RDF/XML JSON-LD N3/Turtle RDF/JSON
Perfil en el portal institucional

Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

pn Junction applications and transport properties in polysilicon rods

  • Criado A
  • Calleja E
  • Martinez J
  • Piqueras J
  • Muñoz E

Solid-State Electronics (p. 693-700) - 1/1/1979

10.1016/0038-1101(79)90077-7 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Argon-ion bombardment effects on the electrical characteristics of platinum-silicon schottky diodes

  • Garrido J
  • Calleja E
  • Piqueras J

Electronics Letters (p. 815-816) - 6/12/1979

10.1049/el:19790579 Ver en origen

  • ISSN 00135194

Resonant tunnelling in thermally degenerated molybdenum and platinum silicon Schottky diodes

  • Martinez J
  • Calleja E
  • Piqueras J

Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 277-286) - 1/1/1980

10.1002/pssa.2210600133 Ver en origen

  • ISSN 00318965

Thermal degeneration of Mo and Pt silicon Schottky diodes

  • Calleja E
  • Garrido J
  • Piqueras J
  • Martinez A

Solid-State Electronics (p. 591-598) - 1/1/1980

10.1016/0038-1101(80)90041-6 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Resonant tunneling spectroscopy in Schottky diodes

  • Calleja E
  • Piqueras J

Journal Of Applied Physics (p. 3980-3983) - 1/12/1980

10.1063/1.328182 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Current/voltage characteristics of degenerated molybdenum and platinum schottky diodes

  • Martinez J
  • Calleja E
  • Piqueras J

Electronics Letters (p. 183-185) - 28/2/1980

10.1049/el:19800132 Ver en origen

  • ISSN 00135194

DEEP CENTERS INTRODUCED BY ARGON ION-BOMBARDMENT IN N-TYPE SILICON

  • GARRIDO, J
  • CALLEJA, E
  • PIQUERAS, J;

Solid-State Electronics (p. 1121-1126) - 1/1/1981

10.1016/0038-1101(81)90180-5 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Effect of vacuum annealing cleaning on electrical characteristics of GaAs1−x Px-Mo schottky diodes

  • Calleja E
  • Piqueras J

Electronics Letters (p. 37-39) - 8/1/1981

10.1049/el:19810028 Ver en origen

  • ISSN 00135194

ELECTRON TRAPS IN GAAS1-XPX ALLOYS

  • CALLEJA, E
  • MUNOZ, E
  • GARCIA, F;

Applied Physics Letters (p. 528-530) - 1/1/1983

10.1063/1.93993 Ver en origen

  • ISSN 00036951

ELECTROPLATED AU-GAAS1-XPX AND AU-GA1-XALXAS SCHOTTKY BARRIERS

  • LOPEZCORONADO, M
  • AGUILAR, M
  • MARTINEZ, MT
  • CALLEJA, E
  • MUNOZ, E;

Electronics Letters (p. 666-668) - 18/8/1983

10.1049/el:19830454 Ver en origen

  • ISSN 00135194

Este/a investigador/a no tiene libros.

Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors

  • Gačević Ž
  • Calleja E

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017

10.1201/9781315364407 Ver en origen

TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs

  • Trampert A
  • Ristic J
  • Jahn U
  • Calleja E
  • Ploog K

Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018

10.1201/9781351074636 Ver en origen

PRESSURE EFFECTS ON THE PROPERTIES OF DX CENTERS IN SI-DOPED GAAS AND ALXGA1-XAS ALLOYS

  • CALLEJA, E
  • GARCIA, F
  • MUNOZ, E
  • MOONEY, PM
  • MORGAN, TN
  • WRIGHT, SL;

20th International Conference On The Physics Of Semiconductors, Vols 1-3 (p. 513-516) - 1/1/1990

  • iMarina

INCORPORATION OF BE INTO INXGA1-XAS (0.004-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-X-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-0.17) STUDIED BY PHOTOLUMINESCENCE AND RESONANT RAMAN-SPECTROSCOPY OF LOCAL VIBRATIONAL-MODES

  • ALVAREZ, AL
  • WAGNER, J
  • CALLE, F
  • MAIER, M
  • GUTIERREZ, G
  • SACEDON, A
  • CALLEJA, E
  • MUNOZ, E;
... Ver más Contraer

Materials Science Forum (p. 241-245) - 1/1/1994

10.4028/www.scientific.net/msf.143-147.241 Ver en origen

  • ISSN 02555476

Dislocation distribution in graded composition InGaAs layers

  • Molina S
  • Gutierrez G
  • Sacedon A
  • Calleja E
  • Garcia R

Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 223-228) - 1/1/1994

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Time-resolved piezoelectric nonlinearities and exciton dynamics in strained [111] p-i-n multiple quantum well structures

  • Harken D
  • Huang X
  • McCallum D
  • Smirl A
  • Sanchez-Rojas J
  • Sacedon A
  • Munoz E
  • Calleja E
... Ver más Contraer

(p. 364-365) - 1/12/1994

  • iMarina

Piezoelectric optical nonlinearities in strained [111] InGaAs-GaAs multiple quantum well p-i-n structures

  • Smirl A
  • Huang X
  • Harken D
  • Cartwright A
  • McCallum D
  • Sanchez-Rojas J
  • Sacedon A
  • Gonzalez-Sanz F
  • Calleja E
  • Munoz E
... Ver más Contraer

(p. 135-137) - 1/12/1994

  • iMarina

Field control in piezoelectric [111]- oriented InGaAs/GaAs MQW and superlattice devices

  • Sanchez-Rojas J
  • Munoz E
  • Sacedon A
  • Valtuena J
  • Izpura I
  • Calleja E

(p. 506-515) - 1/12/1995

10.1109/cornel.1995.482547 Ver en origen

Non-uniform strain relaxation in InxGa1-xAs layers

  • Alvarez, AL
  • Calle, F
  • Sacedon, A
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Garcia, R
  • Gonzalez, L
  • Gonzalez, Y
  • Colson, HG
  • Kidd, P
  • Beanland, R
  • Goodhew, P
... Ver más Contraer

Solid-State Electronics (p. 647-651) - 1/1/1996

10.1016/0038-1101(95)00380-0 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Design and characterization of two color GaAs based quantum well infrared detector structures

  • Sanchez-Rojas J
  • Guzman A
  • Munoz E
  • Sanchez J
  • Calleja E
  • Sanz-Hervas A
  • Villar C
  • Aguilar M
  • Montojo M
  • Vergara G
  • Gomez L
... Ver más Contraer

Advanced Workshop On Frontiers In Electronics, Proceedings, Wofe (p. 65-71) - 1/1/1997

  • iMarina

Structural characterization of GaN/AlN/Si (111)

  • Molina, SI
  • Sanchez, AM
  • Sanchez-Garcia, MA
  • Calleja, E
  • Calle, F
  • Garcia, R

Electron Microscopy 1998, Vol 3 (p. 389-390) - 1/1/1998

  • iMarina

Structural characterization of undoped and Si doped GaN on Si (111)

  • Molina, SI
  • Sánchez, AM
  • Pacheco, FJ
  • García, R
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E

Lattice Mismatched Thin Films (p. 177-182) - 1/1/1999

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

  • iMarina

ADECUACIÓN DE UN REACTOR DE EPITAXIA DE HACES MOLECULARES (MBE) PARA EL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 22105,00 Euros.

  • iMarina

Towards p-type conductivity in In0.5Ga0.5N nanocolumns on a Si (100) substrate with GaN buffer layers

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • XIE, MENGYAO (Becario/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 15-06-2015 - 14-06-2017

Tipo: Internacional

Importe financiado: 170121,60 Euros.

  • iMarina

Crecimiento por Epitaxia de Haces Moleculares de capas finas y nanoestructuras ordenadas de InGaN para dispositivos fotovoltaicos, sensores y generadores de hidrógeno

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • COBOS ARRIBAS, PEDRO (Participante)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Tipo: Nacional

Importe financiado: 204490,00 Euros.

  • iMarina

InDaN and AIGaN semi-polar and non-polar pseudo-substrates made by Molecular Beam Epitaxy by ordered coalescence of nanocrystals

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2018 - 15-09-2022

  • iMarina

Nanohilos basados en GaN para sistemas de información cuántica y circuitos digitales

  • FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA (Participante)
  • HERRANZ FEITO, MIGUEL (Investigador/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Participante)
  • LASO CARBAJO, MANUEL (Participante)
... Ver más Contraer

Ejecución: 01-01-2019 - 31-07-2022

Tipo: Nacional

Importe financiado: 193963,00 Euros.

  • iMarina

GaN-based nanowires as building blocks for quantum information systems and digital electronic circuits (RTI2018-097338-B-I00)

  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Investigador/a)
  • Miguel Angel Sanchez Garcia
  • Manuel Laso Carbajo
  • Enrique Calleja Pardo
  • Nikos Karayiannis
  • Zarko Gacevic
  • Aikaterini Foteinopoulou (Investigador principal (IP))
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Investigador/a)
... Ver más Contraer

Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021

Tipo: Nacional

Importe financiado: 160300,00 Euros.

  • iMarina

Materiales y dispositivos optoelectrónicos basados en nitruros del grupo- III

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 19-12-2019 - 31-12-2021

  • iMarina

A. Develop process to make full visible spectrum display emitter layer using nanocolumns. B. Develop process to make UVA emitting arrays using nanocolumns

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))

Ejecución: 06-10-2020 - 03-11-2021

  • iMarina

Aportación al estudio de estructuras pseudomórficas y metamórficas de InGaAs

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SACEDON AYUSO, Ana

1/1/1996

  • iMarina

Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de Gan. Aplicaciones a dispositivos optoelectronicos

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ SANZ, Fernando José

1/1/1999

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ GARCIA, Miguel Angel

1/1/2000

  • iMarina

Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.

  • Muñoz Merino, Elías (Director)
  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis

1/1/2003

  • iMarina

Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Ana Jimenez Martín

1/1/2003

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega

1/6/2003

  • iMarina

Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante

  • Enrique Calleja Pardo (Director)
  • Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María

1/1/2004

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena

1/1/2006

  • iMarina

Growth and characterization of group-iii nitride nanocolumnar structures - crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros dle grupo iii

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Jelena Ristic

1/1/2006

  • iMarina

Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Sergio Fernández Garrido

1/1/2009

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12