Madrid

Emission characteristics of 1.5 um monolithically integrated master oscillator power amplifiers

  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Director)
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: VILERA SUÁREZ, Mariafernanda

1/1/2017

  • iMarina

Experimental and theoretical study of the optical frequency comb generated by gain-switching of semiconductor lasers

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director)
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Director) Doctorando: ROSADO PÉREZ, Alejandro

1/1/2020

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:20