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Perfil en el portal institucional

Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

DEEP-LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY ASSESSMENT OF SILICON CONTAMINATION IN ALGAAS LAYERS GROWN BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY

  • CALLEJA, E
  • SANCHEZ, F
  • MUNOZ, E
  • GIBART, P
  • POWELL, A
  • ROBERTS, JS;

Journal Of Electronic Materials (p. 1017-1022) - 1/1/1995

10.1007/bf02652976 Ver en origen

  • ISSN 03615235

DEPENDENCE ON THE IN CONCENTRATION OF THE PIEZOELECTRIC FIELD IN (111)B INGAAS/GAAS STRAINED HETEROSTRUCTURES

  • SANCHEZROJAS, JL
  • SACEDON, A
  • GONZALEZSANZ, F
  • CALLEJA, E
  • MUNOZ, E;

Applied Physics Letters (p. 2042-2044) - 1/1/1994

10.1063/1.112787 Ver en origen

  • ISSN 00036951

DESIGN AND CHARACTERIZATION OF (111)B INGAAS/GAAS PIEZOELECTRIC SUPERLATTICES

  • Sanchezrojas, JL
  • Sacedon, A
  • Sanzhervas, A
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Abril, EJ
  • Aguilar, M
  • Lopez, M
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Semiconductor Science And Technology (p. 1173-1176) - 1/12/1995

10.1088/0268-1242/10/8/022 Ver en origen

  • ISSN 13616641

DIRECT EVIDENCE OF THE DX CENTER LINK TO THE L-CONDUCTION-BAND MINIMUM IN GAALAS

  • CALLEJA, E
  • GOMEZ, A
  • MUNOZ, E;

Applied Physics Letters (p. 383-385) - 1/12/1988

10.1063/1.99473 Ver en origen

  • ISSN 00036951

DISLOCATION BEHAVIOR IN INGAAS STEP-GRADED AND ALTERNATING STEP-GRADED STRUCTURES - DESIGN RULES FOR BUFFER FABRICATION

  • ARAUJO, D
  • GONZALEZ, D
  • GARCIA, R
  • SACEDON, A
  • CALLEJA, E;

Applied Physics Letters (p. 3632-3634) - 1/1/1995

10.1063/1.115341 Ver en origen

  • ISSN 00036951

DISPLACEMENT PHOTOCURRENTS AND SCREENING EFFECTS IN NOVEL PIEZOELECTRIC INGAAS/GAAS MULTIPLE-QUANTUM-WELL P-I-N-DIODES

  • VALTUENA, JF
  • IZPURA, I
  • SANCHEZROJAS, JL
  • SACEDON, A
  • CALLEJA, E
  • MUNOZ, E;

Semiconductor Science And Technology (p. 1528-1533) - 1/12/1995

10.1088/0268-1242/10/11/016 Ver en origen

  • ISSN 13616641

DX CENTER CHARACTERIZATION IN SE-DOPED ALGAAS UNDER HYDROSTATIC-PRESSURE

  • CALLEJA, E
  • GARCIA, F
  • ROMERO, AL
  • MUNOZ, E
  • POWELL, AL
  • ROCKETT, PI
  • BUTTON, CC
  • ROBERTS, JS;
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Semiconductor Science And Technology (p. 758-766) - 1/12/1992

10.1088/0268-1242/7/6/007 Ver en origen

  • ISSN 13616641

DX CENTER ELECTRON OCCUPANCY UNDER HYDROSTATIC-PRESSURE IN SI-DOPED INY(GA1-XALX)1-YAS ALLOYS

  • ROMERO, AL
  • CALLEJA, E
  • GARCIA, F
  • MUNOZ, E
  • POWELL, AL
  • ROCKETT, PI
  • GREY, R
  • CLAXTON, PA;
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Applied Physics Letters (p. 1811-1813) - 1/1/1992

10.1063/1.108382 Ver en origen

  • ISSN 00036951

DX centers in reduced dimensionality n-type AlGaAs structures

  • Izpura I
  • Munoz E
  • Calleja E
  • Garcia F

Materials Science Forum (p. 623-628) - 1/12/1994

10.4028/www.scientific.net/msf.143-147.623 Ver en origen

  • ISSN 02555476

Decoupling single nanowire mobilities limited by surface scattering and bulk impurity scattering

  • Khanal, DR
  • Levander, AX
  • Yu, KM
  • Liliental-Weber, Z
  • Walukiewicz, W
  • Grandal, J
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E
  • Wu, J
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Journal Of Applied Physics - 1/8/2011

10.1063/1.3611032 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Este/a investigador/a no tiene libros.

Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors

  • Gačević Ž
  • Calleja E

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017

10.1201/9781315364407 Ver en origen

TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs

  • Trampert A
  • Ristic J
  • Jahn U
  • Calleja E
  • Ploog K

Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018

10.1201/9781351074636 Ver en origen

(V)EELS Characterization of InAlN/GaN Distributed Bragg Reflectors

  • A Eljarrat
  • Ž Ga?evi?
  • S Fernández-Garrido
  • E Calleja
  • C Magén
  • S Estradé
  • F Peiró
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Journal Of Physics: Conference Series (p. 012014-012014) - 1/1/2011

10.1088/1742-6596/326/1/012014 Ver en origen

  • ISSN 17426588

A Simple Method to Model Bragg Reflectors with Transient Layers Formed at the Interfaces

  • N. Vukmirovic
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-3) - 25/8/2013

  • iMarina

A diagram to grow InAlN layers on (0001)GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy International workshop on nitrides Semiconductors 2008, 6-10 de Octubre 2008 Montreux, (Suiza), 2008

  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

A Diagram To Grow Inaln Layers On (0001)Gan By Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy (p. 0-0) - 6/10/2008

  • iMarina

A two-color emitting ingan nanodisk as a site-controlled source of classical and quantum light

  • S. Metzner
  • S. Lazic
  • N. Vukmirovic
  • N. García-Lepetit
  • M. Müller
  • JM González-Calbet
  • JM Calleja
  • J. Christen
  • F. Bertram
  • E. Chernysheva
  • A. Torres-Pardo
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique
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Proceedings (p. 0-3) - 15/3/2015

  • iMarina

A. BENGOECHEA, J. GRANDAL, S. FERNANDEZ-GARRIDO, M.A. SANCHEZ-GARCIA, F. BARBAGINI, P. LEFEBVRE, E. CALLEJA, E. LUNA, A. TRAMPERT. "Selective area growth of GaN nanocolumns by rf-plasma-assisted MBE". 16th International MBE Conference Berlin (Germany) 201

  • E. Luna
  • A. Trampert
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calleja Pardo, Enrique

"Selective Area Growth Of Gan Nanocolumns By Rf-Plasma-Assisted Mbe" (p. 0-0) - 22/8/2010

  • iMarina

A. Eljarrat, Z. Gacevic, S. Fernández-Garrido, E. Calleja, C. Magén, S. Estradé, F. Peiró "Optical and structural properties of InAlN/GaN Bragg reflectors examined by transmission electron microscopy and electron energy loss spectroscopy"

  • S. Fernández-Garrido
  • S. Estradé
  • F. Peiro
  • C. Magen
  • A. Eljarrat
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique
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Optical And Structural Properties Of Inaln/Gan Bragg Reflectors Examined By Transmission Electron Microscopy And Electron Energy Loss Spectroscop (p. 0-0) - 18/10/2011

  • iMarina

A. REDONDO-CUBERO, J. PEREIRO, J. GRANDAL, K. LORENZ, N. FRANCO, R. GAGO, E. MUÑOZ, M. A. SÁNCHEZ-GARCÍA, E. CALLEJA, E. ALVES "Structural study of the epitaxial growth in InGaN/GaN heterostructures by ion beam analysis" 33rd Workshop on Compound Semico

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Muñoz Merino, Elías
  • Calleja Pardo, Enrique

"Structural Study Of The Epitaxial Growth In Ingan/Gan Heterostructures By Ion Beam Analysis" (p. 0-0) - 17/5/2009

  • iMarina

A. REDONDO-CUBERO, K. LORENZ, N. FRANCO, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, R. GAGO, P. J. M. SMULDERS, E. MUÑOZ, E. CALLEJA, I. M. WATSON, E. ALVES "Accurate measurement of strain in semiconductors heterostructures by high-energy ion channelling: the influence of st

  • Muñoz Merino, Elías
  • Calleja Pardo, Enrique

"Accurate Measurement Of Strain In Semiconductors Heterostructures By High-Energy Ion Channelling: The Influence Of Steering Effects" (p. 0-0) - 7/9/2009

  • iMarina

AFM electrical characterization of graphene nano LEDs

  • M. García-Hernández
  • C. Munuera
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • Martínez Rodrigo, Javier
  • Calle Gómez, Fernando
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-3) - 23/4/2013

  • iMarina

AlGaN photodetectors grown on Si(111) by molecular beam epitaxy

  • Pau, J.L.
  • Monroy, E.
  • Muñoz, E.
  • Naranjo, F.B.
  • Calle, F.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
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Journal Of Crystal Growth (p. 544-548) - 1/1/2001

Editor: Elsevier

10.1016/s0022-0248(01)01291-x Ver en origen

  • ISSN 00220248
  • ISSN/ISBN 0022-0248

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

3D GaN for High Efficiency Solid State Lighting

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)

Ejecución: 01-04-2012 - 31-03-2015

Tipo: Internacional

Importe financiado: 552079,00 Euros.

  • iMarina

A. Develop process to make full visible spectrum display emitter layer using nanocolumns. B. Develop process to make UVA emitting arrays using nanocolumns

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))

Ejecución: 06-10-2020 - 03-11-2021

  • iMarina

ADECUACIÓN DE UN REACTOR DE EPITAXIA DE HACES MOLECULARES (MBE) PARA EL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 22105,00 Euros.

  • iMarina

Crecimiento por Epitaxia de Haces Moleculares de capas finas y nanoestructuras ordenadas de InGaN para dispositivos fotovoltaicos, sensores y generadores de hidrógeno

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • COBOS ARRIBAS, PEDRO (Participante)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Tipo: Nacional

Importe financiado: 204490,00 Euros.

  • iMarina

Células Solares de Ingan mejoradas con plasmones superficiales y fabricadas por MBE sobre sustratos de Silicio y Capas de Gan

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • YASUSHI NA, NANISHI (Participante)
  • MCCONVILLE NA, CHRIS (Participante)
  • Notzel, Richard (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • SABIDO SILLER, M CARMEN (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-01-2012 - 31-12-2014

Tipo: Nacional

Importe financiado: 269999,00 Euros.

  • iMarina

Células Solares de heterounión InGaN y alta eficiencia crecidas por MBE

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • NANISHI ., YASUSHI (Participante)
  • ARTUS SURROCA, LLUIS (Participante)
  • Calleja Pardo, Jose Manuel (Participante)
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-11-2009 - 01-11-2012

Tipo: Nacional

Importe financiado: 40000,00 Euros.

  • iMarina

Desarrollo de Micro y Nanocavidades incluyendo regiones activas de puntos cuánticos de Nitruros-III: Aplicaciones a emisiones de luz en azul y UV.

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • JAN ., UWE (Participante)
  • TRAMPET ., ACHIM (Participante)
  • LEFREBVE ., PIERRE (Participante)
  • RISTIC ., JELENA (Participante)
  • GRANJEAN ., NICOLAS (Participante)
  • DAUDIN ., BRUNO (Participante)
  • RODRIGUEZ CANTO, PEDRO (Participante)
  • GODIGNON ., PHILIP (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • UTRERA LÓPEZ, MARÍA (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011

Tipo: Nacional

  • iMarina

Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

  • iMarina

GaN-based nanowires as building blocks for quantum information systems and digital electronic circuits (RTI2018-097338-B-I00)

  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Investigador/a)
  • Miguel Angel Sanchez Garcia
  • Manuel Laso Carbajo
  • Enrique Calleja Pardo
  • Nikos Karayiannis
  • Zarko Gacevic
  • Aikaterini Foteinopoulou (Investigador principal (IP))
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Investigador/a)
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Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021

Tipo: Nacional

Importe financiado: 160300,00 Euros.

  • iMarina

High quality and intrinsic Properties of InN and indium rich Nitride Alloys

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)

Ejecución: 01-10-2008 - 30-09-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 388526,00 Euros.

  • iMarina

Aportación al estudio de estructuras pseudomórficas y metamórficas de InGaAs

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SACEDON AYUSO, Ana

1/1/1996

  • iMarina

Constituent blocks of planar III - nitride microcavities grown by molecular beam epitaxy

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Zarko Gacevic

1/1/2012

  • iMarina

Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de Gan. Aplicaciones a dispositivos optoelectronicos

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ SANZ, Fernando José

1/1/1999

  • iMarina

Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Sergio Fernández Garrido

1/1/2009

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena

1/1/2006

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ GARCIA, Miguel Angel

1/1/2000

  • iMarina

Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Ana Jimenez Martín

1/1/2003

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega

1/6/2003

  • iMarina

Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante

  • Enrique Calleja Pardo (Director)
  • Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María

1/1/2004

  • iMarina

Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.

  • Muñoz Merino, Elías (Director)
  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis

1/1/2003

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12