Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es
Actividades
- Artículos 276
- Libros 0
- Capítulos de libro 2
- Congresos 172
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 19
- Tesis dirigidas 14
- Patentes o licencias de software 0
(Al,Ga)N ultraviolet photodetectors and applications
Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 293-300) - 1/7/2000
10.1002/1521-396x(200007)180:1<293::aid-pssa293>3.0.co;2-j Ver en origen
- ISSN 00318965
(S)TEM methods contributions to improve the fabrication of InGaN thin films on Si, and InN nanostructures on flat Si and rough InGaN
- Jimenez, J. J.
- Manuel, J. M.
- Aseev, P.
- Soto Rodriguez, P. E. D.
- Notzel, R.
- Gacevic, Z.
- Calleja, E.
- Garcia, R.
- Morales, F. M.;
Journal Of Alloys And Compounds (p. 697-708) - 30/4/2019
10.1016/j.jallcom.2018.12.319 Ver en origen
- ISSN 09258388
A CRITICAL ANALYSIS OF CAPACITANCE TRANSIENT SIGNALS DUE TO DX CENTERS IN N-TYPE ALGAAS
- IZPURA, I
- MUNOZ, E
- CALLEJA, E;
Semiconductor Science And Technology (p. 1258-1266) - 1/12/1993
10.1088/0268-1242/8/7/013 Ver en origen
- ISSN 13616641
A RAMAN-SPECTROSCOPIC STUDY OF THE SI, BE, AND C INCORPORATION IN INXGA1-XAS RELAXED LAYERS
- ALVAREZ, AL
- CALLE, F
- SACEDON, A
- CALLEJA, E
- MUNOZ, E
- WAGNER, J
- MAIER, M
- MAZUELAS, A
- PLOOG, KH;
Journal Of Applied Physics (p. 4690-4695) - 1/1/1995
10.1063/1.359816 Ver en origen
- ISSN 00218979
A comprehensive diagram to grow (0001)InGaN alloys by molecular beam epitaxy
- S. Fernández-Garrido
- SOTO RODRIGUEZ, PAUL
- Notzel, Richard
- Gacevic, Zarko
- Calleja Pardo, Enrique
Journal Of Crystal Growth (p. 123-127) - 1/1/2013
10.1016/j.jcrysgro.2012.11.031 Ver en origen
- ISSN 00220248
- iMarina
- iMarina
A comprehensive diagram to grow InAlN alloys by plasma-assisted molecular beam epitaxy
- Fernandez-Garrido, S.
- Gacevic, Z.
- Calleja, E.;
Applied Physics Letters - 21/11/2008
10.1063/1.3026541 Ver en origen
- ISSN 00036951
- iMarina
- iMarina
A growth diagram for plasma-assisted molecular beam epitaxy of GaN nanocolumns on Si(111)
- Fernández-Garrido, S
- Grandal, J
- Calleja, E
- Sánchez-García, MA
- López-Romero, D
Journal Of Applied Physics - 1/12/2009
10.1063/1.3267151 Ver en origen
- ISSN 00218979
A top-gate GaN nanowire metal-semiconductor field effect transistor with improved channel electrostatic control
- Ž Ga?evi?
- D López-Romero
- T Juan Mangas
- E Calleja
Applied Physics Letters (p. 033101-033101) - 18/1/2016
10.1063/1.4940197 Ver en origen
- ISSN 00036951
- iMarina
- iMarina
A word from the editors
- Calleja E
- Cristoloveanu S
- Kuk Y
- Zaslavsky A
Solid-State Electronics (p. 1-1) - 1/1/2013
10.1016/j.sse.2012.09.003 Ver en origen
- ISSN 00381101
Accommodation mechanism of InN nanocolumns grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy
- Grandal, J
- Sánchez-García, MA
- Calleja, E
- Luna, E
- Trampert, A
Applied Physics Letters - 1/1/2007
10.1063/1.2756293 Ver en origen
- ISSN 00036951
Este/a investigador/a no tiene libros.
Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors
- Gačević Ž
- Calleja E
Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017
(V)EELS Characterization of InAlN/GaN Distributed Bragg Reflectors
Journal Of Physics: Conference Series (p. 012014-012014) - 1/1/2011
10.1088/1742-6596/326/1/012014 Ver en origen
- ISSN 17426588
- iMarina
- iMarina
A Simple Method to Model Bragg Reflectors with Transient Layers Formed at the Interfaces
- N. Vukmirovic
- Gacevic, Zarko
- Calleja Pardo, Enrique
Proceedings (p. 0-3) - 25/8/2013
- iMarina
A diagram to grow InAlN layers on (0001)GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy International workshop on nitrides Semiconductors 2008, 6-10 de Octubre 2008 Montreux, (Suiza), 2008
- Gacevic, Zarko
- Calleja Pardo, Enrique
A Diagram To Grow Inaln Layers On (0001)Gan By Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy (p. 0-0) - 6/10/2008
- iMarina
A two-color emitting ingan nanodisk as a site-controlled source of classical and quantum light
- S. Metzner
- S. Lazic
- N. Vukmirovic
- N. García-Lepetit
- M. Müller
- JM González-Calbet
- JM Calleja
- J. Christen
- F. Bertram
- E. Chernysheva
- A. Torres-Pardo
- Gacevic, Zarko
- Calleja Pardo, Enrique
Proceedings (p. 0-3) - 15/3/2015
- iMarina
A. BENGOECHEA, J. GRANDAL, S. FERNANDEZ-GARRIDO, M.A. SANCHEZ-GARCIA, F. BARBAGINI, P. LEFEBVRE, E. CALLEJA, E. LUNA, A. TRAMPERT. "Selective area growth of GaN nanocolumns by rf-plasma-assisted MBE". 16th International MBE Conference Berlin (Germany) 201
- E. Luna
- A. Trampert
- Sanchez Garcia, Miguel Angel
- GRANDAL QUINTANA, JAVIER
- Calleja Pardo, Enrique
"Selective Area Growth Of Gan Nanocolumns By Rf-Plasma-Assisted Mbe" (p. 0-0) - 22/8/2010
- iMarina
A. Eljarrat, Z. Gacevic, S. Fernández-Garrido, E. Calleja, C. Magén, S. Estradé, F. Peiró "Optical and structural properties of InAlN/GaN Bragg reflectors examined by transmission electron microscopy and electron energy loss spectroscopy"
- S. Fernández-Garrido
- S. Estradé
- F. Peiro
- C. Magen
- A. Eljarrat
- Gacevic, Zarko
- Calleja Pardo, Enrique
Optical And Structural Properties Of Inaln/Gan Bragg Reflectors Examined By Transmission Electron Microscopy And Electron Energy Loss Spectroscop (p. 0-0) - 18/10/2011
- iMarina
A. REDONDO-CUBERO, J. PEREIRO, J. GRANDAL, K. LORENZ, N. FRANCO, R. GAGO, E. MUÑOZ, M. A. SÁNCHEZ-GARCÍA, E. CALLEJA, E. ALVES "Structural study of the epitaxial growth in InGaN/GaN heterostructures by ion beam analysis" 33rd Workshop on Compound Semico
- Sanchez Garcia, Miguel Angel
- GRANDAL QUINTANA, JAVIER
- Muñoz Merino, Elías
- Calleja Pardo, Enrique
"Structural Study Of The Epitaxial Growth In Ingan/Gan Heterostructures By Ion Beam Analysis" (p. 0-0) - 17/5/2009
- iMarina
A. REDONDO-CUBERO, K. LORENZ, N. FRANCO, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, R. GAGO, P. J. M. SMULDERS, E. MUÑOZ, E. CALLEJA, I. M. WATSON, E. ALVES "Accurate measurement of strain in semiconductors heterostructures by high-energy ion channelling: the influence of st
- Muñoz Merino, Elías
- Calleja Pardo, Enrique
"Accurate Measurement Of Strain In Semiconductors Heterostructures By High-Energy Ion Channelling: The Influence Of Steering Effects" (p. 0-0) - 7/9/2009
- iMarina
AFM electrical characterization of graphene nano LEDs
- M. García-Hernández
- C. Munuera
- Sanchez Garcia, Miguel Angel
- Martínez Rodrigo, Javier
- Calle Gómez, Fernando
- Calleja Pardo, Enrique
Proceedings (p. 0-3) - 23/4/2013
- iMarina
AlGaN photodetectors grown on Si(111) by molecular beam epitaxy
- Pau, J.L.
- Monroy, E.
- Muñoz, E.
- Naranjo, F.B.
- Calle, F.
- Sánchez-García, M.A.
- Calleja, E.
Journal Of Crystal Growth (p. 544-548) - 1/1/2001
Editor: Elsevier
10.1016/s0022-0248(01)01291-x Ver en origen
- ISSN 00220248
- ISSN/ISBN 0022-0248
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
InDaN and AIGaN semi-polar and non-polar pseudo-substrates made by Molecular Beam Epitaxy by ordered coalescence of nanocrystals
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2018 - 15-09-2022
- iMarina
Instalación/Actuación: Central de Tecnología del ISOM
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
Ejecución: 13-11-2008 - 15-10-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Materiales y dispositivos optoelectrónicos basados en nitruros del grupo- III
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
Ejecución: 19-12-2019 - 31-12-2021
- iMarina
Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- GRACIA VERANO, VICTOR (Investigador principal (IP))
- CERUTTI CERUTTI, LAURENT (Investigador principal (IP))
- RISTIC RISTIC, JELENA (Investigador principal (IP))
- SANZ MONASTERIO, MIKEL (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010
Tipo: Regional
- iMarina
Nanoestructuras de semiconductores como componentes par ala información cuántica
- Enrique Calleja Pardo (Investigador principal (IP))
- MONTES BAJO, MIGUEL (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2006 - 01-01-2009
- iMarina
Nanohilos basados en GaN para sistemas de información cuántica y circuitos digitales
- FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA (Participante)
- HERRANZ FEITO, MIGUEL (Investigador/a)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
- FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Participante)
- Gacevic, Zarko (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Participante)
- KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Participante)
- LASO CARBAJO, MANUEL (Participante)
Ejecución: 01-01-2019 - 31-07-2022
Tipo: Nacional
Importe financiado: 193963,00 Euros.
- iMarina
Smart nanostructured semiconductors for energy saving light solutions
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- PRIETO MARTIN, JOSE LUIS (Participante)
- PADILLA GONZALEZ, ISIDORO (Participante)
- Gacevic, Zarko (Participante)
- Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
- Notzel, Richard (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Participante)
Ejecución: 01-09-2009 - 31-08-2012
Tipo: Internacional
Importe financiado: 800650,00 Euros.
- iMarina
Substrate nanopatterning by e-beam lithography to growth ordered arrays of III-Nitride nanodetectors: application to IR detectors, emitters, and new Solar Cells
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2012
Tipo: Internacional
Importe financiado: 153917,00 Euros.
- iMarina
Towards p-type conductivity in In0.5Ga0.5N nanocolumns on a Si (100) substrate with GaN buffer layers
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- XIE, MENGYAO (Becario/a)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
Ejecución: 15-06-2015 - 14-06-2017
Tipo: Internacional
Importe financiado: 170121,60 Euros.
- iMarina
Aportación al estudio de estructuras pseudomórficas y metamórficas de InGaAs
- Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SACEDON AYUSO, Ana
1/1/1996
- iMarina
Constituent blocks of planar III - nitride microcavities grown by molecular beam epitaxy
- Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Zarko Gacevic
1/1/2012
- iMarina
Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de Gan. Aplicaciones a dispositivos optoelectronicos
- Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ SANZ, Fernando José
1/1/1999
- iMarina
Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta
- Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Sergio Fernández Garrido
1/1/2009
- iMarina
Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.
- Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena
1/1/2006
- iMarina
Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares.
- Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ GARCIA, Miguel Angel
1/1/2000
- iMarina
Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares
- Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Ana Jimenez Martín
1/1/2003
- iMarina
Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN
- Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega
1/6/2003
- iMarina
Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante
- Enrique Calleja Pardo (Director)
- Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María
1/1/2004
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Perfiles de investigador/a
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