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Perfil en el portal institucional

Esquivias Moscardo, Ignacio ignacio.esquivias@upm.es

TECNOLOGÍA FOTÓNICA Y BIOINGENIERÍA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

CW technique for measurement of linewidth enhancement factor: Application to 735-nm tensile-strained GaAsP quantum-well lasers

  • Rodriguez, D
  • Borruel, L
  • Esquivias, I
  • Wenzel, H
  • Sumpf, B
  • Erbert, G;

Ieee Photonics Technology Letters (p. 1432-1434) - 1/6/2004

10.1109/lpt.2004.826761 Ver en origen

  • ISSN 10411135

Imaging of spontaneous emission from 980 nm tapered lasers with windowed N-contacts

  • Bull, S
  • Wykes, JG
  • Andrianov, AV
  • Lim, JJ
  • Borruel, L
  • Sujecki, S
  • Auzanneau, SC
  • Calligaro, M
  • Krakowski, M
  • Esquivias, I
  • Larkins, EC;
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European Physical Journal-Applied Physics (p. 455-459) - 1/7/2004

10.1051/epjap:2004059 Ver en origen

  • ISSN 12860042

Gain, index variation, and linewidth-enhancement factor in 980-nm quantum-well and quantum-dot lasers

  • Rodriguez, D
  • Esquivias, I
  • Deubert, S
  • Reithmaier, JP
  • Forchel, A
  • Krakowski, M
  • Calligaro, M
  • Parillaud, O;
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Ieee Journal Of Quantum Electronics (p. 117-126) - 1/2/2005

10.1109/jqe.2004.840083 Ver en origen

  • ISSN 00189197

Clarinet laser: Semiconductor laser design for high-brightness applications

  • Borruel, L
  • Esquivias, I
  • Moreno, P
  • Krakowski, M
  • Auzanneau, SC
  • Calligaro, M
  • Parillaud, O
  • Lecomte, M
  • Sujecki, S
  • Wykes, J
  • Larkins, EC;
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Applied Physics Letters - 5/9/2005

10.1063/1.2037854 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Simulación cuasi - tridimensional de diodos láser de tipo caballete con emisión a 915 nm

  • Helena Odriozola Franco
  • N Michel
  • J M G Tijero
  • Luis Borruel Navarro
  • R Ibáñez
  • M Krakowski
  • I Hassiaoui
  • M Calligaro
  • O Parillaud
  • S Sujecki
  • E C Larkins
  • Ignacio Esquivias Moscardó
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Optica Pura Y Aplicada (p. 129-134) - 1/1/2007

  • ISSN 00303917
  • iMarina

Modelo eléctrico simplificado de láseres de cavidad vertical y emisión superficial con oxidación lateral

  • Sergi Menargues
  • Julia Arias Rodríguez
  • V Martín Hériz
  • Luis Borruel Navarro
  • Ignacio Esquivias Moscardó

Optica Pura Y Aplicada (p. 143-147) - 1/1/2007

  • ISSN 00303917
  • iMarina

Mirror Heating and COD in High-power Lasers (Catastrophic Optical Damage)'

  • Jens W Tomm
  • Ignacio Esquivias

Communications Of The Acm - 1/1/2007

  • ISSN 00010782
  • iMarina

Enhanced brightness of tapered laser diodes based on an asymmetric epitaxial design

  • Tijero, J. M. G.
  • Odriozola, H.
  • Borruel, L.
  • Esquivias, I.
  • Sujecki, S.
  • Larkins, E. C.;

Ieee Photonics Technology Letters (p. 1640-1642) - 1/10/2007

10.1109/lpt.2007.905083 Ver en origen

  • ISSN 10411135

Theoretical and experimental investigations on temperature induced wavelength shift of tapered laser diodes based on InGaAs/GaAs quantum dots

  • Kaiser, W.
  • Reithmaier, J. P.
  • Forchel, A.
  • Odriozola, H.
  • Esquivias, I.;

Applied Physics Letters - 10/8/2007

10.1063/1.2767977 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Design of 1060nm tapered lasers with separate contacts

  • H Odriozola
  • JMG Tijero
  • I Esquivias
  • L Borruel
  • A Martín-Mínguez
  • N Michel
  • M Calligaro
  • M Lecomte
  • O Parillaud
  • M Krakowski
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Optical And Quantum Electronics (p. 1123-1127) - 1/11/2008

10.1109/nusod.2008.4668245 Ver en origen

  • ISSN 03068919

Este/a investigador/a no tiene libros.

Tapered semiconductor optical amplifiers

  • Migliorato M
  • Pal J
  • Huang X
  • Hu W
  • Willatzen M
  • Gu Y
  • Li S
  • Xia C
  • Fu Y
  • Connelly M
  • Kaunga-Nyirenda S
  • Dlubek M
  • Lim J
  • Bull S
  • Phillips A
  • Sujecki S
  • Larkins E
  • Rizou Z
  • Zoiros K
  • Mascali G
  • Romano V
  • MacKenzie R
  • Kordt P
  • Bobbert P
  • Coehoorn R
  • May F
  • Lennartz C
  • Andrienko D
  • Kuo Y
  • Chang J
  • Shih Y
  • Chen F
  • Tsai M
  • Totovi? A
  • Gvozdi? D
  • Matuschek N
  • Duelk M
  • Chen-Wu K
  • Tsung-Yang J
  • Yuh-Wu R
  • Migliorato M
  • Pal J
  • Huang X
  • Hu W
  • Willatzen M
  • Gu Y
  • Li S
  • Xia C
  • Fu Y
  • Connelly M
  • Kaunga-Nyirenda S
  • Dlubek M
  • Lim J
  • Bull S
  • Phillips A
  • Sujecki S
  • Larkins E
  • Rizou Z
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Handbook Of Optoelectronic Device Modeling And Simulation: Fundamentals, Materials, Nanostructures, Leds, And Amplifiers (p. 697-714) - 1/1/2017

10.1201/9781315152301 Ver en origen

High-brightness tapered lasers

  • Esquivias I
  • Pérez-Serrano A
  • Tijero J

Handbook Of Optoelectronic Device Modeling And Simulation: Lasers, Modulators, Photodetectors, Solar Cells, And Numerical Methods (p. 59-80) - 1/1/2017

10.4324/9781315152318 Ver en origen

CHARACTERIZATION OF ANODIC FLUORIDE FILMS ON HG1-XCDXTE

  • ESQUIVIAS, I
  • DALCOLLE, M
  • BRINK, D
  • BAARS, J
  • BRUDER, M;

Growth And Characterization Of Materials For Infrared Detectors And Nonlinear Optical Switches (p. 55-66) - 1/1/1991

10.1117/12.46507 Ver en origen

Influence of facet reflectivity on the differential gain and K-factor in high-speed GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs MQW lasers

  • Weisser S
  • Esquivias I
  • Ralston J
  • Rosenzweig J
  • Schonfelder A
  • Larkins E
  • Fleissner J
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Technical Digest - International Electron Devices Meeting (p. 863-866) - 1/1/1992

10.1109/iedm.1992.307493 Ver en origen

  • ISSN 01631918

High-frequency characterization of 30 GHz p-type modulation-doped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers

  • S Weisser
  • JD Ralston
  • EC Larkins
  • I Esquivias
  • PJ Tasker
  • J Fleissner
  • J Rosenzweig
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Technical Digest - International Electron Devices Meeting (p. 1009-1011) - 1/1/1992

10.1109/iedm.1992.307531 Ver en origen

  • ISSN 01631918

Comparison of vertically-compact high-speed GaAs and In0.35Ga0.65As MQW diode lasers designed for monolithic integration

  • Ralston J
  • Weisser S
  • Esquivias I
  • Gallagher D
  • Tasker P
  • Rosenzweig J
  • Fleissner J
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Conference Digest - Ieee International Semiconductor Laser Conference (p. 176-177) - 1/1/1992

10.1109/islc.1992.763626 Ver en origen

  • ISSN 08999406

Modelling and characterization of high-speed GaAs and In0.35Ga0.65As multiple-quantum-well laser diodes

  • Schönfelder A
  • Weisser S
  • Esquivias I
  • Ralston J
  • Rosenzweig J
  • Gallagher D

Conference Proceedings - Lasers And Electro-Optics Society Annual Meeting-Leos (p. 189-190) - 1/1/1992

10.1109/leos.1992.693907 Ver en origen

  • ISSN 10928081

16-GHZ GAAS/ALGAAS MULTIPLE QUANTUM-WELL LASER WITH VERTICALLY COMPACT WAVE-GUIDE STRUCTURE

  • RALSTON, JD
  • ESQUIVIAS, I
  • WEISSER, S
  • GALLAGHER, DFG
  • TASKER, PJ
  • LARKINS, EC
  • ROSENZWEIG, J
  • ZAPPE, HP
  • FLEISSNER, J
  • AS, DJ;
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High-Speed Electronics And Optoelectronics (p. 127-136) - 1/1/1992

10.1117/12.137711 Ver en origen

Performance and optoelectronic integration of GaAs-based high-speed semiconductor lasers

  • Ralston J
  • Weisser S
  • Schonfelder A
  • Esquivias I
  • Larkins E
  • Rosenzweig J
  • Tasker P
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Conference Proceedings - Lasers And Electro-Optics Society Annual Meeting (p. 637-638) - 1/12/1993

  • iMarina

DC-FREQUENCY AND HIGH-FREQUENCY PROPERTIES OF IN0.35GA0.65AS/GAAS STRAINED-LAYER MQW LASER-DIODES WITH P-DOPING

  • ESQUIVIAS, I
  • WEISSER, S
  • SCHONFELDER, A
  • RALSTON, JD
  • TASKER, PJ
  • LARKINS, EC
  • FLEISSNER, J
  • BENZ, W
  • ROSENZWEIG, J;
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Institute Of Physics Conference Series (p. 265-270) - 1/1/1994

  • ISSN 09513248
  • iMarina

Carrier capture and escape times in In0.35Ga0.65As/GaAs multiple quantum well lasers determined from high-frequency impedance and modulation response measurements

  • Esquivias I
  • Weisser S
  • Tasker P
  • Ralston J
  • Rosenzweig J
  • Romero B

(p. 417-418) - 1/12/1994

  • iMarina

Carrier transport effects in undoped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers determined from high-frequency impedance measurements

  • Esquivias I
  • Weisser S
  • Romero B
  • Tasker P
  • Ralston J
  • Rosenzweig J
  • Arias J
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Leos '94 - Conference Proceedings, Vol 2 (p. 161-162) - 1/12/1994

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

BRIGHT.EU: Wide wavelength light sources for public welfare: high brightness laser diodes for telecom, medical and environment use

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-07-2004 - 30-09-2006

Tipo: Internacional

  • iMarina

WWW.BRIGHTER.EU: World Wide Welfare: High Brightness semiconductor lasers for generic use.

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2006 - 31-03-2010

Tipo: Internacional

  • iMarina

Ayuda complementaria al proyecto láseres de semiconductor de alto brillo para uso genérico

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2006 - 30-09-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Multigigahertz optical modulator of very low RF driving power

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
  • GEDAY, MORTEN ANDREAS (Miembro de equipo)

Ejecución: 12-06-2008 - 31-07-2009

Tipo: Internacional

Importe financiado: 20000,00 Euros.

  • iMarina

Screening and pre-evaluation of shortwave infrared laser diode for space application

  • Ignacio Esquivias (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)

Ejecución: 17-02-2009 - 31-05-2010

Tipo: Internacional

Importe financiado: 12000,00 Euros.

  • iMarina

Láseres de semiconductor avanzados para procesado de señal todo-óptico y generación de pulsos cortos

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2010 - 30-06-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 182420,00 Euros.

  • iMarina

Multi-section semiconductor lasers for all-optical signal processing and short pulse generation

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Participante)

Ejecución: 01-09-2010 - 31-08-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 154417,00 Euros.

  • iMarina

High Brightness Semiconductor Laser Sources for Space Applications in Earth Observation

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Investigador principal (IP))
  • PEREZ SERRANO, ANTONIO (Participante)
  • AGUILERA NAVARRO, SANTIAGO (Participante)
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Participante)
  • VILERA SUAREZ, MARIAFERNANDA (Participante)

Ejecución: 01-12-2012 - 29-02-2016

Tipo: Internacional

Importe financiado: 300951,00 Euros.

  • iMarina

Técnicas de medición de distancias basadas en láseres de semiconductor avanzados-SP3

  • Arias Rodríguez, Julia (Participante)
  • VILERA SUAREZ, MARIAFERNANDA (Miembro del equipo de trabajo)
  • AGUILERA NAVARRO, SANTIAGO (Participante)
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Participante)
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2013 - 30-06-2016

Tipo: Nacional

Importe financiado: 157599,00 Euros.

  • iMarina

CEMDATIC. Sensores e Instrumentación en Tecnologías Fotónicas

  • DEL POZO MELERO, GONZALO (Participante)
  • VILERA SUAREZ, MARIAFERNANDA (Participante)
  • OTON SANCHEZ, JOSE MANUEL (Investigador principal (IP))
  • ESCOLANO MOYANO, JOSE MIGUEL (Participante)
  • GEDAY, MORTEN ANDREAS (Participante)
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Participante)
  • ROSADO PÉREZ, ALEJANDRO (Participante)
  • CAÑO GARCIA, MANUEL (Participante)
  • QUINTANA ARREGUI, PATXI XABIER (Participante)
  • GIL VALVERDE, MANUEL (Participante)
  • PEREZ SERRANO, ANTONIO (Participante)
  • GORDO QUIROGA, FERNANDO JOSE (Participante)
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Participante)
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Ejecución: 01-10-2014 - 31-12-2018

Tipo: Regional

Importe financiado: 154524,00 Euros.

  • iMarina

Caracterización de láseres de pozo cuántico mediante medidas eléctricas en continua

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: ARIAS RODRIGUEZ, María Julia

1/1/1998

  • iMarina

Analisis teórico y experimental de los efectos de captura y escape de portadores en láseres de pozo cuántico

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: ROMERO HERRERO, Beatriz

1/1/1998

  • iMarina

Modelado, simulación y diseño de diodos láser de alto brillo

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Director) Doctorando: Borruel Navarro, Luis

1/1/2004

  • iMarina

Diseño, Análisis y Simulación de Diodos Láser con Forma de Embudo.

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: ODRIOZOLA FRANCO, Helena

1/1/2010

  • iMarina

Short pulse generation from semiconductor lasers: characterization, modeling and applications

  • López-Hernández, Francisco José (Director)
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: Consoli Barone, Antonio

1/1/2011

  • iMarina

Propiedades Ópticas de los Materiales Activos en Diodos Láser con Confinamiento Cuántico

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: RODRIGUEZ PEREZ, Daniel

1/1/2015

Defensa realizada en: Universidad Politécnica de Madrid

Emission characteristics of 1.5 um monolithically integrated master oscillator power amplifiers

  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Director)
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: VILERA SUÁREZ, Mariafernanda

1/1/2017

  • iMarina

Experimental and theoretical study of the optical frequency comb generated by gain-switching of semiconductor lasers

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director)
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Director) Doctorando: ROSADO PÉREZ, Alejandro

1/1/2020

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:20