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Perfil en el portal institucional

Esquivias Moscardo, Ignacio ignacio.esquivias@upm.es

TECNOLOGÍA FOTÓNICA Y BIOINGENIERÍA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

IMPROVED PERFORMANCE FROM PSEUDOMORPHIC INYGA1-YAS-GAAS MQW LASERS WITH LOW GROWTH TEMPERATURE ALXGA1-XAS SHORT-PERIOD SUPERLATTICE CLADDING

  • LARKINS, EC
  • BENZ, W
  • ESQUIVIAS, I
  • ROTHEMUND, W
  • BAEUMLER, M
  • WEISSER, S
  • SCHONFELDER, A
  • FLEISSNER, J
  • JANTZ, W
  • ROSENZWEIG, J
  • RALSTON, JD;
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Ieee Photonics Technology Letters (p. 16-19) - 1/1/1995

10.1109/68.363390 Ver en origen

  • ISSN 10411135

VALENCE BAND-STRUCTURE OF DISORDERED QUANTUM-WELLS

  • GOMEZALCALA, R
  • MEJUTOVILA, C
  • FRAILEPELAEZ, FJ
  • ESQUIVIAS, I;

Superlattices And Microstructures (p. 277-283) - 1/1/1995

10.1006/spmi.1995.1050 Ver en origen

  • ISSN 07496036

Carrier profile for In0.35Ga0.65As/GaAs multiquantum well lasers from capacitance-voltage measurements

  • Arias, J
  • Esquivias, I
  • Ralston, JD
  • Larkins, EC
  • Weisser, S
  • Rosenzweig, J
  • Schonfelder, A
  • Maier, M;
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Applied Physics Letters (p. 1138-1140) - 1/1/1996

10.1063/1.115738 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Carrier capture and escape times in In0.35Ga0.65As-GaAs multiquantum-well lasers determined from high-frequency electrical impedance measurements

  • Esquivias, I
  • Weisser, S
  • Romero, B
  • Ralston, JD;

Ieee Photonics Technology Letters (p. 1294-1296) - 1/1/1996

10.1109/68.536632 Ver en origen

  • ISSN 10411135

Structural and carrier density dependence of carrier lifetime in InGaAs/GaAs multiple-quantum-well lasers

  • Czotscher, K
  • Weisser, S
  • Larkins, EC
  • Fleissner, J
  • Ralston, JD
  • Schonfelder, A
  • Rosenzweig, J
  • Esquivias, I;
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Applied Physics Letters (p. 3158-3160) - 18/11/1996

10.1063/1.116814 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Damping-limited modulation bandwidths up to 40 GHz in undoped short-cavity In0.35Ga0.65As-GaAs multiple-quantum-well lasers

  • Weisser, S
  • Larkins, EC
  • Czotscher, K
  • Benz, W
  • Daleiden, J
  • Esquivias, I
  • Fleissner, J
  • Ralston, JD
  • Romero, B
  • Sah, RE
  • Schonfelder, A
  • Rosenzweig, J;
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Ieee Photonics Technology Letters (p. 608-610) - 1/5/1996

10.1109/68.491554 Ver en origen

  • ISSN 10411135

Modulation response of quantum-well lasers with carrier transport effects under weak optical feedback

  • Homar, M
  • Mirasso, CR
  • Esquivias, I
  • SanMiguel, M;

Ieee Photonics Technology Letters (p. 861-863) - 1/7/1996

10.1109/68.502251 Ver en origen

  • ISSN 10411135

Lateral carrier profile for mesa-structured InGaAs/GaAs lasers

  • Torre M
  • Esquivias I
  • Czotscher K
  • Weisser S
  • Romero B
  • Ralston J
  • Larkins E
  • Benz W
  • Rosenzweig J
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Journal Of Applied Physics (p. 6268-6271) - 1/5/1997

10.1063/1.364414 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Carrier dynamics and microwave characteristics of GaAs-based quantum-well lasers

  • Esquivias, I
  • Weisser, S
  • Romero, B
  • Ralston, JD
  • Rosenzweig, J;

Ieee Journal Of Quantum Electronics (p. 635-646) - 1/1/1999

10.1109/3.753669 Ver en origen

  • ISSN 00189197

Carrier capture and escape processes in In0.25Ga0.75As-GaAs quantum-well lasers

  • Romero, B
  • Esquivias, I
  • Weisser, S
  • Larkins, EC
  • Rosenzweig, J;

Ieee Photonics Technology Letters (p. 779-781) - 1/1/1999

10.1109/68.769705 Ver en origen

  • ISSN 10411135

Este/a investigador/a no tiene libros.

Tapered semiconductor optical amplifiers

  • Migliorato M
  • Pal J
  • Huang X
  • Hu W
  • Willatzen M
  • Gu Y
  • Li S
  • Xia C
  • Fu Y
  • Connelly M
  • Kaunga-Nyirenda S
  • Dlubek M
  • Lim J
  • Bull S
  • Phillips A
  • Sujecki S
  • Larkins E
  • Rizou Z
  • Zoiros K
  • Mascali G
  • Romano V
  • MacKenzie R
  • Kordt P
  • Bobbert P
  • Coehoorn R
  • May F
  • Lennartz C
  • Andrienko D
  • Kuo Y
  • Chang J
  • Shih Y
  • Chen F
  • Tsai M
  • Totovi? A
  • Gvozdi? D
  • Matuschek N
  • Duelk M
  • Chen-Wu K
  • Tsung-Yang J
  • Yuh-Wu R
  • Migliorato M
  • Pal J
  • Huang X
  • Hu W
  • Willatzen M
  • Gu Y
  • Li S
  • Xia C
  • Fu Y
  • Connelly M
  • Kaunga-Nyirenda S
  • Dlubek M
  • Lim J
  • Bull S
  • Phillips A
  • Sujecki S
  • Larkins E
  • Rizou Z
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Handbook Of Optoelectronic Device Modeling And Simulation: Fundamentals, Materials, Nanostructures, Leds, And Amplifiers (p. 697-714) - 1/1/2017

10.1201/9781315152301 Ver en origen

High-brightness tapered lasers

  • Esquivias I
  • Pérez-Serrano A
  • Tijero J

Handbook Of Optoelectronic Device Modeling And Simulation: Lasers, Modulators, Photodetectors, Solar Cells, And Numerical Methods (p. 59-80) - 1/1/2017

10.4324/9781315152318 Ver en origen

CHARACTERIZATION OF ANODIC FLUORIDE FILMS ON HG1-XCDXTE

  • ESQUIVIAS, I
  • DALCOLLE, M
  • BRINK, D
  • BAARS, J
  • BRUDER, M;

Growth And Characterization Of Materials For Infrared Detectors And Nonlinear Optical Switches (p. 55-66) - 1/1/1991

10.1117/12.46507 Ver en origen

Influence of facet reflectivity on the differential gain and K-factor in high-speed GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs MQW lasers

  • Weisser S
  • Esquivias I
  • Ralston J
  • Rosenzweig J
  • Schonfelder A
  • Larkins E
  • Fleissner J
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Technical Digest - International Electron Devices Meeting (p. 863-866) - 1/1/1992

10.1109/iedm.1992.307493 Ver en origen

  • ISSN 01631918

High-frequency characterization of 30 GHz p-type modulation-doped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers

  • S Weisser
  • JD Ralston
  • EC Larkins
  • I Esquivias
  • PJ Tasker
  • J Fleissner
  • J Rosenzweig
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Technical Digest - International Electron Devices Meeting (p. 1009-1011) - 1/1/1992

10.1109/iedm.1992.307531 Ver en origen

  • ISSN 01631918

Comparison of vertically-compact high-speed GaAs and In0.35Ga0.65As MQW diode lasers designed for monolithic integration

  • Ralston J
  • Weisser S
  • Esquivias I
  • Gallagher D
  • Tasker P
  • Rosenzweig J
  • Fleissner J
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Conference Digest - Ieee International Semiconductor Laser Conference (p. 176-177) - 1/1/1992

10.1109/islc.1992.763626 Ver en origen

  • ISSN 08999406

Modelling and characterization of high-speed GaAs and In0.35Ga0.65As multiple-quantum-well laser diodes

  • Schönfelder A
  • Weisser S
  • Esquivias I
  • Ralston J
  • Rosenzweig J
  • Gallagher D

Conference Proceedings - Lasers And Electro-Optics Society Annual Meeting-Leos (p. 189-190) - 1/1/1992

10.1109/leos.1992.693907 Ver en origen

  • ISSN 10928081

16-GHZ GAAS/ALGAAS MULTIPLE QUANTUM-WELL LASER WITH VERTICALLY COMPACT WAVE-GUIDE STRUCTURE

  • RALSTON, JD
  • ESQUIVIAS, I
  • WEISSER, S
  • GALLAGHER, DFG
  • TASKER, PJ
  • LARKINS, EC
  • ROSENZWEIG, J
  • ZAPPE, HP
  • FLEISSNER, J
  • AS, DJ;
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High-Speed Electronics And Optoelectronics (p. 127-136) - 1/1/1992

10.1117/12.137711 Ver en origen

Performance and optoelectronic integration of GaAs-based high-speed semiconductor lasers

  • Ralston J
  • Weisser S
  • Schonfelder A
  • Esquivias I
  • Larkins E
  • Rosenzweig J
  • Tasker P
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Conference Proceedings - Lasers And Electro-Optics Society Annual Meeting (p. 637-638) - 1/12/1993

  • iMarina

DC-FREQUENCY AND HIGH-FREQUENCY PROPERTIES OF IN0.35GA0.65AS/GAAS STRAINED-LAYER MQW LASER-DIODES WITH P-DOPING

  • ESQUIVIAS, I
  • WEISSER, S
  • SCHONFELDER, A
  • RALSTON, JD
  • TASKER, PJ
  • LARKINS, EC
  • FLEISSNER, J
  • BENZ, W
  • ROSENZWEIG, J;
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Institute Of Physics Conference Series (p. 265-270) - 1/1/1994

  • ISSN 09513248
  • iMarina

Carrier capture and escape times in In0.35Ga0.65As/GaAs multiple quantum well lasers determined from high-frequency impedance and modulation response measurements

  • Esquivias I
  • Weisser S
  • Tasker P
  • Ralston J
  • Rosenzweig J
  • Romero B

(p. 417-418) - 1/12/1994

  • iMarina

Carrier transport effects in undoped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers determined from high-frequency impedance measurements

  • Esquivias I
  • Weisser S
  • Romero B
  • Tasker P
  • Ralston J
  • Rosenzweig J
  • Arias J
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Leos '94 - Conference Proceedings, Vol 2 (p. 161-162) - 1/12/1994

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

BRIGHT.EU: Wide wavelength light sources for public welfare: high brightness laser diodes for telecom, medical and environment use

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-07-2004 - 30-09-2006

Tipo: Internacional

  • iMarina

WWW.BRIGHTER.EU: World Wide Welfare: High Brightness semiconductor lasers for generic use.

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2006 - 31-03-2010

Tipo: Internacional

  • iMarina

Ayuda complementaria al proyecto láseres de semiconductor de alto brillo para uso genérico

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2006 - 30-09-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Multigigahertz optical modulator of very low RF driving power

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
  • GEDAY, MORTEN ANDREAS (Miembro de equipo)

Ejecución: 12-06-2008 - 31-07-2009

Tipo: Internacional

Importe financiado: 20000,00 Euros.

  • iMarina

Screening and pre-evaluation of shortwave infrared laser diode for space application

  • Ignacio Esquivias (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)

Ejecución: 17-02-2009 - 31-05-2010

Tipo: Internacional

Importe financiado: 12000,00 Euros.

  • iMarina

Láseres de semiconductor avanzados para procesado de señal todo-óptico y generación de pulsos cortos

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2010 - 30-06-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 182420,00 Euros.

  • iMarina

Multi-section semiconductor lasers for all-optical signal processing and short pulse generation

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Investigador principal (IP))
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Participante)

Ejecución: 01-09-2010 - 31-08-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 154417,00 Euros.

  • iMarina

High Brightness Semiconductor Laser Sources for Space Applications in Earth Observation

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Investigador principal (IP))
  • PEREZ SERRANO, ANTONIO (Participante)
  • AGUILERA NAVARRO, SANTIAGO (Participante)
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Participante)
  • VILERA SUAREZ, MARIAFERNANDA (Participante)

Ejecución: 01-12-2012 - 29-02-2016

Tipo: Internacional

Importe financiado: 300951,00 Euros.

  • iMarina

Técnicas de medición de distancias basadas en láseres de semiconductor avanzados-SP3

  • Arias Rodríguez, Julia (Participante)
  • VILERA SUAREZ, MARIAFERNANDA (Miembro del equipo de trabajo)
  • AGUILERA NAVARRO, SANTIAGO (Participante)
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Participante)
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2013 - 30-06-2016

Tipo: Nacional

Importe financiado: 157599,00 Euros.

  • iMarina

CEMDATIC. Sensores e Instrumentación en Tecnologías Fotónicas

  • DEL POZO MELERO, GONZALO (Participante)
  • VILERA SUAREZ, MARIAFERNANDA (Participante)
  • OTON SANCHEZ, JOSE MANUEL (Investigador principal (IP))
  • ESCOLANO MOYANO, JOSE MIGUEL (Participante)
  • GEDAY, MORTEN ANDREAS (Participante)
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Participante)
  • ROSADO PÉREZ, ALEJANDRO (Participante)
  • CAÑO GARCIA, MANUEL (Participante)
  • QUINTANA ARREGUI, PATXI XABIER (Participante)
  • GIL VALVERDE, MANUEL (Participante)
  • PEREZ SERRANO, ANTONIO (Participante)
  • GORDO QUIROGA, FERNANDO JOSE (Participante)
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Participante)
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Ejecución: 01-10-2014 - 31-12-2018

Tipo: Regional

Importe financiado: 154524,00 Euros.

  • iMarina

Caracterización de láseres de pozo cuántico mediante medidas eléctricas en continua

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: ARIAS RODRIGUEZ, María Julia

1/1/1998

  • iMarina

Analisis teórico y experimental de los efectos de captura y escape de portadores en láseres de pozo cuántico

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: ROMERO HERRERO, Beatriz

1/1/1998

  • iMarina

Modelado, simulación y diseño de diodos láser de alto brillo

  • Ignacio Esquivias Moscardó (Director) Doctorando: Borruel Navarro, Luis

1/1/2004

  • iMarina

Diseño, Análisis y Simulación de Diodos Láser con Forma de Embudo.

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: ODRIOZOLA FRANCO, Helena

1/1/2010

  • iMarina

Short pulse generation from semiconductor lasers: characterization, modeling and applications

  • López-Hernández, Francisco José (Director)
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: Consoli Barone, Antonio

1/1/2011

  • iMarina

Propiedades Ópticas de los Materiales Activos en Diodos Láser con Confinamiento Cuántico

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: RODRIGUEZ PEREZ, Daniel

1/1/2015

Defensa realizada en: Universidad Politécnica de Madrid

Emission characteristics of 1.5 um monolithically integrated master oscillator power amplifiers

  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Director)
  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: VILERA SUÁREZ, Mariafernanda

1/1/2017

  • iMarina

Experimental and theoretical study of the optical frequency comb generated by gain-switching of semiconductor lasers

  • ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director)
  • GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Director) Doctorando: ROSADO PÉREZ, Alejandro

1/1/2020

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:20