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Perfil en el portal institucional

Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

pn Junction applications and transport properties in polysilicon rods

  • Criado A
  • Calleja E
  • Martinez J
  • Piqueras J
  • Muñoz E

Solid-State Electronics (p. 693-700) - 1/1/1979

10.1016/0038-1101(79)90077-7 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Argon-ion bombardment effects on the electrical characteristics of platinum-silicon schottky diodes

  • Garrido J
  • Calleja E
  • Piqueras J

Electronics Letters (p. 815-816) - 6/12/1979

10.1049/el:19790579 Ver en origen

  • ISSN 00135194

Resonant tunnelling in thermally degenerated molybdenum and platinum silicon Schottky diodes

  • Martinez J
  • Calleja E
  • Piqueras J

Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 277-286) - 1/1/1980

10.1002/pssa.2210600133 Ver en origen

  • ISSN 00318965

Thermal degeneration of Mo and Pt silicon Schottky diodes

  • Calleja E
  • Garrido J
  • Piqueras J
  • Martinez A

Solid-State Electronics (p. 591-598) - 1/1/1980

10.1016/0038-1101(80)90041-6 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Resonant tunneling spectroscopy in Schottky diodes

  • Calleja E
  • Piqueras J

Journal Of Applied Physics (p. 3980-3983) - 1/12/1980

10.1063/1.328182 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Current/voltage characteristics of degenerated molybdenum and platinum schottky diodes

  • Martinez J
  • Calleja E
  • Piqueras J

Electronics Letters (p. 183-185) - 28/2/1980

10.1049/el:19800132 Ver en origen

  • ISSN 00135194

DEEP CENTERS INTRODUCED BY ARGON ION-BOMBARDMENT IN N-TYPE SILICON

  • GARRIDO, J
  • CALLEJA, E
  • PIQUERAS, J;

Solid-State Electronics (p. 1121-1126) - 1/1/1981

10.1016/0038-1101(81)90180-5 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Effect of vacuum annealing cleaning on electrical characteristics of GaAs1−x Px-Mo schottky diodes

  • Calleja E
  • Piqueras J

Electronics Letters (p. 37-39) - 8/1/1981

10.1049/el:19810028 Ver en origen

  • ISSN 00135194

ELECTRON TRAPS IN GAAS1-XPX ALLOYS

  • CALLEJA, E
  • MUNOZ, E
  • GARCIA, F;

Applied Physics Letters (p. 528-530) - 1/1/1983

10.1063/1.93993 Ver en origen

  • ISSN 00036951

ELECTROPLATED AU-GAAS1-XPX AND AU-GA1-XALXAS SCHOTTKY BARRIERS

  • LOPEZCORONADO, M
  • AGUILAR, M
  • MARTINEZ, MT
  • CALLEJA, E
  • MUNOZ, E;

Electronics Letters (p. 666-668) - 18/8/1983

10.1049/el:19830454 Ver en origen

  • ISSN 00135194

Este/a investigador/a no tiene libros.

Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors

  • Gačević Ž
  • Calleja E

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017

10.1201/9781315364407 Ver en origen

TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs

  • Trampert A
  • Ristic J
  • Jahn U
  • Calleja E
  • Ploog K

Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018

10.1201/9781351074636 Ver en origen

Raman scattering by coupled plasmon-LO phonons in InN nanocolumns

  • Lazic, S
  • Gailardo, E
  • Calleja, JM
  • Agulló-Rueda, F
  • Grandal, J
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E
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Physica Status Solidi c (p. 1562-1564) - 1/12/2008

10.1002/pssc.200778488 Ver en origen

Space charged region in GaN and InN nanocolumns investigated by atomic force microscopy

  • Niebelschütz, M
  • Cimalla, V
  • Ambacher, O
  • Machleidt, T
  • Franke, KH
  • Ristic, J
  • Grandal, J
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E
... Ver más Contraer

Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1609-+) - 1/12/2008

10.1002/pssc.200778533 Ver en origen

  • ISSN 18626351

Growth of InN on Silicon substrates Mini-Symposium on Physics and Applications of InN and InGaN Semiconductor Materials The Rank Prize Funds Grasmere (Inglaterra), 2008

  • S. Lazic
  • J.M Calleja
  • E. Luna
  • E. GALLARDO
  • A. Trampert
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calleja Pardo, Enrique
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Growth Of Inn On Silicon Substrates (p. 0-0) - 30/3/2008

  • iMarina

Correlating Composition and Luminescence Variations in AlInGaN epilayers 9th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors, 2008 Toledo (España), 2008

  • R.W MARTIN
  • P.R. EDWARDS
  • KP O.DONNELL
  • K. BEKTKA
  • Calleja Pardo, Enrique

Correlating Composition And Luminescence Variations In Alingan Epilayers (p. 0-0) - 29/6/2008

  • iMarina

Investigation and Manipulation of Space Charged Regions in GaN and InN Nanocolumns International Conference on Electronic Materials Sydney, (Australia), 2008

  • V. CIMALLA
  • O. AMBACHER
  • N. NIEBELSCHUTZ
  • A. SHOBER
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calleja Pardo, Enrique
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Investigation And Manipulation Of Space Charged Regions In Gan And Inn Nanocolumns (p. 0-0) - 28/7/2008

  • iMarina

Correlating composition and luminescence variations in III-nitride semiconductor alloys

  • P R Edwards
  • R W Martin
  • K Bejtka
  • K P O´Donnell
  • S Fernández-Garrido
  • E Calleja

Microscopy And Microanalysis (p. 762-763) - 1/8/2008

10.1017/s1431927608087576 Ver en origen

  • ISSN 14319276

Correlating Composition and Luminescence Variations in III-Nitride Semiconductor Alloys Microscopy & Microanalysis Meeting Albuquerque, New Mexico (USA), 2008

  • R.W MARTIN
  • P.R. EDWARDS
  • K.P O.DONNELL
  • K. BEJKA
  • I.M WATSON
  • Calleja Pardo, Enrique

Correlating Composition And Luminescence Variations In Iii-Nitride Semiconductor Alloys (p. 0-0) - 3/8/2008

  • iMarina

Growth of InN nanocolumns on a-plane GaN templates 15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy Vancouver (Canada), 2008

  • U. Jahn
  • J.M Calleja
  • E. Luna
  • E. Gallardo
  • A. Trampert
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calleja Pardo, Enrique
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Growth Of Inn Nanocolumns On A-Plane Gan Templates 15th International Conference On Molecular Beam Epitaxy (p. 0-0) - 3/8/2008

  • iMarina

Enhancement of N incorporation into (Ga)InAsN quantum dots International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008

  • M. Hopkinson
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Calleja Pardo, Enrique

Enhancement Of N Incorporation Into (Ga)Inasn Quantum Dots (p. 0-0) - 21/9/2008

  • iMarina

Dependence of N incorporation into (Ga)InAsN QDs on Ga content probed by rapid thermal annealing

  • Gargallo-Caballero, R
  • Guzmán, A
  • Hopkinson, M
  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Calleja, E

Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1441-+) - 1/1/2009

10.1002/pssc.200881524 Ver en origen

  • ISSN 18626351

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • GRACIA VERANO, VICTOR (Investigador principal (IP))
  • CERUTTI CERUTTI, LAURENT (Investigador principal (IP))
  • RISTIC RISTIC, JELENA (Investigador principal (IP))
  • SANZ MONASTERIO, MIKEL (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010

Tipo: Regional

  • iMarina

Nanoestructuras de semiconductores como componentes par ala información cuántica

  • Enrique Calleja Pardo (Investigador principal (IP))
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2006 - 01-01-2009

  • iMarina

High quality and intrinsic Properties of InN and indium rich Nitride Alloys

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)

Ejecución: 01-10-2008 - 30-09-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 388526,00 Euros.

  • iMarina

Instalación/Actuación: Central de Tecnología del ISOM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 13-11-2008 - 15-10-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Desarrollo de Micro y Nanocavidades incluyendo regiones activas de puntos cuánticos de Nitruros-III: Aplicaciones a emisiones de luz en azul y UV.

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • JAN ., UWE (Participante)
  • TRAMPET ., ACHIM (Participante)
  • LEFREBVE ., PIERRE (Participante)
  • RISTIC ., JELENA (Participante)
  • GRANJEAN ., NICOLAS (Participante)
  • DAUDIN ., BRUNO (Participante)
  • RODRIGUEZ CANTO, PEDRO (Participante)
  • GODIGNON ., PHILIP (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • UTRERA LÓPEZ, MARÍA (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011

Tipo: Nacional

  • iMarina

Células Solares de heterounión InGaN y alta eficiencia crecidas por MBE

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • NANISHI ., YASUSHI (Participante)
  • ARTUS SURROCA, LLUIS (Participante)
  • Calleja Pardo, Jose Manuel (Participante)
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-11-2009 - 01-11-2012

Tipo: Nacional

Importe financiado: 40000,00 Euros.

  • iMarina

Smart nanostructured semiconductors for energy saving light solutions

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • PRIETO MARTIN, JOSE LUIS (Participante)
  • PADILLA GONZALEZ, ISIDORO (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Notzel, Richard (Participante)
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
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Ejecución: 01-09-2009 - 31-08-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 800650,00 Euros.

  • iMarina

Substrate nanopatterning by e-beam lithography to growth ordered arrays of III-Nitride nanodetectors: application to IR detectors, emitters, and new Solar Cells

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 153917,00 Euros.

  • iMarina

Células Solares de Ingan mejoradas con plasmones superficiales y fabricadas por MBE sobre sustratos de Silicio y Capas de Gan

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • YASUSHI NA, NANISHI (Participante)
  • MCCONVILLE NA, CHRIS (Participante)
  • Notzel, Richard (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • SABIDO SILLER, M CARMEN (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-01-2012 - 31-12-2014

Tipo: Nacional

Importe financiado: 269999,00 Euros.

  • iMarina

3D GaN for High Efficiency Solid State Lighting

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)

Ejecución: 01-04-2012 - 31-03-2015

Tipo: Internacional

Importe financiado: 552079,00 Euros.

  • iMarina

Aportación al estudio de estructuras pseudomórficas y metamórficas de InGaAs

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SACEDON AYUSO, Ana

1/1/1996

  • iMarina

Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de Gan. Aplicaciones a dispositivos optoelectronicos

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ SANZ, Fernando José

1/1/1999

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ GARCIA, Miguel Angel

1/1/2000

  • iMarina

Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.

  • Muñoz Merino, Elías (Director)
  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis

1/1/2003

  • iMarina

Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Ana Jimenez Martín

1/1/2003

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega

1/6/2003

  • iMarina

Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante

  • Enrique Calleja Pardo (Director)
  • Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María

1/1/2004

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena

1/1/2006

  • iMarina

Growth and characterization of group-iii nitride nanocolumnar structures - crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros dle grupo iii

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Jelena Ristic

1/1/2006

  • iMarina

Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Sergio Fernández Garrido

1/1/2009

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12