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Perfil en el portal institucional

Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Dynamic control of the optical emission from GaN/InGaN nanowire quantum dots by surface acoustic waves

  • Lazic, S.
  • Chernysheva, E.
  • Gacevic, Z.
  • van der Meulen, H. P.
  • Calleja, E.
  • Calleja Pardo, J. M.;

Aip Advances - 1/9/2015

10.1063/1.4932147 Ver en origen

  • ISSN 21583226

Effect of different buffer layers on the quality of InGaN layers grown on Si

  • Gómez, V.J.
  • Grandal, J.
  • Núñez-Cascajero, A.
  • Naranjo, F.B.
  • Varela, M.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
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Aip Advances - 1/10/2018

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.5046756 Ver en origen

  • ISSN 21583226
  • ISSN/ISBN 2158-3226

Influence of DX centers on HEMT performance

  • Munoz E
  • Calleja E
  • Garcia F
  • Izpura I
  • Rojas J

Alta Frequenza Rivista Di Elettronica (p. 3-11) - 1/3/1993

  • ISSN 11201908
  • iMarina

Electron tomography of (In,Ga)N insertions in GaN nanocolumns grown on semi-polar (11(2)over-bar2) GaN templates

  • Niehle, M.
  • Trampert, A.
  • Albert, S.
  • Bengoechea-Encabo, A.
  • Calleja, E.;

Apl Materials - 1/3/2015

10.1063/1.4914102 Ver en origen

  • ISSN 2166532X

GaN-based solar-ultraviolet detection instrument

  • Monroy, E
  • Calle, F
  • Angulo, C
  • Vila, P
  • Sanz, A
  • Garrido, JA
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Haffouz, S
  • Beaumont, B
  • Omnes, F
  • Gibart, P
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Applied Optics (p. 5058-5062) - 1/8/1998

10.1364/ao.37.005058 Ver en origen

  • ISSN 00036935

First Demonstration of Direct Growth of Planar High-In-Composition InGaN Layers on Si

  • Kumar, Praveen
  • Soto Rodriguez, Paul E. D.
  • Gomez, Victor J.
  • Alvi, Naveed H.
  • Calleja, Enrique
  • Noetzel, Richard;

Applied Physics Express - 1/3/2013

10.7567/apex.6.035501 Ver en origen

  • ISSN 18820778

Uniform Low-to-High In Composition InGaN Layers Grown on Si

  • Aseev, Pavel
  • Soto Rodriguez, Paul E. D.
  • Kumar, Praveen
  • Gomez, Victor J.
  • Alvi, Naveed ul Hassan
  • Manuel, Jose M.
  • Morales, Francisco M.
  • Jimenez, Juan J.
  • Garcia, Rafael
  • Calleja, Enrique
  • Noetzel, Richard;
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Applied Physics Express - 1/11/2013

10.7567/apex.6.115503 Ver en origen

  • ISSN 18820778

A top-gate GaN nanowire metal-semiconductor field effect transistor with improved channel electrostatic control

  • Ž Ga?evi?
  • D López-Romero
  • T Juan Mangas
  • E Calleja

Applied Physics Letters (p. 033101-033101) - 18/1/2016

10.1063/1.4940197 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Near-infrared emitting In-rich InGaN layers grown directly on Si: Towards the whole composition range

  • Aseev, Pavel
  • Soto Rodriguez, Paul E. D.
  • Gomez, Victor J.
  • Alvi, Naveed ul Hassan
  • Manuel, Jose M.
  • Morales, Francisco M.
  • Jimenez, Juan J.
  • Garcia, Rafael
  • Senichev, Alexander
  • Lienau, Christoph
  • Calleja, Enrique
  • Noetzel, Richard;
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Applied Physics Letters - 16/2/2015

10.1063/1.4909515 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Improving optical performance of GaN nanowires grown by selective area growth homoepitaxy: Influence of substrate and nanowire dimensions

  • Aseev, P.
  • Gacevic, Z.
  • Torres-Pardo, A.
  • Gonzalez-Calbet, J. M.
  • Calleja, E.;

Applied Physics Letters - 20/6/2016

10.1063/1.4954742 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Este/a investigador/a no tiene libros.

TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs

  • Trampert A
  • Ristic J
  • Jahn U
  • Calleja E
  • Ploog K

Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018

10.1201/9781351074636 Ver en origen

Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors

  • Gačević Ž
  • Calleja E

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017

10.1201/9781315364407 Ver en origen

Extended X-ray absorption fine structure studies of InGaN epilayers

  • Katchkanov V
  • O'Donnell' K
  • Mosselmans J
  • Hernandez S
  • Martin R
  • Nanishi Y
  • Kurouchi M
  • Watson I
  • Van Der Stricht W
  • Calleja E
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 203-207) - 25/8/2005

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Anomalous composition dependence of optical energies of MBE-grown InGaN

  • Fernandez-Torrente, I.
  • Amabile, D.
  • Martin, R.W.
  • O'Donnell, K.P.
  • Mosselmans, J.F.W.
  • Calleja, E.
  • Naranjo, F.B.
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 673-676) - 1/1/2003

Editor: Materials Research Society

10.1557/proc-798-y5.47 Ver en origen

  • ISSN 02729172
  • ISSN/ISBN 0272-9172

Hydrogen-related local vibrational modes in GaN:Mg grown by molecular beam epitaxy

  • Pastor, D.
  • Cuscó, R.
  • Artús, L.
  • Naranjo, F.
  • Calleja, E.

Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 485-490) - 1/1/2003

Editor: Materials Research Society

10.1557/proc-798-y5.15 Ver en origen

  • ISSN 02729172
  • ISSN/ISBN 0272-9172

Substrate influence on the high-temperature annealing behavior of GaN : Si vs. sapphire

  • Pastor, D.
  • Cusco, R.
  • Artus, L.
  • Iborra, E.
  • Jimenez, J.
  • Peiro, F.
  • Gonzalez-Diaz, G.
  • Calleja, E.;
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 357-+) - 1/1/2006

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Dislocation distribution in graded composition InGaAs layers

  • Molina S
  • Gutierrez G
  • Sacedon A
  • Calleja E
  • Garcia R

Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 223-228) - 1/1/1994

  • ISSN 02729172
  • iMarina

AlGaN ultraviolet photodetectors grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

  • Pau, JL
  • Monroy, E
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E
  • Muñoz, E

Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 159-162) - 30/5/2002

10.1016/s0921-5107(02)00051-x Ver en origen

  • ISSN 09215107

Plasma-assisted MBE growth of group-III nitrides: from basics to device applications

  • Sánchez-García, M.A.
  • Pau, J.L.
  • Naranjo, F.
  • Jiménez, A.
  • Fernández, S.
  • Ristic, J.
  • Calle, F.
  • Calleja, E.
  • Muñoz, E.
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Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 189-196) - 30/5/2002

10.1016/s0921-5107(02)00049-1 Ver en origen

  • ISSN 09215107
  • ISSN/ISBN 0921-5107

Resonant Raman scattering in strained and relaxed inxGa 1-xN/GaN multiple quantum wells

  • Lazić, S.
  • Calleja, J.M.
  • Naranjo, F.B.
  • Fernández, S.
  • Calleja, E.

Materials Science Forum (p. 19-24) - 1/1/2005

Editor: Trans Tech Publications Ltd

10.4028/0-87849-971-7.19 Ver en origen

  • ISSN 02555476
  • ISSN/ISBN 1662-9752

INCORPORATION OF BE INTO INXGA1-XAS (0.004-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-X-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-0.17) STUDIED BY PHOTOLUMINESCENCE AND RESONANT RAMAN-SPECTROSCOPY OF LOCAL VIBRATIONAL-MODES

  • ALVAREZ, AL
  • WAGNER, J
  • CALLE, F
  • MAIER, M
  • GUTIERREZ, G
  • SACEDON, A
  • CALLEJA, E
  • MUNOZ, E;
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Materials Science Forum (p. 241-245) - 1/1/1994

10.4028/www.scientific.net/msf.143-147.241 Ver en origen

  • ISSN 02555476

Correlating composition and luminescence variations in III-nitride semiconductor alloys

  • P R Edwards
  • R W Martin
  • K Bejtka
  • K P O´Donnell
  • S Fernández-Garrido
  • E Calleja

Microscopy And Microanalysis (p. 762-763) - 1/8/2008

10.1017/s1431927608087576 Ver en origen

  • ISSN 14319276

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

A. Develop process to make full visible spectrum display emitter layer using nanocolumns. B. Develop process to make UVA emitting arrays using nanocolumns

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))

Ejecución: 06-10-2020 - 03-11-2021

  • iMarina

Materiales y dispositivos optoelectrónicos basados en nitruros del grupo- III

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 19-12-2019 - 31-12-2021

  • iMarina

Nanohilos basados en GaN para sistemas de información cuántica y circuitos digitales

  • FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA (Participante)
  • HERRANZ FEITO, MIGUEL (Investigador/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Participante)
  • LASO CARBAJO, MANUEL (Participante)
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Ejecución: 01-01-2019 - 31-07-2022

Tipo: Nacional

Importe financiado: 193963,00 Euros.

  • iMarina

GaN-based nanowires as building blocks for quantum information systems and digital electronic circuits (RTI2018-097338-B-I00)

  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Investigador/a)
  • Miguel Angel Sanchez Garcia
  • Manuel Laso Carbajo
  • Enrique Calleja Pardo
  • Nikos Karayiannis
  • Zarko Gacevic
  • Aikaterini Foteinopoulou (Investigador principal (IP))
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Investigador/a)
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Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021

Tipo: Nacional

Importe financiado: 160300,00 Euros.

  • iMarina

InDaN and AIGaN semi-polar and non-polar pseudo-substrates made by Molecular Beam Epitaxy by ordered coalescence of nanocrystals

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2018 - 15-09-2022

  • iMarina

Crecimiento por Epitaxia de Haces Moleculares de capas finas y nanoestructuras ordenadas de InGaN para dispositivos fotovoltaicos, sensores y generadores de hidrógeno

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • COBOS ARRIBAS, PEDRO (Participante)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Tipo: Nacional

Importe financiado: 204490,00 Euros.

  • iMarina

Towards p-type conductivity in In0.5Ga0.5N nanocolumns on a Si (100) substrate with GaN buffer layers

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • XIE, MENGYAO (Becario/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 15-06-2015 - 14-06-2017

Tipo: Internacional

Importe financiado: 170121,60 Euros.

  • iMarina

Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

  • iMarina

ADECUACIÓN DE UN REACTOR DE EPITAXIA DE HACES MOLECULARES (MBE) PARA EL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 22105,00 Euros.

  • iMarina

3D GaN for High Efficiency Solid State Lighting

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)

Ejecución: 01-04-2012 - 31-03-2015

Tipo: Internacional

Importe financiado: 552079,00 Euros.

  • iMarina

Growth and characterization of gan/aln non-polar pseudo-substrates

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: Fernando Saavedra, Amalia Luisa

1/1/2021

  • iMarina

nxGa1-xN layers, nanowires, and nanodots on Silicon for clean energy applications

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Aseev, Pavel

1/1/2017

  • iMarina

Investigations on III-nitrides nanostructures: application to renewable energies and bio-sensing

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Soto Rodriguez, Paul Eduardo David

1/1/2016

  • iMarina

Constituent blocks of planar III - nitride microcavities grown by molecular beam epitaxy

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Zarko Gacevic

1/1/2012

  • iMarina

Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Sergio Fernández Garrido

1/1/2009

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena

1/1/2006

  • iMarina

Growth and characterization of group-iii nitride nanocolumnar structures - crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros dle grupo iii

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Jelena Ristic

1/1/2006

  • iMarina

Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante

  • Enrique Calleja Pardo (Director)
  • Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María

1/1/2004

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega

1/6/2003

  • iMarina

Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.

  • Muñoz Merino, Elías (Director)
  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis

1/1/2003

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12