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Perfil en el portal institucional

Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

pn Junction applications and transport properties in polysilicon rods

  • Criado A
  • Calleja E
  • Martinez J
  • Piqueras J
  • Muñoz E

Solid-State Electronics (p. 693-700) - 1/1/1979

10.1016/0038-1101(79)90077-7 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Argon-ion bombardment effects on the electrical characteristics of platinum-silicon schottky diodes

  • Garrido J
  • Calleja E
  • Piqueras J

Electronics Letters (p. 815-816) - 6/12/1979

10.1049/el:19790579 Ver en origen

  • ISSN 00135194

Resonant tunnelling in thermally degenerated molybdenum and platinum silicon Schottky diodes

  • Martinez J
  • Calleja E
  • Piqueras J

Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 277-286) - 1/1/1980

10.1002/pssa.2210600133 Ver en origen

  • ISSN 00318965

Thermal degeneration of Mo and Pt silicon Schottky diodes

  • Calleja E
  • Garrido J
  • Piqueras J
  • Martinez A

Solid-State Electronics (p. 591-598) - 1/1/1980

10.1016/0038-1101(80)90041-6 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Resonant tunneling spectroscopy in Schottky diodes

  • Calleja E
  • Piqueras J

Journal Of Applied Physics (p. 3980-3983) - 1/12/1980

10.1063/1.328182 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Current/voltage characteristics of degenerated molybdenum and platinum schottky diodes

  • Martinez J
  • Calleja E
  • Piqueras J

Electronics Letters (p. 183-185) - 28/2/1980

10.1049/el:19800132 Ver en origen

  • ISSN 00135194

DEEP CENTERS INTRODUCED BY ARGON ION-BOMBARDMENT IN N-TYPE SILICON

  • GARRIDO, J
  • CALLEJA, E
  • PIQUERAS, J;

Solid-State Electronics (p. 1121-1126) - 1/1/1981

10.1016/0038-1101(81)90180-5 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Effect of vacuum annealing cleaning on electrical characteristics of GaAs1−x Px-Mo schottky diodes

  • Calleja E
  • Piqueras J

Electronics Letters (p. 37-39) - 8/1/1981

10.1049/el:19810028 Ver en origen

  • ISSN 00135194

ELECTRON TRAPS IN GAAS1-XPX ALLOYS

  • CALLEJA, E
  • MUNOZ, E
  • GARCIA, F;

Applied Physics Letters (p. 528-530) - 1/1/1983

10.1063/1.93993 Ver en origen

  • ISSN 00036951

ELECTROPLATED AU-GAAS1-XPX AND AU-GA1-XALXAS SCHOTTKY BARRIERS

  • LOPEZCORONADO, M
  • AGUILAR, M
  • MARTINEZ, MT
  • CALLEJA, E
  • MUNOZ, E;

Electronics Letters (p. 666-668) - 18/8/1983

10.1049/el:19830454 Ver en origen

  • ISSN 00135194

Este/a investigador/a no tiene libros.

Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors

  • Gačević Ž
  • Calleja E

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017

10.1201/9781315364407 Ver en origen

TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs

  • Trampert A
  • Ristic J
  • Jahn U
  • Calleja E
  • Ploog K

Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018

10.1201/9781351074636 Ver en origen

J.H. Blokland, J.M. Ulloa, U. Zeitler, P.C.M. Christianen, P.M. Koenraad, D. Reuter, A.D. Wieck, J.C. Maan "Shell-filling and correlation effects of holes in InAs quantum dots" International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Syste

  • U. Zeitler
  • P.M. Koenraad
  • P.C.M. Christianen
  • J.H. Blokland
  • A.D. Wieck
  • J.C. Maan
  • D. Reuter
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
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15/7/2007

  • iMarina

I. W. D. Drouzas, J. M. Ulloa, P. M. Koenraad, D. J. Mowbray, M. A. Migliorato, M. J. Steer, H.Y. Liu, M. Hopkinson "InAs self-assembled quantum dots capped with a GaAsSb strain reducing layer: Morphology of a nanostructure with novel optical properties

  • P. M. Koenraad
  • M. J. Steer
  • M. HOPKINSON
  • I. W. D. Drouzas
  • H.Y. Liu
  • D. J. Mowbray
  • M. A. Migliorato
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
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15/7/2007

  • iMarina

S. Lazić, E. Gallardo, J.M. Calleja, F. Agulló-Rueda, J. Grandal, M.A. Sánchez-Garcia, E. Calleja "Raman Scattering By Longitudinal Optical Phonons In Inn Nanocolumns Grown On Si(111) And Si(001) Substrates" 13th International Conference on Modulat

  • S. LAZIC
  • J. M. CALLEJA
  • F. AGULLÓ-RUEDA
  • E. GALLARDO
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calleja Pardo, Enrique
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15/7/2007

  • iMarina

S. Lazic, E. Gallardo, J.M. Calleja, F. Agulló-Rueda, J. Grandal, M.A. Sánchez-Garcia, E. Calleja "Raman Scattering By Longitudinal Optical Phonons In Inn Nanocolumns Grown On Si(111) And Si(001) Substrates" 13th International Conference on Modulated Semi

  • S. Lazic
  • J.M Calleja
  • F. AGULLÓ-RUEDA
  • E. Gallardo
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calleja Pardo, Enrique
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15/7/2007

  • iMarina

J.M. Ulloa, A. Wierts, C. Çelebi, P.M. Koenraad, H. Boukari, L. Maingault, H. Mariette "Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy on II-VI Semiconductor Multilayer Structures"13th International Conference on II-VI Compounds Jeju (Corea) 10 al 14 d

  • P.M. Koenraad
  • L. MAINGAULT
  • H. MARIETTE
  • H. BOUKARI
  • C. CELEBI
  • A. WIERTS
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
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10/9/2007

  • iMarina

J. Grandal, M.A. Sánchez-García, E. Calleja, S. Lazic, J.M. Calleja, E. Luna, A. Trampert "Structural and optical characterization of Inn/Ingan multiple quantum wells grown by plasma assisted-MBE" 7th International Conference on Nitride Semiconductors

  • S. LAZIC
  • J.M. CALLEJA
  • E. Luna
  • A. Trampert
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calleja Pardo, Enrique
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16/9/2007

  • iMarina

U. Jahn, E. Calleja, J. Ristic, A. Trampert, C. Rivera "Spatially resolved luminescence spectroscopy of single GaN/(Al,Ga)N quantum disks" 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) Las Vegas (Nevada, USA) 16 al 21 de septiembre d

  • U. Jahn
  • J. Ristic
  • A. Trampert
  • Calleja Pardo, Enrique

16/9/2007

  • iMarina

S. Lazić, E. Gallardo, J. M. Calleja, F. Agulló-Rueda, J. Grandal, M. A. Sánchez-García, E. Calleja, A. Trampert, E. Luna ¿Raman Scattering By Coupled Plasmon-Lo Phonons In Inn Nanocolumns¿ 7th International Conference on Nitride Semiconductors (I

  • S. LAZIC
  • J.M Calleja
  • F. AGULLÓ-RUEDA
  • E. Luna
  • E. GALLARDO
  • A. Trampert
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calleja Pardo, Enrique
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16/9/2007

  • iMarina

M. Niebelschütz.V. Cimalla, O. Ambacher, T. Machleidt, J. Ristic, J. Grandal, M. A. Sánchez-García. E. Calleja "Space Charged Region In Gan And Inn Nanocolumns Investigated By Atomic Force Microscopy" 7th International Conference on Nitride Semiconduc

  • V. CIMALLA
  • T. Machleidt
  • O. AMBACHER
  • M. NIEBELSCHUTZ
  • J. Ristic
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calleja Pardo, Enrique
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16/9/2007

  • iMarina

J. Ristic, C. Rivera, S. Fernández-Garrido, E. Calleja, A. Trampert, K. H. Ploog, M- Povoloskyi, A. Di Carlo ¿Improved growth mode diagram for plasma-assisted MBE growth of (0001) GaN¿ 7th International Conference on Nitride Semiconductors Bremen (

  • M. POVOLOSKYI
  • K.H. PLOOG
  • J. Ristic
  • A. Trampert
  • A. di Carlo
  • Calleja Pardo, Enrique

16/9/2007

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • GRACIA VERANO, VICTOR (Investigador principal (IP))
  • CERUTTI CERUTTI, LAURENT (Investigador principal (IP))
  • RISTIC RISTIC, JELENA (Investigador principal (IP))
  • SANZ MONASTERIO, MIKEL (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010

Tipo: Regional

  • iMarina

Nanoestructuras de semiconductores como componentes par ala información cuántica

  • Enrique Calleja Pardo (Investigador principal (IP))
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2006 - 01-01-2009

  • iMarina

High quality and intrinsic Properties of InN and indium rich Nitride Alloys

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)

Ejecución: 01-10-2008 - 30-09-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 388526,00 Euros.

  • iMarina

Instalación/Actuación: Central de Tecnología del ISOM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 13-11-2008 - 15-10-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Desarrollo de Micro y Nanocavidades incluyendo regiones activas de puntos cuánticos de Nitruros-III: Aplicaciones a emisiones de luz en azul y UV.

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • JAN ., UWE (Participante)
  • TRAMPET ., ACHIM (Participante)
  • LEFREBVE ., PIERRE (Participante)
  • RISTIC ., JELENA (Participante)
  • GRANJEAN ., NICOLAS (Participante)
  • DAUDIN ., BRUNO (Participante)
  • RODRIGUEZ CANTO, PEDRO (Participante)
  • GODIGNON ., PHILIP (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • UTRERA LÓPEZ, MARÍA (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011

Tipo: Nacional

  • iMarina

Células Solares de heterounión InGaN y alta eficiencia crecidas por MBE

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • NANISHI ., YASUSHI (Participante)
  • ARTUS SURROCA, LLUIS (Participante)
  • Calleja Pardo, Jose Manuel (Participante)
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-11-2009 - 01-11-2012

Tipo: Nacional

Importe financiado: 40000,00 Euros.

  • iMarina

Smart nanostructured semiconductors for energy saving light solutions

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • PRIETO MARTIN, JOSE LUIS (Participante)
  • PADILLA GONZALEZ, ISIDORO (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Notzel, Richard (Participante)
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
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Ejecución: 01-09-2009 - 31-08-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 800650,00 Euros.

  • iMarina

Substrate nanopatterning by e-beam lithography to growth ordered arrays of III-Nitride nanodetectors: application to IR detectors, emitters, and new Solar Cells

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 153917,00 Euros.

  • iMarina

Células Solares de Ingan mejoradas con plasmones superficiales y fabricadas por MBE sobre sustratos de Silicio y Capas de Gan

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • YASUSHI NA, NANISHI (Participante)
  • MCCONVILLE NA, CHRIS (Participante)
  • Notzel, Richard (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • SABIDO SILLER, M CARMEN (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-01-2012 - 31-12-2014

Tipo: Nacional

Importe financiado: 269999,00 Euros.

  • iMarina

3D GaN for High Efficiency Solid State Lighting

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)

Ejecución: 01-04-2012 - 31-03-2015

Tipo: Internacional

Importe financiado: 552079,00 Euros.

  • iMarina

Aportación al estudio de estructuras pseudomórficas y metamórficas de InGaAs

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SACEDON AYUSO, Ana

1/1/1996

  • iMarina

Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de Gan. Aplicaciones a dispositivos optoelectronicos

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ SANZ, Fernando José

1/1/1999

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ GARCIA, Miguel Angel

1/1/2000

  • iMarina

Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.

  • Muñoz Merino, Elías (Director)
  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis

1/1/2003

  • iMarina

Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Ana Jimenez Martín

1/1/2003

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega

1/6/2003

  • iMarina

Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante

  • Enrique Calleja Pardo (Director)
  • Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María

1/1/2004

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena

1/1/2006

  • iMarina

Growth and characterization of group-iii nitride nanocolumnar structures - crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros dle grupo iii

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Jelena Ristic

1/1/2006

  • iMarina

Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Sergio Fernández Garrido

1/1/2009

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12