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Perfil en el portal institucional

Esquivias Moscardo, Ignacio ignacio.esquivias@upm.es

TECNOLOGÍA FOTÓNICA Y BIOINGENIERÍA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

INFLUENCE OF SUBSTRATE-TEMPERATURE ON THE OPTICAL-PROPERTIES OF EVAPORATED SILICON FILMS

  • ESQUIVIAS, I
  • RODRIGUEZ, T
  • SANZMAUDES, J
  • SANGRADOR, J;

Thin Solid Films (p. L35-L37) - 20/4/1984

10.1016/0040-6090(84)90129-9 Ver en origen

  • ISSN 00406090

STRUCTURAL-PROPERTIES OF EVAPORATED SILICON FILMS

  • ESQUIVIAS, I
  • SANZMAUDES, J
  • SANGRADOR, J
  • RODRIGUEZ, T;

Journal Of Vacuum Science & Technology a (p. 1791-1796) - 1/1/1985

10.1116/1.573381 Ver en origen

  • ISSN 07342101

ELECTRICAL-PROPERTIES OF EVAPORATED SILICON FILMS

  • SANGRADOR, J
  • ESQUIVIAS, I
  • RODRIGUEZ, T
  • SANZMAUDES, J;

Thin Solid Films (p. 79-86) - 15/3/1985

10.1016/0040-6090(85)90398-0 Ver en origen

  • ISSN 00406090

STRUCTURAL-PROPERTIES OF ELECTRON-BEAM EVAPORATED ZINC-SULFIDE THIN-FILMS

  • ESQUIVIAS, I
  • RECIO, M
  • RODRIGUEZ, T
  • SANZMAUDES, J;

Vacuum (p. 723-725) - 1/1/1989

10.1016/0042-207x(89)90024-9 Ver en origen

  • ISSN 0042207X

PHOTO-INDUCED ELECTRICAL DEFECTS IN LOW-TEMPERATURE PHOTOCHEMICAL VAPOR-DEPOSITED SILICON-NITRIDE FILMS

  • IBORRA, E
  • LOPEZRUBIO, JA
  • ESQUIVIAS, I
  • SANZMAUDES, J
  • RODRIGUEZ, T;

Journal Of Applied Physics (p. 1617-1620) - 1/2/1990

10.1063/1.345627 Ver en origen

  • ISSN 00218979

EFFECT OF DEPOSITION TEMPERATURE ON THE ELECTRICAL-PROPERTIES OF P-TYPE HG0.8CD0.2TE-ZNS INTERFACE

  • ESQUIVIAS, I
  • LINARES, E
  • IBORRA, E
  • SANGRADOR, J;

Journal Of Crystal Growth (p. 584-588) - 1/4/1990

10.1016/0022-0248(90)91041-n Ver en origen

  • ISSN 00220248

Properties of anodic fluoride films on Hg1-xCdtxTe

  • Esquivias I
  • Brink D
  • Dal Colle M
  • Baars J
  • Bruder M

Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 207-211) - 15/7/1991

10.1016/0921-5107(91)90173-s Ver en origen

  • ISSN 09215107

Vertically compact 15GHz GaAs/AIGaAs multiple quantum well laser grown by molecular beam epitaxy

  • Ralston J
  • Gallagher D
  • Tasker P
  • Zappe H
  • Esquivias I
  • Fleissner J

Electronics Letters (p. 1720-1722) - 29/8/1991

10.1049/el:19911071 Ver en origen

  • ISSN 00135194

IVB-1 High-Speed GaAs/AlGaAs Multiple-Quantum-Well Lasers: Design and Characterization

  • I Esquivias
  • S Weisser
  • JD Ralston
  • DFG Gallagher
  • EC Larkins
  • PJ Tasker
  • J Rosenzweig
  • J Fleissner
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Ieee Transactions On Electron Devices (p. 2660-2661) - 1/1/1992

10.1109/16.163524 Ver en origen

  • ISSN 00189383

Efficient high-speed direct modulation in P-DOPED ln0.35Ga0.65As/GaAs multiquantum well lasers

  • Weisser S
  • Ralston J
  • Larkins E
  • Esquivias I
  • Tasker P
  • Fleissner J
  • Rosenzweig J
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Electronics Letters (p. 2141-2143) - 1/1/1992

10.1049/el:19921374 Ver en origen

  • ISSN 00135194

Este/a investigador/a no tiene libros.

Tapered semiconductor optical amplifiers

  • Migliorato M
  • Pal J
  • Huang X
  • Hu W
  • Willatzen M
  • Gu Y
  • Li S
  • Xia C
  • Fu Y
  • Connelly M
  • Kaunga-Nyirenda S
  • Dlubek M
  • Lim J
  • Bull S
  • Phillips A
  • Sujecki S
  • Larkins E
  • Rizou Z
  • Zoiros K
  • Mascali G
  • Romano V
  • MacKenzie R
  • Kordt P
  • Bobbert P
  • Coehoorn R
  • May F
  • Lennartz C
  • Andrienko D
  • Kuo Y
  • Chang J
  • Shih Y
  • Chen F
  • Tsai M
  • Totovi? A
  • Gvozdi? D
  • Matuschek N
  • Duelk M
  • Chen-Wu K
  • Tsung-Yang J
  • Yuh-Wu R
  • Migliorato M
  • Pal J
  • Huang X
  • Hu W
  • Willatzen M
  • Gu Y
  • Li S
  • Xia C
  • Fu Y
  • Connelly M
  • Kaunga-Nyirenda S
  • Dlubek M
  • Lim J
  • Bull S
  • Phillips A
  • Sujecki S
  • Larkins E
  • Rizou Z
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Handbook Of Optoelectronic Device Modeling And Simulation: Fundamentals, Materials, Nanostructures, Leds, And Amplifiers (p. 697-714) - 1/1/2017

10.1201/9781315152301 Ver en origen

High-brightness tapered lasers

  • Esquivias I
  • Pérez-Serrano A
  • Tijero J

Handbook Of Optoelectronic Device Modeling And Simulation: Lasers, Modulators, Photodetectors, Solar Cells, And Numerical Methods (p. 59-80) - 1/1/2017

10.4324/9781315152318 Ver en origen

Current Self-Distribution Effects in Oxide-Confined Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers

  • Mulet, J.
  • Balle, S.
  • Arias, J.
  • Martin-Heriz, V.
  • Esquivias, I.;

Proceedings Of The International Conference On Numerical Simulation Of Optoelectronic Devices, Nusod (p. 25-+) - 22/12/2008

10.1109/nusod.2008.4668224 Ver en origen

  • ISSN 03068919

High-brightness quantum well and quantum dot tapered lasers

  • N Michel
  • M Krakowski
  • I Hassiaoui
  • M Calligaro
  • M Lecomte
  • O Parillaud
  • P Weinmann
  • C Zimmermann
  • W Kaiser
  • M Kamp
  • A Forchel
  • E-M Pavelescu
  • J-P Reithmaier
  • B Sumpf
  • G Erbert
  • M Kelemen
  • R Ostendorf
  • J-M García-Tijero
  • H Odriozola
  • I Esquivias
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Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 690918-1-10) - 20/3/2008

10.1117/12.787115 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Asymmetric Al-free active region laser structure for high-brightness tapered lasers at 975 nm

  • Michel, N.
  • Calligaro, M.
  • Lecomte, A.
  • Parillaud, O.
  • Krakowski, M.
  • Tijero, J. M. G.
  • Odriozola, H.
  • Esquivias, I.;
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Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering - 20/3/2008

10.1117/12.763404 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Current Self- Distribution Effects in Oxide-Confined VCSELs

  • Salvador Balle
  • Julia Arias
  • J. Mulet
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO

Proceedings Of The 8th International conference On Numerical Simulation Of Optoelectronic Devices, 2008, (Nusod '08). (p. 25-26) - 1/9/2008

  • iMarina

Tunneling-injection high-power 1060-nm quantum dot laser with improved temperature stability

  • Pavelescu E
  • Gilfert C
  • Reithmaier J
  • Martín-Mínguez A
  • Esquivias I

European Conference On Biomedical Optics, Ecbo 2013 (p. 1-2) - 1/12/2009

10.1364/cleo.2009.cmv3 Ver en origen

  • ISSN 21622701

Optical injection-induced timing jitter reduction in gain-switched single-mode 1550 nm-VCSELs

  • Consoli, A
  • Valle, A
  • Pesquera, L
  • Esquivias, I
  • López-Hernández, FJ

European Conference On Biomedical Optics, Ecbo 2013 (p. 1-2) - 1/12/2009

10.1364/cleo.2009.jthe11 Ver en origen

  • ISSN 21622701

Two-electrode tapered laser at 1060 nm with record-high (19 W/A) modulation efficiency at 700 Mbps

  • Ruiz M
  • Odriozola H
  • Kwok C
  • Michel N
  • Calligaro M
  • Lecomte M
  • Parillaud O
  • Krakowski M
  • Tijero J
  • Esquivias I
  • Penty R
  • White I
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European Conference On Biomedical Optics, Ecbo 2013 (p. 1-2) - 1/12/2009

10.1364/cleo.2009.cwf4 Ver en origen

  • ISSN 21622701

Two-Electrode High Power Tapered Laser with up to 40.5 W/A Static Modulation Efficiency and 700 Mb/s Direct Modulation Capability

  • Kwok C
  • Xia M
  • Penty R
  • White I
  • Michel N
  • Ruiz M
  • Krakowski M
  • Calligaro M
  • Lecomte M
  • Parillaud O
  • Odriozola H
  • Garcia-Tijero J
  • Esquivias I
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© 2009 Osa/Ofc/Nfoec 2009 (p. 1-3) - 22/3/2009

  • iMarina

Engineered Quantum Dot Structures: Fabrication and Applications

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO

Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 72.220-72.230) - 25/3/2009

10.1117/12.815359 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

High-brightness tapered lasers with an Al-free active region at 1060 nm

  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO

Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 72.301-72.309) - 6/4/2009

10.1117/12.808427 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

BRIGHT.EU: Wide wavelength light sources for public welfare: high brightness laser diodes for telecom, medical and environment use

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-07-2004 - 30-09-2006

Tipo: Internacional

  • iMarina

WWW.BRIGHTER.EU: World Wide Welfare: High Brightness semiconductor lasers for generic use.

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2006 - 31-03-2010

Tipo: Internacional

  • iMarina

Ayuda complementaria al proyecto láseres de semiconductor de alto brillo para uso genérico

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2006 - 30-09-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Multigigahertz optical modulator of very low RF driving power

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
  • GEDAY, MORTEN ANDREAS (Miembro de equipo)

Ejecución: 12-06-2008 - 31-07-2009

Tipo: Internacional

Importe financiado: 20000,00 Euros.

  • iMarina

Screening and pre-evaluation of shortwave infrared laser diode for space application

  • Ignacio Esquivias (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)

Ejecución: 17-02-2009 - 31-05-2010

Tipo: Internacional

Importe financiado: 12000,00 Euros.

  • iMarina

Láseres de semiconductor avanzados para procesado de señal todo-óptico y generación de pulsos cortos

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2010 - 30-06-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 182420,00 Euros.

  • iMarina

Multi-section semiconductor lasers for all-optical signal processing and short pulse generation

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Participante)

Ejecución: 01-09-2010 - 31-08-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 154417,00 Euros.

  • iMarina

High Brightness Semiconductor Laser Sources for Space Applications in Earth Observation

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Investigador principal (IP))
  • PEREZ SERRANO, ANTONIO (Participante)
  • AGUILERA NAVARRO, SANTIAGO (Participante)
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Participante)
  • VILERA SUAREZ, MARIAFERNANDA (Participante)

Ejecución: 01-12-2012 - 29-02-2016

Tipo: Internacional

Importe financiado: 300951,00 Euros.

  • iMarina

Técnicas de medición de distancias basadas en láseres de semiconductor avanzados-SP3

  • Arias Rodríguez, Julia (Participante)
  • VILERA SUAREZ, MARIAFERNANDA (Miembro del equipo de trabajo)
  • AGUILERA NAVARRO, SANTIAGO (Participante)
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Participante)
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2013 - 30-06-2016

Tipo: Nacional

Importe financiado: 157599,00 Euros.

  • iMarina

CEMDATIC. Sensores e Instrumentación en Tecnologías Fotónicas

  • DEL POZO MELERO, GONZALO (Participante)
  • VILERA SUAREZ, MARIAFERNANDA (Participante)
  • OTON SANCHEZ, JOSE MANUEL (Investigador principal (IP))
  • ESCOLANO MOYANO, JOSE MIGUEL (Participante)
  • GEDAY, MORTEN ANDREAS (Participante)
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Participante)
  • ROSADO PÉREZ, ALEJANDRO (Participante)
  • CAÑO GARCIA, MANUEL (Participante)
  • QUINTANA ARREGUI, PATXI XABIER (Participante)
  • GIL VALVERDE, MANUEL (Participante)
  • PEREZ SERRANO, ANTONIO (Participante)
  • GORDO QUIROGA, FERNANDO JOSE (Participante)
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Participante)
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Ejecución: 01-10-2014 - 31-12-2018

Tipo: Regional

Importe financiado: 154524,00 Euros.

  • iMarina

Caracterización de láseres de pozo cuántico mediante medidas eléctricas en continua

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: ARIAS RODRIGUEZ, María Julia

1/1/1998

  • iMarina

Analisis teórico y experimental de los efectos de captura y escape de portadores en láseres de pozo cuántico

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: ROMERO HERRERO, Beatriz

1/1/1998

  • iMarina

Modelado, simulación y diseño de diodos láser de alto brillo

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Director) Doctorando: Borruel Navarro, Luis

1/1/2004

  • iMarina

Diseño, Análisis y Simulación de Diodos Láser con Forma de Embudo.

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: ODRIOZOLA FRANCO, Helena

1/1/2010

  • iMarina

Short pulse generation from semiconductor lasers: characterization, modeling and applications

  • López-Hernández, Francisco José (Director)
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: Consoli Barone, Antonio

1/1/2011

  • iMarina

Propiedades Ópticas de los Materiales Activos en Diodos Láser con Confinamiento Cuántico

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: RODRIGUEZ PEREZ, Daniel

1/1/2015

Defensa realizada en: Universidad Politécnica de Madrid

Emission characteristics of 1.5 um monolithically integrated master oscillator power amplifiers

  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Director)
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: VILERA SUÁREZ, Mariafernanda

1/1/2017

  • iMarina

Experimental and theoretical study of the optical frequency comb generated by gain-switching of semiconductor lasers

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director)
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Director) Doctorando: ROSADO PÉREZ, Alejandro

1/1/2020

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:20