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Perfil en el portal institucional

Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Inversion domains in GaN layers grown on (111) silicon by molecular-beam epitaxy

  • Sánchez, AM
  • Pacheco, FJ
  • Molina, SI
  • Garcia, R
  • Ruterana, P
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E
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Applied Physics Letters (p. 2688-2690) - 30/4/2001

10.1063/1.1368373 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Optical investigation of strain in Si-doped GaN films

  • Sánchez-Páramo, J
  • Calleja, JM
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E

Applied Physics Letters (p. 4124-4126) - 25/6/2001

10.1063/1.1379063 Ver en origen

  • ISSN 00036951

High-quality distributed Bragg reflectors based on AlxGa1-xN/GaN multilayers grown by molecular-beam epitaxy

  • Fernández, S.
  • Naranjo, F.B.
  • Calle, F.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
  • Vennegues, P.
  • Trampert, A.
  • Ploog, K.H.
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Applied Physics Letters (p. 2136-2138) - 1/10/2001

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.1401090 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

High-resolution x-ray diffraction study of piezoelectric InGaAs/GaAs multiquantum well p-i-n photodiodes grown on (111)B GaAs

  • Sanzhervas, A
  • Aguilar, M
  • Sanchezrojas, JL
  • Sacedon, A
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Abril, EJ
  • Lopez, M
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Applied Physics Letters (p. 1574-1576) - 9/9/1996

10.1063/1.117034 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Strong localization in InGaN layers with high In content grown by molecular-beam epitaxy

  • Naranjo, F.B.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calle, F.
  • Calleja, E.
  • Jenichen, B.
  • Ploog, K.H.

Applied Physics Letters (p. 231-233) - 14/1/2002

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.1432751 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Resonant-cavity InGaN multiple-quantum-well green light-emitting diode grown by molecular-beam epitaxy

  • Naranjo, F.B.
  • Fernández, S.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calle, F.
  • Calleja, E.

Applied Physics Letters (p. 2198-2200) - 25/3/2002

10.1063/1.1463701 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Improved AlGaN/GaN high electron mobility transistor using AlN interlayers

  • Jiménez, A.
  • Bougrioua, Z.
  • Tirado, J.M.
  • Braña, A.F.
  • Calleja, E.
  • Muñoz, E.
  • Moerman, I.
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Applied Physics Letters (p. 4827-4829) - 30/6/2003

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.1588379 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Local vibrational modes of H complexes in Mg-doped GaN grown by molecular beam epitaxy

  • Cuscó, R.
  • Artús, L.
  • Pastor, D.
  • Naranjo, F.B.
  • Calleja, E.

Applied Physics Letters (p. 897-899) - 9/2/2004

10.1063/1.1645668 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Dominant carrier recombination mechanisms in GaInNAs/GaAs quantum well light-emitting diodes

  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Miguel-Sánchez, J
  • Guzmán, A
  • Tournié, E
  • Sánchez-Rojas, JL
  • Calleja, E
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Applied Physics Letters (p. 40-42) - 5/7/2004

10.1063/1.1769078 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Resonant Raman scattering in strained and relaxed InGaN/GaN multi-quantum wells

  • Lazić, S.
  • Moreno, M.
  • Calleja, J.M.
  • Trampert, A.
  • Ploog, K.H.
  • Naranjo, F.B.
  • Fernandez, S.
  • Calleja, E.
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Applied Physics Letters (p. 1-3) - 7/2/2005

10.1063/1.1861496 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Este/a investigador/a no tiene libros.

Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors

  • Gačević Ž
  • Calleja E

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017

10.1201/9781315364407 Ver en origen

TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs

  • Trampert A
  • Ristic J
  • Jahn U
  • Calleja E
  • Ploog K

Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018

10.1201/9781351074636 Ver en origen

J.H. Blokland, J.M. Ulloa, U. Zeitler, P.C.M. Christianen, P.M. Koenraad, D. Reuter, A.D. Wieck, J.C. Maan "Shell-filling and correlation effects of holes in InAs quantum dots" International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Syste

  • U. Zeitler
  • P.M. Koenraad
  • P.C.M. Christianen
  • J.H. Blokland
  • A.D. Wieck
  • J.C. Maan
  • D. Reuter
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
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15/7/2007

  • iMarina

I. W. D. Drouzas, J. M. Ulloa, P. M. Koenraad, D. J. Mowbray, M. A. Migliorato, M. J. Steer, H.Y. Liu, M. Hopkinson "InAs self-assembled quantum dots capped with a GaAsSb strain reducing layer: Morphology of a nanostructure with novel optical properties

  • P. M. Koenraad
  • M. J. Steer
  • M. HOPKINSON
  • I. W. D. Drouzas
  • H.Y. Liu
  • D. J. Mowbray
  • M. A. Migliorato
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
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15/7/2007

  • iMarina

S. Lazić, E. Gallardo, J. M. Calleja, F. Agulló-Rueda, J. Grandal, M. A. Sánchez-García, E. Calleja, A. Trampert, E. Luna ¿Raman Scattering By Coupled Plasmon-Lo Phonons In Inn Nanocolumns¿ 7th International Conference on Nitride Semiconductors (I

  • S. LAZIC
  • J.M Calleja
  • F. AGULLÓ-RUEDA
  • E. Luna
  • E. GALLARDO
  • A. Trampert
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calleja Pardo, Enrique
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16/9/2007

  • iMarina

J. Ristic, C. Rivera, S. Fernández-Garrido, E. Calleja, A. Trampert, K. H. Ploog, M- Povoloskyi, A. Di Carlo ¿Improved growth mode diagram for plasma-assisted MBE growth of (0001) GaN¿ 7th International Conference on Nitride Semiconductors Bremen (

  • M. POVOLOSKYI
  • K.H. PLOOG
  • J. Ristic
  • A. Trampert
  • A. di Carlo
  • Calleja Pardo, Enrique

16/9/2007

  • iMarina

J.M. Ulloa, A. Wierts, C. Çelebi, P.M. Koenraad, H. Boukari, L. Maingault, H. Mariette "Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy on II-VI Semiconductor Multilayer Structures"13th International Conference on II-VI Compounds Jeju (Corea) 10 al 14 d

  • P.M. Koenraad
  • L. MAINGAULT
  • H. MARIETTE
  • H. BOUKARI
  • C. CELEBI
  • A. WIERTS
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
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10/9/2007

  • iMarina

M. Niebelschütz.V. Cimalla, O. Ambacher, T. Machleidt, J. Ristic, J. Grandal, M. A. Sánchez-García. E. Calleja "Space Charged Region In Gan And Inn Nanocolumns Investigated By Atomic Force Microscopy" 7th International Conference on Nitride Semiconduc

  • V. CIMALLA
  • T. Machleidt
  • O. AMBACHER
  • M. NIEBELSCHUTZ
  • J. Ristic
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calleja Pardo, Enrique
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16/9/2007

  • iMarina

U. Jahn, E. Calleja, J. Ristic, A. Trampert, C. Rivera "Spatially resolved luminescence spectroscopy of single GaN/(Al,Ga)N quantum disks" 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) Las Vegas (Nevada, USA) 16 al 21 de septiembre d

  • U. Jahn
  • J. Ristic
  • A. Trampert
  • Calleja Pardo, Enrique

16/9/2007

  • iMarina

Spontaneous Growth of III-Nitride nanocolumns by Molecular Beam Epitaxy: Optical, Structural and Electrical Characterization Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne Lausanne (Suiza), 2008

  • Calleja Pardo, Enrique

1/1/2008

  • iMarina

J. Grandal, M.A. Sánchez-García, E. Calleja, S. Lazic, J.M. Calleja, E. Luna, A. Trampert "Structural and optical characterization of Inn/Ingan multiple quantum wells grown by plasma assisted-MBE" 7th International Conference on Nitride Semiconductors

  • S. LAZIC
  • J.M. CALLEJA
  • E. Luna
  • A. Trampert
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calleja Pardo, Enrique
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16/9/2007

  • iMarina

S. Lazić, E. Gallardo, J.M. Calleja, F. Agulló-Rueda, J. Grandal, M.A. Sánchez-Garcia, E. Calleja "Raman Scattering By Longitudinal Optical Phonons In Inn Nanocolumns Grown On Si(111) And Si(001) Substrates" 13th International Conference on Modulat

  • S. LAZIC
  • J. M. CALLEJA
  • F. AGULLÓ-RUEDA
  • E. GALLARDO
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER
  • Calleja Pardo, Enrique
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15/7/2007

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

A. Develop process to make full visible spectrum display emitter layer using nanocolumns. B. Develop process to make UVA emitting arrays using nanocolumns

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))

Ejecución: 06-10-2020 - 03-11-2021

  • iMarina

Materiales y dispositivos optoelectrónicos basados en nitruros del grupo- III

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 19-12-2019 - 31-12-2021

  • iMarina

Nanohilos basados en GaN para sistemas de información cuántica y circuitos digitales

  • FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA (Participante)
  • HERRANZ FEITO, MIGUEL (Investigador/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Participante)
  • LASO CARBAJO, MANUEL (Participante)
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Ejecución: 01-01-2019 - 31-07-2022

Tipo: Nacional

Importe financiado: 193963,00 Euros.

  • iMarina

GaN-based nanowires as building blocks for quantum information systems and digital electronic circuits (RTI2018-097338-B-I00)

  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Investigador/a)
  • Miguel Angel Sanchez Garcia
  • Manuel Laso Carbajo
  • Enrique Calleja Pardo
  • Nikos Karayiannis
  • Zarko Gacevic
  • Aikaterini Foteinopoulou (Investigador principal (IP))
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Investigador/a)
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Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021

Tipo: Nacional

Importe financiado: 160300,00 Euros.

  • iMarina

InDaN and AIGaN semi-polar and non-polar pseudo-substrates made by Molecular Beam Epitaxy by ordered coalescence of nanocrystals

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2018 - 15-09-2022

  • iMarina

Crecimiento por Epitaxia de Haces Moleculares de capas finas y nanoestructuras ordenadas de InGaN para dispositivos fotovoltaicos, sensores y generadores de hidrógeno

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • COBOS ARRIBAS, PEDRO (Participante)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Tipo: Nacional

Importe financiado: 204490,00 Euros.

  • iMarina

Towards p-type conductivity in In0.5Ga0.5N nanocolumns on a Si (100) substrate with GaN buffer layers

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • XIE, MENGYAO (Becario/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 15-06-2015 - 14-06-2017

Tipo: Internacional

Importe financiado: 170121,60 Euros.

  • iMarina

Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

  • iMarina

ADECUACIÓN DE UN REACTOR DE EPITAXIA DE HACES MOLECULARES (MBE) PARA EL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 22105,00 Euros.

  • iMarina

3D GaN for High Efficiency Solid State Lighting

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)

Ejecución: 01-04-2012 - 31-03-2015

Tipo: Internacional

Importe financiado: 552079,00 Euros.

  • iMarina

Growth and characterization of gan/aln non-polar pseudo-substrates

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: Fernando Saavedra, Amalia Luisa

1/1/2021

  • iMarina

nxGa1-xN layers, nanowires, and nanodots on Silicon for clean energy applications

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Aseev, Pavel

1/1/2017

  • iMarina

Investigations on III-nitrides nanostructures: application to renewable energies and bio-sensing

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Soto Rodriguez, Paul Eduardo David

1/1/2016

  • iMarina

Constituent blocks of planar III - nitride microcavities grown by molecular beam epitaxy

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Zarko Gacevic

1/1/2012

  • iMarina

Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Sergio Fernández Garrido

1/1/2009

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena

1/1/2006

  • iMarina

Growth and characterization of group-iii nitride nanocolumnar structures - crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros dle grupo iii

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Jelena Ristic

1/1/2006

  • iMarina

Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante

  • Enrique Calleja Pardo (Director)
  • Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María

1/1/2004

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega

1/6/2003

  • iMarina

Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.

  • Muñoz Merino, Elías (Director)
  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis

1/1/2003

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12